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公开(公告)号：CN107301974B
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201710235534.6
申请日：2017-04-12
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/66 , B23K26/38 , B23K26/073 , B23K26/067 , B23K26/064
摘要： 提供晶片的加工方法，从晶片的背面侧准确地检测分割预定线而将晶片分割成各个器件。晶片的加工方法将在基板的正面上在由互相交叉的多条分割预定线划分的区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，该基板由具有双折射性的晶体构造构成，晶片的加工方法包含如下工序：检测工序，从晶片的背面利用拍摄构件对形成于正面的分割预定线进行检测；分割起点形成工序，从与检测到的分割预定线对应的背面照射激光光线而形成分割的起点；和分割工序，对晶片施加外力而分割成各个器件芯片，在检测工序中，拍摄构件所具有的配设在将拍摄元件和成像透镜连结起来的光轴上的偏光件对在基板内发生双折射而出现的异常光进行遮蔽，并且将正常光引导至拍摄元件。
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公开(公告)号：CN107039563B
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN201610862695.3
申请日：2016-09-28
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 提供光器件晶片的加工方法，将光器件晶片分割成一个个的光器件芯片，该光器件晶片在蓝宝石基板的正面上形成有发光层且在由格子状的多条分割预定线划分出的多个区域中分别形成有光器件，该方法包含：盾构隧道形成工序，将对于蓝宝石基板具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从蓝宝石基板的背面侧定位在内部而沿着与分割预定线对应的区域进行照射，形成由细孔和对细孔进行盾构的非晶质构成的盾构隧道；发光层层叠工序，在实施了盾构隧道形成工序的蓝宝石基板的正面上层叠发光层而形成光器件晶片；以及分割工序，对实施了发光层层叠工序的光器件晶片施加外力，而沿着分割预定线将光器件晶片分割成一个个的光器件芯片。
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公开(公告)号：CN109119336B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN201810578439.0
申请日：2018-06-07
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/364 , B23K26/402
摘要： 提供被加工物的加工方法，提高生产性并且不使芯片的抗折强度降低。一种被加工物的加工方法，在该被加工物的正面上设定有交叉的多条分割预定线，该被加工物的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：保持步骤，利用卡盘工作台对被加工物的正面侧进行保持；激光加工步骤，从被加工物的背面侧照射对于保持在该卡盘工作台上的被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束，从被加工物的正面侧起形成多个盾构隧道，该盾构隧道达到被加工物的完工厚度以上，由细孔和围绕该细孔的非晶质或变质层构成；以及磨削步骤，在实施了该激光加工步骤之后，对被加工物的背面进行磨削而将被加工物薄化至该完工厚度。
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公开(公告)号：CN106914704A
公开(公告)日：2017-07-04
申请号：CN201610883854.8
申请日：2016-10-10
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： B23K26/38 , B23K26/364 , B23K26/53 , B28D5/00 , H01L21/78
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/268 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0095 , H01L33/486 , H01L33/62 , H01L2933/0033 , B23K26/38 , B23K26/364 , B23K26/53 , B28D5/0011
摘要： 提供光器件晶片的加工方法，能够不在侧面形成凹凸而将光器件晶片分割成一个个的光器件。光器件晶片的加工方法包含如下的工序：盾构隧道形成工序，将对于蓝宝石基板具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从蓝宝石基板的背面侧定位在内部而沿着与分割预定线对应的区域进行照射，使细孔和对细孔进行盾构的非晶质生长而沿着分割预定线形成盾构隧道；以及分割工序，对实施了盾构隧道形成工序的光器件晶片施加外力，沿着分割预定线将光器件晶片分割成一个个的光器件芯片。在盾构隧道形成工序中，使脉冲激光光线以具有扩展角的方式入射至聚光透镜从而产生球面像差。
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公开(公告)号：CN109119336A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810578439.0
申请日：2018-06-07
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/364 , B23K26/402
