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公开(公告)号：CN101164148A
公开(公告)日：2008-04-16
申请号：CN200680013140.6
申请日：2006-04-18
IPC分类号： H01L21/304 , B24B9/00
摘要： 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置，其包括：晶片载置台，用于保持晶片；晶片载置台单元，包括用于使晶片载置台转动的装置，使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动，并平行于该表面移动晶片载置台；凹口研磨部分，用于研磨晶片上的凹口；以及斜面研磨部分，用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。
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公开(公告)号：CN100550314C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200680013140.6
申请日：2006-04-18
IPC分类号： H01L21/304 , B24B9/00
摘要： 本发明提供一种用于研磨半导体晶片的周缘部分的装置，其包括：晶片载置台，用于保持晶片；晶片载置台单元，包括用于使晶片载置台转动的装置，使晶片载置台在与晶片载置台的表面相同的平面内进行往复转动运动，并平行于该表面移动晶片载置台；凹口研磨部分，用于研磨晶片上的凹口；以及斜面研磨部分，用于研磨晶片的斜面部分。将纯水向晶片供给以防止晶片在被从凹口研磨部分输送到斜面研磨部分时变干燥。
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公开(公告)号：CN100449705C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN02802116.9
申请日：2002-02-21
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/6723 , B23H5/08 , C25F7/00 , H01L21/6708 , H01L21/67173
摘要： 提供一种电解处理装置，包括：与工件接触或靠近的处理电极；用于向工件供电的馈送电极；离子交换器，设置在工件和处理电极之间以及工件和馈送电极之间的空间的至少之一中；用于在处理电极和馈送电极之间施加电压的电源；和液体输送部件，用于向工件与处理电极和馈送电极中的至少一个之间的空间输送液体，所述离子交换器存在于其中。还提供一种具有该电解处理装置的衬底处理设备。
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公开(公告)号：CN1977361B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200680000420.3
申请日：2006-04-18
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： H01L21/304 , B24B9/00
CPC分类号： H01L21/67219 , B24B9/065 , B24B49/04 , H01L21/302 , H01L21/461 , H01L21/67253 , H01L21/68707 , H01L21/68728
摘要： 一种基底处理设备，包括用于抛光基底边缘部分的第一和第二抛光单元(70A，70B)，用于清洁基底(W)的第一级清洁单元(100)，用于干燥已经在第一级清洁单元(100)中清洁的基底(W)的第二级清洁和干燥单元(110)，和用于测量基底(W)边缘部分的测量单元(30)。测量单元(30)包括用于第一和第二抛光单元(70A和70B)中抛光要求的测量值的机构，例如：直径测量机构，横截面形状测量机构，或者表面状态测量机构。
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公开(公告)号：CN100334691C
公开(公告)日：2007-08-29
申请号：CN03811301.5
申请日：2003-05-16
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： H01L21/3063 , H01L21/304 , H01L21/3205 , C25F3/00 , C25F7/00 , B23H3/02
CPC分类号： H01L21/02087 , B23H5/04 , B23H5/08 , B24B37/345 , C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/0209 , H01L21/32115 , H01L21/6708 , H01L21/6715 , H01L21/67173 , H01L21/67219 , H01L21/6723 , H01L21/7684 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/76849 , H01L21/76873
摘要： 本发明提供了一种衬底加工设备，该设备可通过利用电解加工方法加工衬底，同时把在CMP加工上的负载降低到最小可能的程度。本发明的衬底加工设备包括：电解加工单元(36)，该单元对具有形成在所述表面上的待加工膜的衬底表面电解地去除，所述单元包括接触该衬底W所述表面的馈电区段(373)；倾斜-刻蚀单元(48)，该单元用于刻蚀掉这样的部分，该部分为该衬底的在已经与在该电解加工单元(36)中馈电区段(373)接触部分上的保持未加工的待加工膜；用于化学和机械地对衬底表面进行抛光的化学机械抛光单元(34)。
