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公开(公告)号：CN111917386B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN202010384836.1
申请日：2020-05-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 长谷昌俊
Abstract: 本发明提供一种能够进行低电源电位下的动作的功率放大电路以及偏置控制电路。包含：多个功率放大器，被进行多级连接，将高频输入信号进行放大并输出放大后的高频输出信号；多个偏置电路，对多个功率放大器分别输出偏置电流；以及偏置控制电路，基于作为多个偏置电路中的一个偏置电路内的部位的电位并根据高频输出信号的功率而变化的第2参照电位，将用于使比一个偏置电路靠前级的一个或多个偏置电路所输出的偏置电流增加的偏置控制电流输出到比一个偏置电路靠前级的一个或多个偏置电路。
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公开(公告)号：CN109546980B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201810984383.9
申请日：2018-08-27
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种功率放大电路，能够在输出功率的宽范围内得到适宜的效率。为此，功率放大电路包含：放大器，其被输入交流的输入信号，并将使输入信号的功率放大后的输出信号输出到第一节点；电感性元件，其连接在第一节点与第二节点之间；和可变电容，其连接在第二节点与基准电位之间，静电电容随着输出信号的功率变大而变大。
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公开(公告)号：CN114598280A
公开(公告)日：2022-06-07
申请号：CN202111478944.6
申请日：2021-12-02
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种输出匹配电路和功率放大电路，其目的在于，在功率放大电路中想要通过的频带中抑制损耗，并确保想要衰减的频率下的衰减量。具备：变换器，与功率放大元件的输出端电连接，通过磁耦合从所述输出端的阻抗变换为比所述输出端的阻抗高的阻抗；和第1滤波器电路，电连接在所述功率放大元件的输出端与所述变换器之间，在与给定的发送频带不同的频带短路。
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公开(公告)号：CN111615788A
公开(公告)日：2020-09-01
申请号：CN201980008602.2
申请日：2019-01-21
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 长谷昌俊
Abstract: 本发明提供一种能够在增大输出功率的同时抑制交调失真的影响的功率放大电路。功率放大电路具备：分配器，对输入信号进行分配并输出到主路径和副路径；失真补偿电路，设置在副路径；合成器，对经由了主路径的输入信号的基波和经由了副路径的输入信号的二倍波进行合成；以及第1放大器，对从合成器输出的合成信号进行放大并输出放大信号，失真补偿电路包含：生成电路，生成输入信号的二倍波；滤波器电路，使基波衰减，并使二倍波通过；以及相位调整电路，对二倍波的相位进行调整。
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公开(公告)号：CN106357226B
公开(公告)日：2019-07-05
申请号：CN201610403198.7
申请日：2016-06-08
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 长谷昌俊
CPC classification number: H03F1/302 , H01L23/66 , H01L29/0804 , H01L29/737 , H03F3/19 , H03F3/191 , H03F3/195 , H03F3/24 , H03F3/245 , H03F2200/18 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2200/555 , H03G3/3042 , H04B2001/0408 , H04W88/02
Abstract: 本发明提供一种能抑制温度变化引起的增益变动并能抑制电路规模增大的功率放大模块，其包括：第一双极晶体管，基极被输入无线电频率信号，从集电极输出放大信号；第二双极晶体管，与第一双极晶体管热耦合，基极被输入无线电频率信号，并且模拟第一双极晶体管的动作；第三双极晶体管，集电极被提供电源电压，基极被提供第一控制电压，从发射极向第一及第二双极晶体管的基极输出第一偏置电流；第一电阻器，第一端子被提供第二控制电压，第二端子与第二双极晶体管的集电极连接，在第二端子生成第三控制电压；以及第四双极晶体管，集电极被提供电源电压，基极被提供第三控制电压，从发射极向第一及第二双极晶体管的基极输出第二偏置电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106100594B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610240309.7
