公开(公告)号：CN117352382A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310789900.8

申请日：2023-06-30

Applicant: 株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社 ,  未来瞻科技株式会社 ,  国立大学法人东海国立大学机构

Inventor： 长谷川圣也 ,  牛岛隆志 ,  石田崇 ,  恩田正一 ,  笹冈千秋 ,  小岛淳

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/268

Abstract: 半导体装置具备氮化镓基板以及设在上述氮化镓基板的表面的图案膜。上述氮化镓基板的沿着上述表面的第1方向的杨氏模量大于沿着上述表面且与上述第1方向正交的第2方向的杨氏模量。上述氮化镓基板的上述第1方向的尺寸除以上述氮化镓基板的上述第2方向的尺寸而得到的第1比率R1、和上述图案膜的上述第1方向的尺寸除以上述图案膜的上述第2方向的尺寸而得到的第2比率R2满足R1

公开(公告)号：CN106067483A

公开(公告)日：2016-11-02

申请号：CN201610252373.7

申请日：2016-04-21

Applicant: 丰田自动车株式会社

Inventor： 石田崇 ,  大川峰司

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/1095 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7394 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/78 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/42364

Abstract: 半导体衬底(12)包括：第一导电型的第一半导体区(30)，其暴露于第一表面；第二导电型的主基区(42)，其在与所述第一半导体区相邻的位置暴露于所述第一表面；第二导电型的表面层基区(44)，其在与所述主基区相邻的位置暴露于所述第一表面，并具有比所述主基区的厚度小的厚度。栅电极(74)布置为跨于所述第一半导体区的上部、所述主基区的上部和所述表面层基区的上部。