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公开(公告)号：CN107408504B
公开(公告)日：2021-01-01
申请号：CN201680001052.8
申请日：2016-02-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , C23C14/00 , C23C14/58 , H01L21/285 , H01L21/768 , H05H1/24 , H05H1/46
Abstract: 提供一种可通过防止负电荷在蚀刻处理时在基板边缘部集中而在高纵横比的孔内面良好涂覆地形成薄膜的成膜装置。一种成膜装置(SM)，具有：配置了靶(21)的真空室(1)；在真空室内保持基板(W)的台架(4)；向靶施加规定电力的第一电源(E1)；以及向台架施加交流电力的第二电源(E2)；进行通过第一电源向靶施加电力对靶进行溅射的成膜处理；以及通过第二电源向台架施加交流电力并蚀刻在基板上形成的薄膜的蚀刻处理，基板的周围配置防护板(7c)，以台架上保持的基板的成膜面侧为上，具有在防护板上邻近基板的部分(71)与基板上面位于同一平面上的成膜位置和防护板的该部分位于基板上面的上方的蚀刻位置之间上下移动屏蔽件的驱动装置(8)。
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公开(公告)号：CN108779548B
公开(公告)日：2020-09-08
申请号：CN201780014668.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的成膜装置具备：收容靶的腔室；工作台，配设为与所述靶的一面隔开规定的间隔面对并且载置被成膜物；和包围所述工作台的周边的压板环，具有与所述靶相对的相对面和形成于所述相对面上的槽。载置在所述工作台上的所述被成膜物的周边以位于所述工作台的周边的外侧的方式从所述工作台的所述周边伸出，所述槽配置在与所述被成膜物的周边对应的位置上，所述槽以所述靶与所述槽之间的第二距离大于所述靶与所述被成膜物之间的第一距离的方式环绕设置于所述压板环上，所述槽具有防背面附膜曲面，所述防背面附膜曲面防止从所述靶发射的成膜粒子堆积在所述被成膜物的背面上。
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公开(公告)号：CN117587368A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310913378.X
申请日：2023-07-25
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明提供一种适于通过溅射法形成结晶缺陷少、结晶取向性良好的六方晶系结晶膜的溅射装置。具备配置有靶(31)的真空室(1)，具备运输单元(7)，其以在所述真空室内通过面对所述溅射面(31a)的Z轴方向上方的空间的方式沿X轴方向运输基板(Sg)。在所述靶的X轴方向前后，分别竖立设置沿Z轴方向延伸的限制板(6a，6b)，其具有与该靶的Y轴方向长度是相等以上的宽度，与成膜面(Sg1)所成角度为规定值以下倾斜入射的溅射粒子向基板的附着被限制板限制。
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公开(公告)号：CN103620746A
公开(公告)日：2014-03-05
申请号：CN201280028713.8
申请日：2012-09-20
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/58 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/76882 , C23C14/024 , C23C14/046 , C23C14/14 , C23C14/16 , C23C14/34 , H01L21/2855 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76871 , H01L21/76879 , H01L23/53238 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法，具备：槽部形成工序，在基体形成槽部；阻挡层形成工序，形成至少覆盖所述槽部的内壁面的阻挡层；种子层形成工序，形成覆盖所述阻挡层的种子层；以及种子层熔化工序，通过回流法使所述种子层熔化，所述种子层由Cu构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108474107B
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN201780005953.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C23C14/06 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明的内部应力控制膜的形成方法，通过溅射法在被处理体的一面形成内部应力控制膜，形成所述内部应力控制膜时的工艺气体的压力从比5Pa的阈值高的压力区域中选择，并且，形成对所述被处理体施加偏压时的被处理体的应力与不施加偏压时的应力相比为在拉伸侧大的应力，具有高的密度的内部应力控制膜。
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公开(公告)号：CN108779548A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780014668.3
申请日：2017-07-05
Applicant: 株式会社爱发科
Abstract: 本发明的成膜装置具备：收容靶的腔室；工作台，配设为与所述靶的一面隔开规定的间隔面对并且载置被成膜物；和包围所述工作台的周边的压板环，具有与所述靶相对的相对面和形成于所述相对面上的槽。载置在所述工作台上的所述被成膜物的周边以位于所述工作台的周边的外侧的方式从所述工作台的所述周边伸出，所述槽配置在与所述被成膜物的周边对应的位置上，所述槽以所述靶与所述槽之间的第二距离大于所述靶与所述被成膜物之间的第一距离的方式环绕设置于所述压板环上，所述槽具有防背面附膜曲面，所述防背面附膜曲面防止从所述靶发射的成膜粒子堆积在所述被成膜物的背面上。
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公开(公告)号：CN108474107A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201780005953.9
申请日：2017-01-25
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: C23C14/34 , C23C14/06 , H01L21/28 , H01L21/285 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522
Abstract: 本发明的内部应力控制膜的形成方法，通过溅射法在被处理体的一面形成内部应力控制膜，形成所述内部应力控制膜时的工艺气体的压力从比5Pa的阈值高的压力区域中选择，并且，形成对所述被处理体施加偏压时的被处理体的应力与不施加偏压时的应力相比为在拉伸侧大的应力，具有高的密度的内部应力控制膜。
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公开(公告)号：CN117642848A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202280047411.9
申请日：2022-09-26
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/683 , H01L21/31 , C23C14/50
Abstract: 本发明提供一种带有台架的真空处理装置，在所述台架上被处理基板能够不发生位置偏移地错开其相位。所述真空处理装置具备设置有被处理基板(Sw)的台架(4)；还具备升降旋转机构(Rm)，其将台架上的被处理基板从台架上表面抬起到规定高度位置，可在这个抬起位置处使被处理基板绕其基板中心以规定的旋转角旋转，升降旋转机构具有：组装在台架内上下移动自如及旋转自如的驱动杆(5)；以及基板支撑体(6)，其包括能够与包含基板中心的被处理基板的中央区域抵接的基端板部(61)和从基端板部向其外侧延伸并能与被处理基板的沿径向的部分抵接的至少2个臂板部(62)；基板支撑体平时没入台架内，被处理基板由通过驱动杆的上移而被抬起的基端板部和臂板部支撑。
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公开(公告)号：CN107408504A
公开(公告)日：2017-11-28
申请号：CN201680001052.8
申请日：2016-02-24
Applicant: 株式会社爱发科
IPC: H01L21/3065 , C23C14/00 , C23C14/58 , H01L21/285 , H01L21/768 , H05H1/24 , H05H1/46
Abstract: 提供一种可通过防止负电荷在蚀刻处理时在基板边缘部集中而在高纵横比的孔内面良好涂覆地形成薄膜的成膜装置。一种成膜装置(SM)，具有：配置了靶(21)的真空室(1)；在真空室内保持基板(W)的台架(4)；向靶施加规定电力的第一电源(E1)；以及向台架施加交流电力的第二电源(E2)；进行通过第一电源向靶施加电力对靶进行溅射的成膜处理；以及通过第二电源向台架施加交流电力并蚀刻在基板上形成的薄膜的蚀刻处理，基板的周围配置防护板(7c)，以台架上保持的基板的成膜面侧为上，具有在防护板上邻近基板的部分(71)与基板上面位于同一平面上的成膜位置和防护板的该部分位于基板上面的上方的蚀刻位置之间上下移动屏蔽件的驱动装置(8)。
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