申请日：2016-04-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 长谷昌俊
IPC: H03F1/32
Abstract: 本发明能抑制功率放大模块的增益的线形性劣化。包括：基极被输入第一信号且从集电极输出将第一信号放大后的第二信号的第一放大晶体管；第一电阻；及经由第一电阻将第一偏置电流提供给第一放大晶体管的基极的第一偏置电路。第一偏置电路包含：基极与集电极连接且在集电极被提供偏置控制电流的第一双极晶体管；基极与集电极连接且集电极与第一双极晶体管的发射极连接的第二双极晶体管；基极与第一双极晶体管的基极连接且发射极与第一电阻的一端连接并且从发射极输出第一偏置电流的第三双极晶体管；集电极与第三双极晶体管的发射极连接且基极与第二双极晶体管的基极连接的第四双极晶体管；及设置在第三双极晶体管的基极‑发射极之间的第一电容器。
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公开(公告)号：CN108336971A
公开(公告)日：2018-07-27
申请号：CN201810028587.5
申请日：2018-01-11
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 长谷昌俊
CPC classification number: H03F1/32 , H03F1/0205 , H03F3/195 , H03F3/213 , H03F2200/267 , H03F2200/387 , H03F2200/451 , H03F2201/3215
Abstract: 提供一种功率放大模块，实现高输出功率及高线性。功率放大模块具备分配输入信号的分配电路、第一放大器、第二放大器、在合成部输出输入信号的放大信号的合成电路、连接第一放大器和第二放大器间的电阻元件及与电阻元件并联的第一电容器，合成电路具备串联在第一放大器的输出端子和合成部间的第一电感器、串联在第二放大器的输出端子和合成部间的第二电感器及一端与合成部连接且另一端被接地的第二电容器，从第一放大器的输出端子经由合成部到达第二放大器的第三信号的相位在第一电感器及第二电容器滞后大致45度，在第二电感器及第二电容器滞后大致45度，从第一放大器的输出端子经由第一电容器到达第二放大器的第三信号的相位超前大致90度。
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公开(公告)号：CN106100594A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610240309.7
申请日：2016-04-18
Applicant: 株式会社村田制作所
Inventor： 长谷昌俊
IPC: H03F1/32
CPC classification number: H04B1/04 , H03F1/0261 , H03F1/56 , H03F3/19 , H03F3/191 , H03F3/21 , H03F3/245 , H03F2200/18 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/336 , H03F2200/387 , H03F2200/411 , H03F2200/451 , H03F2200/555 , H04B2001/0416 , H03F1/3223
Abstract: 本发明能抑制功率放大模块的增益的线形性劣化。包括：基极被输入第一信号且从集电极输出将第一信号放大后的第二信号的第一放大晶体管；第一电阻；及经由第一电阻将第一偏置电流提供给第一放大晶体管的基极的第一偏置电路。第一偏置电路包含：基极与集电极连接且在集电极被提供偏置控制电流的第一双极晶体管；基极与集电极连接且集电极与第一双极晶体管的发射极连接的第二双极晶体管；基极与第一双极晶体管的基极连接且发射极与第一电阻的一端连接并且从发射极输出第一偏置电流的第三双极晶体管；集电极与第三双极晶体管的发射极连接且基极与第二双极晶体管的基极连接的第四双极晶体管；及设置在第三双极晶体管的基极‑发射极之间的第一电容器。
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公开(公告)号：CN111541424B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202010056911.1
申请日：2020-01-17
Applicant: 株式会社村田制作所
Abstract: 本发明提供一种能够抑制基板的基准电位的变动的功率放大电路。功率放大电路(10)具备基板(301)和设置在基板的半导体芯片(201)，半导体芯片具有：功率放大部(211)，对RF信号进行放大；接地端子(231a)，连接功率放大部(211)的接地；以及电路元件(411)，一端不经由半导体芯片的外部而与接地端子电连接。基板具有：电路元件(412)，一端与功率放大部的输出电连接，另一端与电路元件(411)的另一端电连接。电路元件(411)以及电路元件(412)构成高次谐波终止电路(410)，高次谐波终止电路使作为来自功率放大部的放大信号的RF信号(RF2)的高次谐波分量(RF3)向功率放大部反射。
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