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公开(公告)号：CN1547759A
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02816766.X
申请日：2002-09-03
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L21/6708 , H01L21/67051
摘要： 本发明涉及一种基片处理装置，包括一个用于支撑基片并使之转动的卡盘组件，一个其中放置有卡盘组件的可关闭的腔体，以及一个向腔体引入一种气体的气体引入装置。该基片处理装置还包括一个蚀刻部件，该蚀刻部件在卡盘组件使基片转动的同时蚀刻并清洁基片的周边部分，以及一个向蚀刻部件提供第一种液体的第一供给管道。
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公开(公告)号：CN101101861A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200710136701.8
申请日：2003-05-16
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/321 , H01L21/67 , H01L21/768 , C25F7/00 , C25F3/00
摘要： 本发明提供了一种衬底加工设备，该设备可通过利用电解加工方法加工衬底，同时把在CMP加工上的负载降低到最小可能的程度。本发明的衬底加工设备包括：电解加工单元(36)，该单元对具有形成在所述表面上的待加工膜的衬底表面电解地去除，所述单元包括接触该衬底W所述表面的馈电区段(373)；倾斜-刻蚀单元(48)，该单元用于刻蚀掉这样的部分，该部分为该衬底的在已经与在该电解加工单元(36)中馈电区段(373)接触部分上的保持未加工的待加工膜；用于化学和机械地对衬底表面进行抛光的化学机械抛光单元(34)。
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公开(公告)号：CN100346009C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN03802888.3
申请日：2003-01-31
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： C25F3/00 , C25F7/00 , B23H3/02 , H01L21/3063
CPC分类号： C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/3063 , H01L21/32134
摘要： 本发明涉及一种电解加工装置和方法，其用于加工形成在基片特别是半导体晶片的表面上的导电材料，或用于去除粘着在基片表面上的杂质。电解加工装置包括一个可以接近工件的加工电极、一个用于向工件供电的供电电极、一个布置在工件与加工电极和供电电极之间的空间中的离子交换器、一个用于向工件与离子交换器之间供应流体的流体供应部、一个电源，其中加工电极和/或供电电极被电学分隔为多个电极部分，电源向每个分隔的电极部分施加电压，并且对每个分隔的电极部分独立地控制电压和/或电流。
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公开(公告)号：CN100346008C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN02827689.2
申请日：2002-11-29
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： C25F3/00 , B23H3/10 , H01L21/3063 , B01J49/00
摘要： 一种用于再生离子交换剂的方法与设备，该方法与设备能够方便、快速地再生一种离子交换剂，并能够使清洗该已再生的离子交换剂以及处理废液时的负荷最小。一种用于再生被污染的离子交换剂的方法包括：提供由一个再生电极与一个反电极构成的一对电极、放置在这些电极之间的一个隔板以及放置在该反电极与该隔板之间的一个要被再生的电极；以及将电压加到该再生电极与该反电极之间，与此同时，将液体供应到该隔板与该再生电极之间，而且也将液体供应到该隔板与该反电极之间。
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公开(公告)号：CN1625612A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN03802888.3
申请日：2003-01-31
申请人： 株式会社荏原制作所
IPC分类号： C25F3/00 , C25F7/00 , B23H3/02 , H01L21/3063
CPC分类号： C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/3063 , H01L21/32134
摘要： 本发明涉及一种电解加工装置和方法，其用于加工形成在基片特别是半导体晶片的表面上的导电材料，或用于去除粘着在基片表面上的杂质。电解加工装置包括一个可以接近工件的加工电极、一个用于向工件供电的供电电极、一个布置在工件与加工电极和供电电极之间的空间中的离子交换器、一个用于向工件与离子交换器之间供应流体的流体供应部、一个电源，其中加工电极和/或供电电极被电学分隔为多个电极部分，电源向每个分隔的电极部分施加电压，并且对每个分隔的电极部分独立地控制电压和/或电流。
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