公开(公告)号：CN104009011A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410055773.X

申请日：2014-02-19

Applicant: 株式会社捷太格特

Inventor： 丹野聪 ,  胁田恭之

IPC: H01L23/482 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7838 ,  H01L27/0251 ,  H01L27/0288 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/66484 ,  H01L29/66568 ,  H01L29/7831

Abstract: 本发明提供一种绝缘栅型场效应晶体管以及该晶体管的制造方法，其能够抑制短路故障的产生。FET（1）具有半导体衬底（10）、栅极绝缘膜（20）、栅极电极（30）和导电部件（60）。半导体衬底（10）具有将沟道区域（14）分割成漏极区域（12）侧的第1沟道区域（14A）和源极区域（13）侧的第2沟道区域（14B）的绝缘槽（11）。导电部件（60）被绝缘槽（11）的漏极侧端面（11A）和源极侧端面（11B）支承。当规定温度以上时导电部件（60）被切断。