公开(公告)号：CN104520975B

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201380040677.1

申请日：2013-07-26

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 立野秀人 ,  和田优一 ,  芦原洋司 ,  山崎惠信 ,  牛田卓朗 ,  中村岩 ,  泉学

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/46 ,  H01L21/22 ,  H01L21/316

CPC classification number: C23C16/402 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67248

Abstract: 抑制处理容器内的处理气体的液化。具有：收纳衬底的处理容器；向所述衬底供给处理气体的气体供给部；封闭所述处理容器的盖体；设置在所述盖体上的热导体；和加热所述热导体的热导体加热部。

公开(公告)号：CN104011839B

公开(公告)日：2017-02-22

申请号：CN201280062936.6

申请日：2012-12-20

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 芦原洋司 ,  佐久间春信 ,  立野秀人 ,  和田优一

IPC: H01L21/31 ,  C23C16/448 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/4485 ,  F22B1/284 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02337

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，具有：处理衬底的反应室；气化装置，其具有被供给包含过氧化氢或过氧化氢和水的处理液的气化容器、向所述气化容器供给处理液的处理液供给部和加热所述气化容器的加热部；气体供给部，将由该气化装置生成的处理气体供给到所述反应室；排气部，对所述反应室内的环境气体进行排气；所述控制部，控制所述加热部和所述处理液供给部，以使得在所述加热部加热所述气化容器的同时所述处理液供给部向所述气化容器供给处理液。

公开(公告)号：CN103999198A

公开(公告)日：2014-08-20

申请号：CN201280062552.4

申请日：2012-11-01

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 芦原洋司 ,  天野富大 ,  桧山真 ,  佐久间春信 ,  和田优一 ,  立野秀人

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L21/02236 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02326 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67207

Abstract: 具有以下工序：将形成有含硅膜的衬底收容于处理室内的工序；从气体供给部向处理室内供给气体而使处理室内成为大气压以上的压力的工序；和从处理液供给部向衬底供给处理液而将含硅膜氧化的氧化工序。

公开(公告)号：CN104821283B

公开(公告)日：2018-03-09

申请号：CN201410092298.3

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 野内英博 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  高崎唯史

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/76843

Abstract: 一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法，该衬底处理装置具有：对衬底进行处理的处理室；设在处理室的上方，具有对处理室均匀地供给气体的分散板的缓冲室；设在缓冲室的作为顶棚部构造而构成的顶板上，对于气体供给方向在上游侧连接有处理气体供给部的处理气体供给孔；设在顶板上，对于气体供给方向在上游侧连接有惰性气体供给部的惰性气体供给孔；周状的基端部，以处理气体供给孔位于内周侧而惰性气体供给孔位于外周侧的方式与顶板的下游侧的面连接；气体引导件，具有基端部，并配置于分散板的上方；处理室排气部，将处理室的环境气体排气，并设在处理室的下方；至少对处理气体供给部、惰性气体供给部、处理室排气部进行控制的控制部。

公开(公告)号：CN104821267B

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201410091655.4

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  高崎唯史 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  赤江尚德 ,  野内英博

IPC: H01J37/32 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02263 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/4557 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/32577

Abstract: 为解决在使用喷头的装置中也能维持高运转效率的课题，本发明提供一种衬底处理装置，具有：第一气体供给系统，具有与原料气体源连接并设有原料气体供给控制部的原料气体供给管；第二气体供给系统，具有与反应气体源连接并设有反应气体供给控制部的反应气体供给管；第三气体供给系统，具有与清洁气体源连接并设有清洁气体供给控制部的反应气体供给管；喷头部，具有与第一、第二、第三气体供给系统连接的缓冲室；处理室，设于喷头下方内有载置衬底的衬底载置部；等离子体生成区域切换部，对在缓冲室和处理室生成等离子体切换；等离子体生成部，具有等离子体生成区域切换部和电源；控制部，至少控制原料气体供给部、反应气体供给控制部和等离子体生成部。

公开(公告)号：CN106960806A

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201610158951.0

申请日：2016-03-18

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 芦原洋司

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/4412 ,  B25J11/0095 ,  C23C16/345 ,  C23C16/45542 ,  H01J37/32522 ,  H01J37/32743 ,  H01J37/32788 ,  H01J37/32834 ,  H01J37/32899 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67155

