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    等离子处理装置以及晶片处理方法
    1.
    发明公开
    等离子处理装置以及晶片处理方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN113287190A

    公开(公告)日：2021-08-20

    申请号：CN201980015454.7

    申请日：2019-12-20

    申请人： 株式会社日立高新技术

    发明人： 小林浩之 ,  关口笃史 ,  臼井建人 ,  江藤宗一郎 ,  中元茂 ,  篠田和典 ,  三好信哉

    IPC分类号： H01L21/3065

    摘要： 提供使处理的成品率提升的等离子处理装置以及晶片处理方法。晶片处理方法具备如下工序：对载置在配置于处理室内的样品台的上表面的处理对象的晶片照射光或电磁波，来加热预先形成于该晶片上表面的膜层的上表面的该膜层的化合物层，从而将其去除，在所述晶片处理方法中，在所述工序中，接受由所述晶片的上表面反射的所述光或所述电磁波，对于表示该光或该电磁波的以波长为参数的强度的时间变化的信号，使用在所述样品台的所述上表面的外周侧的部位接受所述光或所述电磁波而检测到的该光或该电磁波的强度的信息进行补正，从而判定所述膜层的剩余膜厚或所述工序的终点。

    等离子处理装置以及等离子处理方法
    3.
    发明授权
    等离子处理装置以及等离子处理方法 有权

    公开(公告)号：CN104078375B

    公开(公告)日：2016-12-28

    申请号：CN201310363078.5

    申请日：2013-08-20

    申请人： 株式会社日立高新技术

    发明人： 中元茂 ,  臼井建人 ,  井上智己 ,  广田侯然 ,  福地功祐

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01J37/32

    CPC分类号： H01L22/12 ,  G01B11/0616 ,  G01B11/0683 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/32972 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 提供一种在蚀刻处理中精密地检测处理对象的膜的剩余厚度的等离子处理装置或者方法。检测在处理中从上述晶片表面得到的多个波长的干涉光的强度，从在上述处理中的任意时刻检测到的上述多个波长的干涉光的强度检测它们的时间微分的时间系列数据，使用与上述多个波长有关的上述时间序列数据检测将波长作为参数的实微分波形图案数据，使用比较了该实微分波形图案数据、和使用在上述晶片的处理之前预先具有2种不同的基底膜的厚度的膜构造的上述处理对象的膜的剩余厚度和将上述干涉光的波长作为参数的基本微分波形图案数据而制成的检测用微分波形图案数据所得的结果，计算上述任意的时刻的剩余膜厚度，使用该剩余膜厚度判定达到上述处理的目标。

    等离子处理装置以及等离子处理方法
    5.
    发明公开
    等离子处理装置以及等离子处理方法 审中-实审

    公开(公告)号：CN114981932A

    公开(公告)日：2022-08-30

    申请号：CN202080054480.3

    申请日：2020-12-16

    申请人： 株式会社日立高新技术

    发明人： 松井都 ,  臼井建人 ,  桑原谦一

    IPC分类号： H01L21/3065

    摘要： 本发明所涉及的等离子处理装置具备：对样品进行等离子处理的处理室；供给用于生成等离子的高频电力的高频电源；和载置样品的样品台。等离子处理装置进一步具备控制装置，其使用通过对样品照射紫外线而从样品反射的干涉光，来测量在样品的所期望的材料上选择性地形成的保护膜的厚度，或者使用通过对样品照射紫外线而从样品反射的干涉光，来判断保护膜的选择性。

    等离子体处理装置以及等离子体处理方法
    6.
    发明授权
    等离子体处理装置以及等离子体处理方法 有权

    公开(公告)号：CN103811249B

    公开(公告)日：2016-09-07

    申请号：CN201310045137.4

    申请日：2013-02-05

    申请人： 株式会社日立高新技术

    发明人： 安藤阳二 ,  小野哲郎 ,  臼井建人

    IPC分类号： H01J37/244 ,  H01J37/32

    CPC分类号： H01J37/3299 ,  H01J37/32146 ,  H01J37/32266 ,  H01J37/32972

    摘要： 本发明提供一种具备高灵敏度化了的等离子体发光检测单元的等离子体处理装置以及使用了高灵敏度化了的等离子体发光检测单元的等离子体处理方法。本发明提供一种等离子体处理装置，具备：处理室，进行等离子体处理；气体供给单元，对所述处理室供给工艺气体；高频电源，供给用于对供给到所述处理室内的工艺气体进行等离子体化的高频电力；以及光检测器，检测在所述处理室内生成的等离子体的发光，所述离子体处理装置的特征在于：所述光检测器具备：检测部，在规定的曝光时间的期间，检测通过脉冲调制了的高频电力生成的等离子体的发光；以及控制部，进行控制以使在各所述曝光时间内检测的所述等离子体的发光的量成为恒定。

