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公开(公告)号：CN114496885A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202111245518.8
申请日：2021-10-26
IPC分类号： H01L21/683
摘要： 一种制造芯片形成晶片的方法，包括：在碳化硅晶片(1)的第一主表面(1a)上形成外延膜(2)，以提供具有与外延膜相邻的一侧(20a)和另一侧(20b)的加工晶片(20)；将激光束(L)从加工晶片的另一侧照射到加工晶片中，以便沿加工晶片的表面方向形成变质层(23)；以及以变质层作为边界将加工晶片分离成具有加工晶片的所述一侧的芯片形成晶片(50)和具有加工晶片的所述另一侧的再循环晶片(60)。加工晶片在加工晶片的外边缘部分具有斜面部分(21)，并且在斜面部分中所述另一侧的面积大于所述一侧的面积。
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公开(公告)号：CN117476740A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310922674.6
申请日：2023-07-26
申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/304
摘要： 提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体衬底，该半导体衬底在从上方观察时是四边形，具有表面、位于表面的相反侧的背面、和将表面及背面连接的4个侧面。各侧面具有沿着半导体衬底的表面的周缘所延伸的方向交替地反复出现凸部和凹部的阶差部。
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公开(公告)号：CN118053810A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202311493826.1
申请日：2023-11-10
申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304
摘要： 半导体装置的制造方法，具备如下工序：在半导体晶圆的第一表面，以将多个元件构造排列成矩阵状的方式形成多个元件构造；沿相邻的元件构造的边界将按压部件向半导体晶圆的位于第一表面的背侧的第二表面进行推抵，从而在半导体晶圆中形成沿着边界并且沿半导体晶圆的厚度方向延伸的裂纹；以及从第一表面侧沿着边界将分割部件向半导体晶圆进行推抵，从而沿边界分割半导体晶圆。
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公开(公告)号：CN117198871A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310654810.8
申请日：2023-06-05
申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/78
摘要： 半导体装置的制造方法，具备以下工序：对于具有多个元件区域的半导体基板的第1表面，沿着上述元件区域的边界推抵推压部件，从而在上述半导体基板的第1表面侧，形成沿着上述边界并且在上述半导体基板的厚度方向上延伸的裂纹的工序；在形成上述裂纹的上述工序之后，在上述第1表面形成跨上述多个元件区域的金属膜的工序；以及在形成上述金属膜的上述工序之后，从位于上述第1表面的背侧的第2表面侧沿着上述边界将分割部件推抵于上述半导体基板，从而沿着上述边界将上述半导体基板和上述金属膜分割的工序。
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公开(公告)号：CN116646306A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310136493.0
申请日：2023-02-20
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/683
摘要： 一种半导体装置的制造方法，包括：制备具有其上形成多个半导体元件(3)并且支撑板(12)通过粘合剂(11)附着到其上的第一表面(2a)的晶圆(2)；在所述支撑板附接至所述晶圆的第一表面的状态下，对所述晶圆的与所述第一表面相反的第二表面(2b)进行研磨；通过将刻划轮(32)沿着所述相邻半导体元件之间的边界压靠所述晶圆，在所述晶圆内部并沿着所述边界形成竖直裂纹；将所述支撑板与所述晶圆分离，同时将所述粘合剂留在所述晶圆的所述第一表面上；通过在所述粘合剂上方沿着所述边界将分断杆压靠所述晶圆，以沿着所述边界劈开所述晶圆；从已经通过所述劈开从所述晶圆分开的至少一个所述半导体元件去除所述粘合剂。
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公开(公告)号：CN116646243A
公开(公告)日：2023-08-25
申请号：CN202310147709.3
申请日：2023-02-22
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/78 , B28D5/02
摘要： 在一种半导体装置的制造方法中，制备其中形成多个半导体元件(3)并且具有彼此相反的第一表面(2a)和第二表面(2b)的晶圆(2)，以及沿着所述多个半导体元件中相邻半导体元件之间的边界(4)在所述晶圆的所述第一表面上形成凹槽(11)。以所述晶圆的所述第一表面面向支撑板(31)的方式将所述晶圆附接到所述支撑板，以及沿着所述边界将刻划刀片(33)压靠所述晶圆的所述第二表面以沿着所述边界在所述晶圆内部形成竖直裂纹(5)。然后，沿着所述边界将分断刀片(34)压靠所述晶圆以沿着所述边界劈开所述晶圆。
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公开(公告)号：CN116266533A
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202211607496.X
申请日：2022-12-14
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/78 , H01L21/04 , H01L21/335 , H01L21/336 , B24B1/00 , B28D5/00
摘要： 在半导体器件的制造方法中，制备由比硅硬的半导体材料制成的并且具有彼此相反的第一表面(30a)和第二表面(30b)的半导体晶圆，通过研磨半导体晶圆的第二表面形成粗化层(32)，将刀片按压粗化层以在半导体晶圆的表面层中形成竖直裂纹(C)，在形成竖直裂纹后去除粗化层，在半导体晶圆的形成竖直裂纹的后表面(30c)上形成后表面电极(33)，以及在形成后表面电极后，按压半导体晶圆的第一表面并以竖直裂纹为起始点将半导体晶圆裂开成多片。
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公开(公告)号：CN116130416A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202211382946.X
申请日：2022-11-07
IPC分类号： H01L21/78 , H01L29/06 , H01L29/16 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要： 碳化硅半导体装置包括碳化硅半导体层(2)和侧硅化物层(42)。碳化硅半导体层包括碳化硅单晶，并且具有主表面(2a)、与主表面相反的后表面(2b)以及连接主表面与后表面并由解理面形成的侧表面(2c)。碳化硅半导体层还包括改性层(21)。改性层形成侧表面的位于后表面附近的一部分，并且具有与碳化硅单晶的原子排列结构不同的碳化硅原子排列结构。侧硅化物层包括金属硅化物，其是金属元素和硅的化合物。侧硅化物层设置在碳化硅半导体层的侧表面上并且与改性层相邻。
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公开(公告)号：CN117476583A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310922683.5
申请日：2023-07-26
申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 三星钻石工业股份有限公司
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/60 , H01L21/78
摘要： 本发明提供半导体装置及其制造方法。半导体装置具备半导体基板和在半导体基板的表面设置的金属层。金属层具有第1金属层和将第1金属层的表面覆盖且与第1金属层相比焊料浸润性高的第2金属层。第2金属层在金属层的主表面露出。第1金属层在金属层的侧面露出。在金属层的主表面设有突起部。突起部以沿着主表面的外周缘绕一圈的方式延伸。
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公开(公告)号：CN116230646A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202211540672.2
申请日：2022-12-02
摘要： 一种半导体器件，包括半导体衬底(1)、端部区(130)和有源区(110)。所述端部区位于所述半导体衬底的上方，具有框架形状，并且在划线处理中与刀片接触。所述有源区被所述端部区包围并且被配置为用作主电流的路径。所述端部区在所述端部区的最外表面上具有应力松弛膜(20)。
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