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公开(公告)号:CN104011839A
公开(公告)日:2014-08-27
申请号:CN201280062936.6
申请日:2012-12-20
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/31 , C23C16/448 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02271 , C23C16/4485 , F22B1/284 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02326 , H01L21/02337
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置,具有:处理衬底的反应室;气化装置,其具有被供给包含过氧化氢或过氧化氢和水的处理液的气化容器、向所述气化容器供给处理液的处理液供给部和加热所述气化容器的加热部;气体供给部,将由该气化装置生成的处理气体供给到所述反应室;排气部,对所述反应室内的环境气体进行排气;所述控制部,控制所述加热部和所述处理液供给部,以使得在所述加热部加热所述气化容器的同时所述处理液供给部向所述气化容器供给处理液。
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公开(公告)号:CN104011839B
公开(公告)日:2017-02-22
申请号:CN201280062936.6
申请日:2012-12-20
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/31 , C23C16/448 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02271 , C23C16/4485 , F22B1/284 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02326 , H01L21/02337
Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置,具有:处理衬底的反应室;气化装置,其具有被供给包含过氧化氢或过氧化氢和水的处理液的气化容器、向所述气化容器供给处理液的处理液供给部和加热所述气化容器的加热部;气体供给部,将由该气化装置生成的处理气体供给到所述反应室;排气部,对所述反应室内的环境气体进行排气;所述控制部,控制所述加热部和所述处理液供给部,以使得在所述加热部加热所述气化容器的同时所述处理液供给部向所述气化容器供给处理液。
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公开(公告)号:CN103999198A
公开(公告)日:2014-08-20
申请号:CN201280062552.4
申请日:2012-11-01
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/02236 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02343 , H01L21/67017 , H01L21/67115 , H01L21/67207
Abstract: 具有以下工序:将形成有含硅膜的衬底收容于处理室内的工序;从气体供给部向处理室内供给气体而使处理室内成为大气压以上的压力的工序;和从处理液供给部向衬底供给处理液而将含硅膜氧化的氧化工序。
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公开(公告)号:CN104428877B
公开(公告)日:2016-12-07
申请号:CN201380036621.9
申请日:2013-07-26
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/31 , C23C16/46 , H01L21/22 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4401 , C23C16/4409 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02271 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337
Abstract: 抑制在反应管内的处理气体的再液化。具有收容衬底的处理容器、封闭所述处理容器的盖体、向所述衬底供给反应物的供给部、加热所述衬底的第1加热部、加热在所述盖体附近流动的气体状态下的所述反应物的第2加热部以及加热所述盖体的发热体。
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公开(公告)号:CN103999198B
公开(公告)日:2016-08-24
申请号:CN201280062552.4
申请日:2012-11-01
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/316 , H01L21/336 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC classification number: H01L21/02236 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02255 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02343 , H01L21/67017 , H01L21/67115 , H01L21/67207
Abstract: 具有以下工序:将形成有含硅膜的衬底收容于处理室内的工序;从气体供给部向处理室内供给气体而使处理室内成为大气压以上的压力的工序;和从处理液供给部向衬底供给处理液而将含硅膜氧化的氧化工序。
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公开(公告)号:CN104428877A
公开(公告)日:2015-03-18
申请号:CN201380036621.9
申请日:2013-07-26
Applicant: 株式会社日立国际电气
IPC: H01L21/31 , C23C16/46 , H01L21/22 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/46 , C23C16/4401 , C23C16/4409 , C23C16/52 , H01L21/02164 , H01L21/02222 , H01L21/02271 , H01L21/02282 , H01L21/02326 , H01L21/02337
Abstract: 抑制在反应管内的处理气体的再液化。具有收容衬底的处理容器、封闭所述处理容器的盖体、向所述衬底供给反应物的供给部、加热所述衬底的第1加热部、加热在所述盖体附近流动的气体状态下的所述反应物的第2加热部以及加热所述盖体的发热体。
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