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公开(公告)号：CN113539808B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202110389491.3
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/28 , H01L21/683
Abstract: 氮化镓半导体器件包括：芯片形成衬底(110)，该芯片形成衬底(110)由氮化镓制成，并且具有一个表面(110a)和与该一个表面相反的另一表面(110b)；一个表面侧元件部件(11)，该表面侧元件部件设置在一个表面上并提供半导体元件的一个表面侧的部件；和构成与另一表面接触的背面电极的金属膜(61)。另一个表面具有不规则性，该不规则性由具有梯形横截面的多个凸部和位于该凸部之间的多个凹部提供。多个凸部中每个凸部的梯形横截面的上底表面与所述一个表面相反。
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公开(公告)号：CN113539928A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110389492.8
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种半导体芯片，包括：由氮化镓制成的外延膜(3)；以及设置在外延膜中的半导体元件；芯片形成衬底(110)，其包括外延膜并具有第一表面(110a)、与第一表面相反的第二表面(110b)以及连接第一表面和第二表面的侧表面(110c)；和在侧表面上的凹凸。
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公开(公告)号：CN113539928B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202110389492.8
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种半导体芯片，包括：由氮化镓制成的外延膜(3)；以及设置在外延膜中的半导体元件；芯片形成衬底(110)，其包括外延膜并具有第一表面(110a)、与第一表面相反的第二表面(110b)以及连接第一表面和第二表面的侧表面(110c)；和在侧表面上的凹凸。
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公开(公告)号：CN113539927A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110389082.3
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/683
Abstract: 一种用于制造氮化镓半导体器件的方法，包括：制备氮化镓晶片(1)；在氮化镓晶片上形成外延生长膜(3)，以提供具有芯片形成区域(RA)的已处理晶片(10)；在已处理晶片的一个表面侧上执行表面侧处理；去除氮化镓晶片，并将已处理晶片分开成芯片形成晶片(30)和回收晶片(40)；在芯片形成晶片的另一表面侧形成另一表面侧元件部件(60)。
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公开(公告)号：CN113539808A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110389491.3
申请日：2021-04-12
Applicant: 株式会社电装 , 浜松光子学株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/28 , H01L21/683
Abstract: 氮化镓半导体器件包括：芯片形成衬底(110)，该芯片形成衬底(110)由氮化镓制成，并且具有一个表面(110a)和与该一个表面相反的另一表面(110b)；一个表面侧元件部件(11)，该表面侧元件部件设置在一个表面上并提供半导体元件的一个表面侧的部件；和构成与另一表面接触的背面电极的金属膜(61)。另一个表面具有不规则性，该不规则性由具有梯形横截面的多个凸部和位于该凸部之间的多个凹部提供。多个凸部中每个凸部的梯形横截面的上底表面与所述一个表面相反。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108026661B
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201680049110.4
申请日：2016-08-25
Applicant: 株式会社电装
IPC: H01L21/205 , C30B29/36 , C23C14/06 , C23C16/42
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN108026661A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680049110.4
申请日：2016-08-25
Applicant: 株式会社电装
IPC: C30B29/36 , C23C14/06 , C23C16/42 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种碳化硅单晶，其中，存在位错线(21)贯通c面、同时巴尔格矢量(bv)至少具有c轴方向的成分的贯通位错(20)。贯通位错中，巴尔格矢量与位错线的朝向所形成的角度(θ1)大于0°且在40°以内的贯通位错的密度为300个/cm2以下，角度大于40°的贯通位错的密度为30个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN117352382A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310789900.8
申请日：2023-06-30
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构
IPC: H01L21/304 , H01L21/268
Abstract: 半导体装置具备氮化镓基板以及设在上述氮化镓基板的表面的图案膜。上述氮化镓基板的沿着上述表面的第1方向的杨氏模量大于沿着上述表面且与上述第1方向正交的第2方向的杨氏模量。上述氮化镓基板的上述第1方向的尺寸除以上述氮化镓基板的上述第2方向的尺寸而得到的第1比率R1、和上述图案膜的上述第1方向的尺寸除以上述图案膜的上述第2方向的尺寸而得到的第2比率R2满足R1
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公开(公告)号：CN116895522A
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202310350521.9
申请日：2023-04-04
Applicant: 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 国立大学法人东海国立大学机构 , 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/268 , H01L21/304 , H01L21/28 , H01L21/428 , H01L21/44 , H01L21/463
Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括：在化合物半导体衬底(12)的第一表面(12a)中沿着多个器件区域(40)之间的界面形成排气凹部(14)，化合物半导体衬底包括与第一表面(12a)相邻的多个器件区域(40)；通过施加激光束(112)，在化合物半导体衬底内部形成改变层(16)以沿着第一表面在对应于排气凹部的深度范围的深度处延伸；在改变层处将化合物半导体衬底分割成包括第一表面(12a)的第一部分(61)和包括化合物半导体衬底的与第一表面(12a)相反的第二表面(12b)的第二部分(62)；以及形成金属膜(71、81、91)以覆盖第一部分的分割面(61a)，同时露出排气凹部。
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公开(公告)号：CN105074059B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201480009593.6
申请日：2014-01-13
Applicant: 株式会社电装
IPC: C30B29/36
CPC classification number: C30B29/36 , C01B32/956 , C30B23/00 , C30B23/025
Abstract: 本发明涉及一种包含螺旋位错(2)的碳化硅单晶，将所述螺旋位错中柏氏矢量b满足b＞＜0001＞+1/3＜11‑20＞的位错设定为L位错(2a)。所述L位错由于畸变较大，可能导致漏电流的发生，因而将碳化硅单晶中的所述L位错密度设定为300个/cm2以下，优选设定为100个/cm2以下，由此能够制成对可以抑制漏电流的器件的制作合适的高品质的碳化硅单晶。
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