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公开(公告)号：CN100416393C
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN03155787.2
申请日：2003-09-02
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC分类号： G02F1/1362 , H01L29/786 , H01L31/00
CPC分类号： G02B6/43
摘要： 本发明的目的是提供一种电子电路装置，它利用光作为信号，能够减少与信号传播相关的电磁波的出现。此电子电路装置具有透明衬底(以下记为衬底)，其上制作有光传感器和光快门以及由薄膜晶体管(TFT)组成的电子电路。光信号从外部被输入到电子电路装置中，光信号被直接辐照到衬底上的光传感器上，并通过衬底渗透，并被输入到其它衬底上的光传感器中。光传感器将光信号转换成电子信号，衬底上的电路从而工作。控制信号控制着光快门，光从外部被输入到此光快门中，并决定光是否透射，从而取出信号。
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公开(公告)号：CN1160862A
公开(公告)日：1997-10-01
申请号：CN96103480.7
申请日：1996-02-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
CPC分类号： G02F1/13454 , G02F1/133351
摘要： 在一个玻璃衬底上制造四个液晶面板时，采用了这样的布局；令各面板的外围驱动电路区彼此对置着。采用这种布局就可以避免易受微粒子影响的外围驱动电路区处在玻璃衬底周边的部位。这样既可使液晶面板产量高，又可有效利用玻璃衬底。
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公开(公告)号：CN1501154A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN03155787.2
申请日：2003-09-02
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC分类号： G02F1/1362 , G02F1/136 , G02F1/01 , H01L29/786
CPC分类号： G02B6/43
摘要： 本发明的目的是提供一种电子电路装置，它利用光作为信号，能够减少与信号传播相关的电磁波的出现。此电子电路装置具有透明衬底(以下记为衬底)，其上制作有光传感器和光快门以及由薄膜晶体管(TFT)组成的电子电路。光信号从外部被输入到电子电路装置中，光信号被直接辐照到衬底上的光传感器上，并通过衬底渗透，并被输入到其它衬底上的光传感器中。光传感器将光信号转换成电子信号，衬底上的电路从而工作。控制信号控制着光快门，光从外部被输入到此光快门中，并决定光是否透射，从而取出信号。
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公开(公告)号：CN1134036A
公开(公告)日：1996-10-23
申请号：CN95120071.2
申请日：1995-11-24
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/334 , C30B1/00
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
摘要： 本发明涉及一种形成TFT的有源层的方法，该方法不会对有源层的侧面造成等离子体损坏。首先在玻璃衬底上形成结晶硅膜。然后将保护掩模放在该硅膜上。用主要包括卤族氟化物气体的蚀刻剂气体蚀刻该硅膜，于是形成有源层。在该过程中，蚀刻剂气体不变成等离子体，以便避免有源层侧面被等离子体损坏。ClF3可以用作卤族氟化物气体。
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公开(公告)号：CN100529844C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN03157972.8
申请日：2003-09-02
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
CPC分类号： H01L31/11 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1218 , H01L31/1055
摘要： 本发明的目的是提供一种能够减少伴随信号传播而产生的电磁波的电子电路装置。该电子电路装置包括多片透明的衬底，其上形成光传感器和光闸。由外部将光信号输入该电子电路装置，并使其直接照射到透明衬底上设置的光传感器上，或者光信号透射通过透明衬底并输入其它衬底上的光传感器。光传感器将光信号转换成电信号，使置于衬底上的电路工作。光闸由电路输出控制，光从外部输入此光闸，接着对光是否已透射作出判断，从而取出信号。以这种方式，通过减少输入和输出的电信号，从而防止不必要的电磁波产生。
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公开(公告)号：CN1126154C
公开(公告)日：2003-10-29
申请号：CN95120071.2
申请日：1995-11-24
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/334 , C30B1/00
CPC分类号： H01L29/66757 , H01L29/78621 , H01L29/78675
摘要： 本发明涉及一种形成TFT的有源层的方法，该方法不会对有源层的侧面造成等离子体损坏。首先在玻璃衬底上形成结晶硅膜。然后将保护掩模放在该硅膜上。用主要包括囟族氟化物气体的蚀刻剂气体蚀刻该硅膜，于是形成有源层。在该过程中，蚀刻剂气体不变成等离子体，以便避免有源层侧面被等离子体损坏。ClF3可以用作卤族氟化物气体。
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公开(公告)号：CN1079955C
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN96103480.7
申请日：1996-02-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
CPC分类号： G02F1/13454 , G02F1/133351
摘要： 在一个玻璃衬底上制造四个液晶面板时，采用了这样的布局；令各面板的外围驱动电路区彼此对置着。采用这种布局就可以避免易受微粒子影响的外围驱动电路区处在玻璃衬底周边的部位。这样既可使液晶面板产量高，又可有效利用玻璃衬底。
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公开(公告)号：CN1238902C
公开(公告)日：2006-01-25
申请号：CN00101125.1
申请日：2000-01-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC分类号： H01L27/11 , H01L21/8244 , G11C11/34
CPC分类号： H01L27/11 , H01L21/84 , H01L27/1108 , Y10S257/903
摘要： 一种SRAM单元，它包含至少二个驱动晶体管和二个传送晶体管以及二个各由TFT组成且通过层间绝缘膜排列在这些晶体管上的负载晶体管，此负载晶体管的有源区包含非晶硅结晶能力由于采用催化元素的固相生长技术而得以改进了的硅膜以及用来防止催化元素扩散进入排列在层间绝缘膜与负载晶体管之间的驱动晶体管和传送晶体管的势垒层。
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公开(公告)号：CN1261207A
公开(公告)日：2000-07-26
申请号：CN00101125.1
申请日：2000-01-19
申请人： 株式会社半导体能源研究所 , 夏普公司
IPC分类号： H01L27/11 , H01L21/8244 , G11C11/34
CPC分类号： H01L27/11 , H01L21/84 , H01L27/1108 , Y10S257/903
摘要： 一种SRAM单元,它包含至少二个驱动晶体管和二个传送晶体管以及二个各由TFT组成且通过层间绝缘膜排列在这些晶体管上的负载晶体管,此负载晶体管的有源区包含非晶硅结晶能力由于采用催化元素的固相生长技术而得以改进了的硅膜以及用来防止催化元素扩散进入排列在层间绝缘膜与负载晶体管之间的驱动晶体管和传送晶体管的势垒层。
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公开(公告)号：CN118591879A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202380018330.0
申请日：2023-01-17
申请人： 株式会社半导体能源研究所
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/336 , H01L21/768 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792 , H10B12/00 , H10B41/70
摘要： 提供一种可以实现微型化或高集成化的电子装置或半导体装置。电子装置包括第一导电体、第二导电体、第一绝缘体、第二绝缘体以及连接电极。第一绝缘体设置在第一导电体上并包括与第一导电体重叠的第一开口。第二导电体设置在第一绝缘体上并包括与第一导电体重叠的第二开口。第二绝缘体设置在第二导电体上并包括与第一导电体重叠的第三开口。第二开口具有宽度比第三开口小的部分。连接电极位于第一开口的内部、第二开口的内部及第三开口的内部并与第一导电体的顶面接触。连接电极具有与第二导电体的顶面的一部分及侧面的一部分接触的区域。
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