    等离子处理装置以及等离子处理方法
    8.
    发明公开
    等离子处理装置以及等离子处理方法 有权

    公开(公告)号：CN104078375A

    公开(公告)日：2014-10-01

    申请号：CN201310363078.5

    申请日：2013-08-20

    申请人： 株式会社日立高新技术

    发明人： 中元茂 ,  臼井建人 ,  井上智己 ,  广田侯然 ,  福地功祐

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01J37/32

    CPC分类号： H01L22/12 ,  G01B11/0616 ,  G01B11/0683 ,  H01J37/32963 ,  H01J37/32972 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： 提供一种在蚀刻处理中精密地检测处理对象的膜的剩余厚度的等离子处理装置或者方法。检测在处理中从上述晶片表面得到的多个波长的干涉光的强度，从在上述处理中的任意时刻检测到的上述多个波长的干涉光的强度检测它们的时间微分的时间系列数据，使用与上述多个波长有关的上述时间序列数据检测将波长作为参数的实微分波形图案数据，使用比较了该实微分波形图案数据、和使用在上述晶片的处理之前预先具有2种不同的基底膜的厚度的膜构造的上述处理对象的膜的剩余厚度和将上述干涉光的波长作为参数的基本微分波形图案数据而制成的检测用微分波形图案数据所得的结果，计算上述任意的时刻的剩余膜厚度，使用该剩余膜厚度判定达到上述处理的目标。

    等离子处理装置以及晶片处理方法
    9.
    发明授权
    等离子处理装置以及晶片处理方法 有权

    公开(公告)号：CN113287190B

    公开(公告)日：2023-12-22

    申请号：CN201980015454.7

    申请日：2019-12-20

    申请人： 株式会社日立高新技术

    发明人： 小林浩之 ,  关口笃史 ,  臼井建人 ,  江藤宗一郎 ,  中元茂 ,  篠田和典 ,  三好信哉

    IPC分类号： H01L21/3065

    摘要： 提供使处理的成品率提升的等离子处理装置以及晶片处理方法。晶片处理方法具备如下工序：对载置在配置于处理室内的样品台的上表面的处理对象的晶片照射光或电磁波，来加热预先形成于该晶片上表面的膜层的上表面的该膜层的化合物层，从而将其去除，在所述晶片处理方法中，在所述工序中，接受由所述晶片的上表面反射的所述光或所述电磁波，对于表示该光或该电磁波的以波长为参数的强度的时间变化的信号，使用在所述样品台的所述上表面的外周侧的部位接受所述光或所述电磁波而检测到的该光或该电磁波的强度的信息进行补正，从而判定所

    等离子处理方法以及等离子处理装置
    10.
    发明授权
    等离子处理方法以及等离子处理装置 有权

    公开(公告)号：CN110326089B

    公开(公告)日：2023-07-04

    申请号：CN201880002792.2

    申请日：2018-01-31

    申请人： 株式会社日立高新技术

    发明人： 松井都 ,  臼井建人 ,  伊泽胜 ,  桑原谦一

    IPC分类号： H01L21/3065

    摘要： 在重复进行沉积工序和蚀刻工序的循环蚀刻中，高精度地控制图案上的沉积膜厚来长时间稳定地蚀刻成所期望的形状。具备：沉积工序(S1)，将具有堆积性的反应性气体导入处理室，在被蚀刻基板的被蚀刻图案的表面形成堆积层；蚀刻工序(S2)，将堆积层与被蚀刻图案表面的反应生成物除去；和工序(S3)，在交替实施两个工序来加工微细图案的循环蚀刻的、形成堆积层的沉积工序时，将光照射到被蚀刻图案，根据由被蚀刻图案反射的特定波长的干涉光的变化来监视堆积层的膜厚的变化量，决定形成循环蚀刻的下一次循环以后的堆积层的工序的处理条件，以使得根据监视到的堆积层的膜厚的变化量算出的沉积膜厚的指标与参考数据比较收入给定的范围内。