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公开(公告)号：CN109689927A
公开(公告)日：2019-04-26
申请号：CN201880002619.2
申请日：2018-04-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/58 , C23C14/14 , H01M4/1395
Abstract: 本发明的一形态的成膜装置具有成膜部、第一处理部、第二处理部以及真空室。上述成膜部包含使锂金属蒸发的蒸发源，并在基材上形成锂金属膜。上述第一处理部包含用于将上述锂金属膜的表面羟基化的第一处理室。上述第二处理部包含用于将羟基化后的所述表面碳酸化的第二处理室。上述真空室容纳上述成膜部、上述第一处理部以及上述第二处理部。
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公开(公告)号：CN109689927B
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN201880002619.2
申请日：2018-04-13
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/58 , C23C14/14 , H01M4/1395
Abstract: 本发明的一形态的成膜装置具有成膜部、第一处理部、第二处理部以及真空室。上述成膜部包含使锂金属蒸发的蒸发源，并在基材上形成锂金属膜。上述第一处理部包含用于将上述锂金属膜的表面羟基化的第一处理室。上述第二处理部包含用于将羟基化后的所述表面碳酸化的第二处理室。上述真空室容纳上述成膜部、上述第一处理部以及上述第二处理部。
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公开(公告)号：CN107614738B
公开(公告)日：2019-10-18
申请号：CN201680030646.1
申请日：2016-05-27
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明形成具有期望的光学特性的光学薄膜。在使真空气氛中含有氧气，加热金属材料以使得放出蒸气，在被处理对象基材10上形成光学薄膜11时，根据预先求得的光学薄膜11的光学特性和氧气的流量、氧的分压值的关系，求用于获得期望的光学特性的流量值或分压值和膜厚值，按照求得的流量值或分压值来形成求得的膜厚值的光学薄膜11。如果在利用等离子体处理被蒸镀基材10的表面之后，形成光学薄膜11，那么能够在不使阻值降低的情况下，形成光密度的值大的光学薄膜11。
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公开(公告)号：CN107614738A
公开(公告)日：2018-01-19
申请号：CN201680030646.1
申请日：2016-05-27
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明形成具有期望的光学特性的光学薄膜。在使真空气氛中含有氧气，加热金属材料以使得放出蒸气，在被处理对象基材10上形成光学薄膜11时，根据预先求得的光学薄膜11的光学特性和氧气的流量、氧的分压值的关系，求用于获得期望的光学特性的流量值或分压值和膜厚值，按照求得的流量值或分压值来形成求得的膜厚值的光学薄膜11。如果在利用等离子体处理被蒸镀基材10的表面之后，形成光学薄膜11，那么能够在不使阻值降低的情况下，形成光密度的值大的光学薄膜11。
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公开(公告)号：CN109729718A
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CN201880002608.4
申请日：2018-04-25
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的一形态的成膜装置具有展开辊、卷取辊、加热辊、成膜部以及控制部。展开辊用于展开作为长条的膜的基材。卷取辊用于卷绕从展开辊展开的基材。加热辊包含温度调节单元，并在基材的输送方向上设置于展开辊与卷取辊之间，用于加热基材。成膜部包含蒸发源，并将金属膜成膜在基材上，该蒸发源与加热辊对置而设置，且具有用于加热金属材料的加热机构。控制部在基材从加热辊展开并卷绕到卷取辊的过程中，控制温度调节单元或加热机构中的至少一者，以使金属膜与基材之间的温度差为0℃以上且不足180℃。
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公开(公告)号：CN101098981B
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200680001884.6
申请日：2006-05-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/505 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3277 , B08B7/00 , C23C16/4405 , C23C16/46 , C23C16/5096 , C23C16/545 , H01J37/32009
Abstract: 本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置，能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化，在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向，在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34)，将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间，使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样，可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置，使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭，防止自清洗气体漏出，可进行成膜过程中的自清洗。
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公开(公告)号：CN101098981A
公开(公告)日：2008-01-02
申请号：CN200680001884.6
申请日：2006-05-10
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C16/505 , C23C16/44 , H01L21/205
CPC classification number: H01J37/3277 , B08B7/00 , C23C16/4405 , C23C16/46 , C23C16/5096 , C23C16/545 , H01J37/32009
Abstract: 本发明提供一种卷绕式等离子CVD装置，能将反应气体均匀地供给到薄膜的成膜区域、实现膜质的均匀化，在薄膜的成膜过程中也能进行成膜部的自清洗。相对于薄膜的移动方向，在成膜部(25)的上游侧和下游侧配置一对可动辊(33、34)，将薄膜(22)支承在该一对可动辊(33、34)之间，使薄膜(22)在成膜位置大致直线地移动。这样，可将喷淋板(37)与薄膜(22)之间的相向距离保持为一定、实现膜质的均匀化。薄膜(22)被在其背面侧同时移动的金属带(40)加热。可动辊(33、34)能从成膜位置上升到自清洗位置，使薄膜(22)远离喷淋板(37)。用闸门(65)将罩(51)的开口部封闭，防止自清洗气体漏出，可进行成膜过程中的自清洗。
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