公开(公告)号：CN1260778C

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN01804554.5

申请日：2001-12-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 近藤文雄 ,  三岛浩二 ,  田中亮 ,  铃木庸子 ,  户川哲二 ,  井上裕章

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/67161 ,  B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/245 ,  B24B37/345 ,  B24B41/061 ,  B24B49/16 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1653 ,  C25D7/123 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/67396 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种基片加工方法，包括在一个基片的表面上形成铜膜的步骤。这些步骤包括：通过电镀将第一金属填充到沟道中以便在基片的整个表面上形成一个第一金属的镀膜的步骤，其中通过虚阳极调节电磁场，以便基片的中心部分和周边部分之间的镀膜厚度的差被最小化，并且通过将基片压在抛光表面上抛光并去除镀膜，其中，在中心部分和周边部分处将基片压在抛光表面上的压力被调节。

公开(公告)号：CN1473357A

公开(公告)日：2004-02-04

申请号：CN01804554.5

申请日：2001-12-04

Applicant: 株式会社荏原制作所

Inventor： 近藤文雄 ,  三岛浩二 ,  田中亮 ,  铃木庸子 ,  户川哲二 ,  井上裕章

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00 ,  B24B7/22

CPC classification number: H01L21/67161 ,  B24B37/005 ,  B24B37/042 ,  B24B37/245 ,  B24B37/345 ,  B24B41/061 ,  B24B49/16 ,  C23C18/1632 ,  C23C18/1653 ,  C25D7/123 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/02087 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/288 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67184 ,  H01L21/67219 ,  H01L21/6723 ,  H01L21/67393 ,  H01L21/67396 ,  H01L21/67772 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76849 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874 ,  H01L21/76877

Abstract: 一种基片加工方法，包括在一个基片的表面上形成铜膜的步骤。这些步骤包括：通过电镀将第一金属填充到沟道中以便在基片的整个表面上形成一个第一金属的镀膜的步骤，其中通过虚阳极调节电磁场，以便基片的中心部分和周边部分之间的镀膜厚度的差被最小化，并且通过将基片压在抛光表面上抛光并去除镀膜，其中，在中心部分和周边部分处将基片压在抛光表面上的压力被调节。