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公开(公告)号：CN118870921A
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202410434138.6
申请日：2024-04-11
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 河村真一
Abstract: 本发明涉及显示装置及显示装置的制造方法。实施方式的显示装置具备：下电极；覆盖下电极的第1部分并具有与下电极的第2部分重叠的像素开口的肋部；隔壁，其包含配置在肋部上的底部、配置在底部之上的轴部、配置在该轴部之上并从该轴部的侧面突出的顶部；从像素开口通过而覆盖下电极的有机层；和覆盖有机层并与底部接触的上电极。下电极的第1部分的厚度与下电极的第2部分的厚度不同。
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公开(公告)号：CN118076165A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202311536458.4
申请日：2023-11-17
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 河村真一
IPC: H10K59/131 , H10K71/00 , H01L27/12 , H01L21/77
Abstract: 本发明涉及显示装置及其制造方法。一实施方式涉及的显示装置具备：电路层，其包含像素电路；绝缘层，其覆盖所述电路层并具有接触孔；下电极，其配置在所述绝缘层的上方，通过所述接触孔而与所述像素电路连接；填充材料，其位于所述接触孔的内侧、由覆盖所述下电极的有机绝缘材料形成；肋部，其具有与所述下电极重叠的像素开口；隔壁，其配置在所述肋部的上方；有机层，其通过所述像素开口而覆盖所述下电极、并对应于电压的施加而发光；和上电极，其覆盖所述有机层。所述肋部及所述隔壁在俯视观察时与所述接触孔的整体重叠。此外，所述填充材料的厚度小于所述接触孔的深度。
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公开(公告)号：CN105977158A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610136076.6
申请日：2016-03-10
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 河村真一
IPC: H01L21/336
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L21/266 , H01L21/32139 , H01L29/66492 , H01L29/66757
Abstract: 根据一个实施方式，提供半导体装置的制造方法，在基板上形成半导体层，在上述半导体层上形成第1绝缘膜，在上述第1绝缘膜上形成金属层，在上述金属层形成第1部分以及第2部分，以上述第1部分以及上述第2部分为掩模，向上述半导体层注入杂质，将上述第1部分去除，并且使上述第2部分缩小而形成栅极电极，以上述栅极电极为掩模，向上述半导体层注入杂质。
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公开(公告)号：CN119584795A
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411189390.1
申请日：2024-08-28
Applicant: 株式会社日本显示器
Abstract: 本发明提供一种显示装置以及显示装置的制造方法。根据一个实施方式，显示装置具备：基板、配置在基板的上方的下电极；覆盖下电极的周缘部的无机绝缘层；隔壁，其具有在无机绝缘层之上配置且具有导电性的下部、和在下部之上配置且从下部的侧面突出的上部；配置在下电极之上的有机层；以及上电极，其配置在有机层之上，且与下部接触，有机层具有与隔壁分离且与下电极相接的空穴注入层、配置在空穴注入层之上且包含第1发光层在内的第1中间层、与隔壁分离且配置在第1中间层之上的第1电荷产生层、以及配置在第1电荷产生层之上且包含第2发光层在内的第2中间层，空穴注入层以及第1电荷产生层彼此分离、且均与上电极分离。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118742097A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410355973.0
申请日：2024-03-27
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 河村真一
IPC: H10K59/12 , H10K59/131
Abstract: 本发明涉及显示装置。一个实施方式涉及的显示装置具备：下电极；肋部，其具有与上述下电极重叠的像素开口；隔壁，其具有导电性的底部、绝缘性的轴部和从上述轴部的侧面突出的顶部；有机层，其通过上述像素开口而覆盖上述下电极、并相应于电压的施加而发光；和上电极，其覆盖上述有机层并与上述底部接触。此外，上述隔壁包括：第1部分，其是具有第1厚度的上述底部、上述轴部和上述顶部层叠而成的；和第2部分，其是具有比上述第1厚度小的第2厚度的上述底部、上述轴部和上述顶部层叠而成的。
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公开(公告)号：CN118742096A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410351913.1
申请日：2024-03-26
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 河村真一
IPC: H10K59/12 , H10K59/131
Abstract: 实施方式的显示装置具备：下电极；肋，其具有与上述下电极重叠的像素开口；隔壁，其具有配置于上述肋之上的导电性的底部、配置于上述底部之上的轴部和配置于上述轴部之上且从上述轴部的侧面突出的顶部，并包围上述像素开口；有机层，其从上述像素开口通过而覆盖上述下电极，并相应于电压的施加而发光；以及上电极，其覆盖上述有机层。上述隔壁包含在第1方向上延伸的第1部分。上述第1部分的上述底部具有上述像素开口侧的第1端部、和在与上述第1方向交叉的第2方向上位于上述第1端部的相反侧的第2端部。另外，上述第1端部从上述轴部露出，上述第2端部由上述轴部覆盖。
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公开(公告)号：CN118201449A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311688219.0
申请日：2023-12-11
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 河村真一
IPC: H10K71/60 , H10K59/12 , H10K59/122 , H10K59/80 , H10K59/131 , H10K50/84
Abstract: 本发明涉及显示装置的制造方法。一实施方式涉及的制造方法包括：形成下电极；形成肋部；和在肋部之上形成隔壁，所述隔壁包含导电性的底部、绝缘性的轴部、和比轴部的侧面突出的顶部。隔壁的形成包括：形成包含由导电性的第1材料形成的层的第1层；形成包含由绝缘性的第2材料形成的层的第2层；形成包含由第3材料形成的层的第3层；利用第1蚀刻工序将第3层图案化而形成顶部；利用第2蚀刻工序将第2层图案化而形成轴部；和利用第3蚀刻工序将第1层图案化而形成底部。第2蚀刻工序中的第3材料的蚀刻速率低于第2蚀刻工序中的第2材料的蚀刻速率。
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公开(公告)号：CN117320490A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310775267.7
申请日：2023-06-28
Applicant: 株式会社日本显示器
IPC: H10K59/122 , H10K59/121 , H10K71/00
Abstract: 本发明涉及显示装置。显示装置具备：第1下电极；肋部，其具有与所述第1下电极重叠的第1像素开口；隔壁，其具有配置在所述肋部之上的下部及从所述下部的侧面突出的上部；第1上电极，其与所述第1下电极相对；和第1有机层，其位于所述第1下电极与所述第1上电极之间、通过所述第1像素开口而与所述第1下电极接触、并对应于所述第1下电极与所述第1上电极的电位差而发光。所述下部具有与所述第1上电极接触的底层、和配置在所述底层之上的轴层。所述底层由在包含磷酸、硝酸及乙酸的混酸中的蚀刻速率小于所述轴层且具有导电性的材料形成。
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公开(公告)号：CN105977158B
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201610136076.6
申请日：2016-03-10
Applicant: 株式会社日本显示器
Inventor： 河村真一
IPC: H01L21/336
Abstract: 根据一个实施方式，提供半导体装置的制造方法，在基板上形成半导体层，在上述半导体层上形成第1绝缘膜，在上述第1绝缘膜上形成金属层，在上述金属层形成第1部分以及第2部分，以上述第1部分以及上述第2部分为掩模，向上述半导体层注入杂质，将上述第1部分去除，并且使上述第2部分缩小而形成栅极电极，以上述栅极电极为掩模，向上述半导体层注入杂质。
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