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置以及半导体器件的制造方法。本发明提供能够在具有多个腔室的装置中实现高温处理的技术。包括：腔室，在其内侧对衬底进行处理；气体供给部，其向腔室交替地供给第一气体和第二气体；第一排气配管，其对第一气体和第二气体进行排气；加热器，其设于第一排气配管，将上述第一排气配管加热到比第一气体在蒸气压下成为气体的温度高的温度；处理模块，其相邻地设有多个腔室；电子设备系统，其以与收纳第一排气配管的一部分的气体箱相邻的方式配置，按每个腔室设置；和热量降低构造，其以将设于相邻的腔室的多个第一排气配管包围的方式设置，降低从加热器对电子设备系统的热影响。

公开(公告)号：CN104821283A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201410092298.3

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 野内英博 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  高崎唯史

IPC: H01L21/67

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/34 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45523 ,  C23C16/45536 ,  C23C16/45561 ,  C23C16/45587 ,  C23C16/45591 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/28562 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/76843

Abstract: 一种衬底处理装置及半导体装置的制造方法，该衬底处理装置具有：对衬底进行处理的处理室；设在处理室的上方，具有对处理室均匀地供给气体的分散板的缓冲室；设在缓冲室的作为顶棚部构造而构成的顶板上，对于气体供给方向在上游侧连接有处理气体供给部的处理气体供给孔；设在顶板上，对于气体供给方向在上游侧连接有惰性气体供给部的惰性气体供给孔；周状的基端部，以处理气体供给孔位于内周侧而惰性气体供给孔位于外周侧的方式与顶板的下游侧的面连接；气体引导件，具有基端部，并配置于分散板的上方；处理室排气部，将处理室的环境气体排气，并设在处理室的下方；至少对处理气体供给部、惰性气体供给部、处理室排气部进行控制的控制部。

公开(公告)号：CN105304525B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201510401574.4

申请日：2015-07-09

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 丰田一行 ,  芦原洋司 ,  佐野敦 ,  赤江尚德 ,  野内英博

IPC: H01L21/67

CPC classification number: C23C16/45523 ,  C23C16/345 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45519 ,  C23C16/45582 ,  C23C16/4585

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及记录介质。通过本发明，能够提高形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性、以及提高制造生产能力，并抑制颗粒产生。本发明的衬底处理装置具有：处理室，收纳衬底；衬底支承部，支承所述衬底，且外周具有突出部；分隔部，设置在所述处理室内，与所述突出部相接触，分隔所述处理室与输送所述衬底的输送空间；气体供给部，向所述处理室供给处理气体；以及，分隔吹扫气体供给部，向在对所述衬底供给所述处理气体时在所述接触的部位产生的所述突出部与所述分隔部之间的间隙，供给吹扫气体。

公开(公告)号：CN104752273B

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201410092872.5

申请日：2014-03-13

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 芦原洋司 ,  小川有人

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/02271 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02211 ,  H01L21/02219 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/67017

Abstract: 本发明提供一种衬底处理装置，防止设在排气系统中的涡轮分子泵的动作变得不稳定。该衬底处理装置向处理空间供给气体而对衬底进行处理，具有：在上述处理空间的上游侧使上述气体分散的缓冲空间；在将上述衬底向上述处理空间搬运时供上述衬底通过的搬运空间；与上述搬运空间连接的第1排气管；与上述缓冲空间连接的第2排气管；与上述处理空间连接的第3排气管；与上述第1排气管、上述第2排气管及上述第3排气管各自的下游侧连接的第4排气管；设于上述第1排气管的第1真空泵；设于上述第4排气管的第2真空泵；在上述第1排气管中设于上述第1真空泵的下游侧的第1阀；设于上述第2排气管的第2阀；以及设于上述第3排气管的第3阀。

公开(公告)号：CN108630512A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201710766303.8

申请日：2017-08-30

Applicant: 株式会社日立国际电气

Inventor： 岛本聪 ,  芦原洋司 ,  丰田一行 ,  大桥直史

IPC: H01J37/32

CPC classification number: H01L21/67207 ,  C23C16/24 ,  C23C16/50 ,  C23C16/52 ,  H01J37/00 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/67754 ,  H01L21/68764 ,  H01L21/68771 ,  H01L27/11551 ,  H01L27/11578

Abstract: 本发明涉及衬底处理装置、半导体器件的制造方法及存储介质，该技术具有：一频率处理室，设置于处理组件内，并对形成有绝缘膜的衬底进行处理；二频率处理室，在处理组件内与一频率处理室相邻，并对经一频率处理室处理后的衬底进行处理；气体供给部，将至少包含硅和杂质的含硅气体分别供给至一频率处理室和二频率处理室；等离子体生成部，分别连接于一频率处理室和二频率处理室；离子控制部，连接于二频率处理室；衬底搬送部，设置于处理组件内，并在一频率处理室与二频率处理室之间搬送衬底；和控制部，至少对气体供给部、等离子体生成部、离子控制部和衬底搬送部进行控制。