摘要： 提供被加工物的加工方法，提高生产性并且不使芯片的抗折强度降低。一种被加工物的加工方法，在该被加工物的正面上设定有交叉的多条分割预定线，该被加工物的加工方法的特征在于，具有如下的步骤：保持步骤，利用卡盘工作台对被加工物的正面侧进行保持；激光加工步骤，从被加工物的背面侧照射对于保持在该卡盘工作台上的被加工物具有透过性的波长的脉冲激光束，从被加工物的正面侧起形成多个盾构隧道，该盾构隧道达到被加工物的完工厚度以上，由细孔和围绕该细孔的非晶质或变质层构成；以及磨削步骤，在实施了该激光加工步骤之后，对被加工物的背面进行磨削而将被加工物薄化至该完工厚度。
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公开(公告)号：CN107039563A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201610862695.3
申请日：2016-09-28
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 提供光器件晶片的加工方法，将光器件晶片分割成一个个的光器件芯片，该光器件晶片在蓝宝石基板的正面上形成有发光层且在由格子状的多条分割预定线划分出的多个区域中分别形成有光器件，该方法包含：盾构隧道形成工序，将对于蓝宝石基板具有透射性的波长的脉冲激光光线的聚光点从蓝宝石基板的背面侧定位在内部而沿着与分割预定线对应的区域进行照射，形成由细孔和对细孔进行盾构的非晶质构成的盾构隧道；发光层层叠工序，在实施了盾构隧道形成工序的蓝宝石基板的正面上层叠发光层而形成光器件晶片；以及分割工序，对实施了发光层层叠工序的光器件晶片施加外力，而沿着分割预定线将光器件晶片分割成一个个的光器件芯片。
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公开(公告)号：CN107442947A
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201710280586.5
申请日：2017-04-26
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 提供分割工具和分割工具的使用方法，将呈环状形成有分割起点的板状物分割成内侧和外侧，具有：内侧按压部件，其对呈环状形成的分割起点的内侧进行按压；外侧按压部件，其对呈环状形成的分割起点的外侧进行按压；和连结部件，其将内侧按压部件与外侧按压部件连结，内侧按压部件相对于连结部件进退自如地安装，内侧按压部件的前端被施力以便在非按压状态下比外侧按压部件的前端向按压方向突出，分割工具的使用方法至少包含：挠性片配设工序，将呈环状形成有分割起点的板状物配设在挠性片上；和分割工序，一边利用内侧按压部件对呈环状形成在板状物上的分割起点的内侧进行按压一边利用外侧按压部件对外侧进行按压而将板状物分割。
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公开(公告)号：CN107301974A
公开(公告)日：2017-10-27
申请号：CN201710235534.6
申请日：2017-04-12
申请人： 株式会社迪思科
IPC分类号： H01L21/78 , H01L21/66 , B23K26/38 , B23K26/073 , B23K26/067 , B23K26/064
摘要： 提供晶片的加工方法，从晶片的背面侧准确地检测分割预定线而将晶片分割成各个器件。晶片的加工方法将在基板的正面上在由互相交叉的多条分割预定线划分的区域内形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，该基板由具有双折射性的晶体构造构成，晶片的加工方法包含如下工序：检测工序，从晶片的背面利用拍摄构件对形成于正面的分割预定线进行检测；分割起点形成工序，从与检测到的分割预定线对应的背面照射激光光线而形成分割的起点；和分割工序，对晶片施加外力而分割成各个器件芯片，在检测工序中，拍摄构件所具有的配设在将拍摄元件和成像透镜连结起来的光轴上的偏光件对在基板内发生双折射而出现的异常光进行遮蔽，并且将正常光引导至拍摄元件。
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公开(公告)号：CN107442947B
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN201710280586.5
申请日：2017-04-26
申请人： 株式会社迪思科
摘要： 提供分割工具和分割工具的使用方法，将呈环状形成有分割起点的板状物分割成内侧和外侧，具有：内侧按压部件，其对呈环状形成的分割起点的内侧进行按压；外侧按压部件，其对呈环状形成的分割起点的外侧进行按压；和连结部件，其将内侧按压部件与外侧按压部件连结，内侧按压部件相对于连结部件进退自如地安装，内侧按压部件的前端被施力以便在非按压状态下比外侧按压部件的前端向按压方向突出，分割工具的使用方法至少包含：挠性片配设工序，将呈环状形成有分割起点的板状物配设在挠性片上；和分割工序，一边利用内侧按压部件对呈环状形成在板状物上的分割起点的内侧进行按压一边利用外侧按压部件对外侧进行按压而将板状物分割。
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公开(公告)号：CN109537056A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811037236.7
申请日：2018-09-06
申请人： 株式会社迪思科 , 国立大学法人大阪大学
摘要： 本发明提供一种容易将III-V族化合物晶体从基板分离(剥离)的III-V族化合物晶体的制造方法和半导体装置的制造方法。本发明的III-V族化合物晶体的制造方法包括下述工序：晶种形成基板提供工序，提供在基板(11)上形成有III-V族化合物晶种(12a)的晶种形成基板；晶种一部分分离工序，将III-V族化合物晶种(12a)的与基板(11)接触的部分的一部分从基板(11)分离；以及晶体生长工序，在上述晶种一部分分离工序后，以III-V族化合物晶种(12a)作为核而使III族元素与V族元素反应，从而生成III-V族化合物晶体(12)并使其生长。
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