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公开(公告)号：CN112921290A
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN202110098754.5
申请日：2021-01-25
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种正比计数管中子吸收电极及其制备方法，涉及正比计数管技术领域，其技术方案要点是：将正比计数管壁展开为平板状或切开为半圆筒状；采用磁控溅射技术在基体表面沉积一层过渡涂层；在不破坏真空、保持Ar气总流量不变的情况下，采用磁控10B靶来沉积中子吸收层；将步制备的带过渡涂层、中子吸收层的基体以模具压卷方式进行弯卷，将弯卷后的基体沿管件接口处进行密封焊接。本发明在沉积中子吸收层之前增加了过渡涂层的制备，提高了不锈钢或铝合金金属基体与中子吸收层之间的结合强度；本发明采用磁控溅射技术，可较好地解决手工刷涂和浸酯涂硼引起的涂层结合性、均匀性、重复性差及有机介质引起的离子能量损失等缺点。
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公开(公告)号：CN112859142A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202110098750.7
申请日：2021-01-25
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中国核动力研究设计院
IPC: G01T1/18
Abstract: 本发明公开了一种管壁中子灵敏层制备方法及正比计数管，本发明利用磁控溅射方式制备硼中子灵敏层，该法制备的硼灵敏层与金属管体材料的可控性好、界面结合力强，涂层纯度高、结构单一、致密度高，探测数据更加准确可靠。本发明的制备方法适用于正比计数器的管壁中子灵敏层的制备，同时也适用于其他需要涂层的管件。
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公开(公告)号：CN112859142B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202110098750.7
申请日：2021-01-25
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中国核动力研究设计院
IPC: G01T1/18
Abstract: 本发明公开了一种管壁中子灵敏层制备方法及正比计数管，本发明利用磁控溅射方式制备硼中子灵敏层，该法制备的硼灵敏层与金属管体材料的可控性好、界面结合力强，涂层纯度高、结构单一、致密度高，探测数据更加准确可靠。本发明的制备方法适用于正比计数器的管壁中子灵敏层的制备，同时也适用于其他需要涂层的管件。
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公开(公告)号：CN117510097A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311850486.3
申请日：2023-12-29
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本申请涉及硅基陶瓷材料，提供了一种硅基陶瓷表面金属化方法及应用，硅基陶瓷表面金属化方法包括硅基陶瓷表面除脂除油、硅基陶瓷表面等离子体预刻蚀活化、硅基陶瓷表面氧气等离子体深度活化以及硅基陶瓷表面真空镀膜和/或电镀增厚；其中，硅基陶瓷表面等离子体预刻蚀活化中刻蚀气体为NF3、CF4、SF6、CHF3、CH2F2、C2F6、C2H4F2、C4F6、C4F8以及C5F8中至少一种，活化气体为氧气。膜层和硅基陶瓷具有优良的膜基结合力。先采用含氟气体与O2的混合等离子体对镀前硅基陶瓷表面进行刻蚀活化，后采用纯O2等离子体对硅基陶瓷表面进一步深度清洗活化，经过深度刻蚀与活化后，膜层与玻璃基体具有优良的膜基结合力。
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公开(公告)号：CN114369733B
公开(公告)日：2022-10-21
申请号：CN202111505874.9
申请日：2021-12-10
Applicant: 核工业西南物理研究院 , 中核陕西铀浓缩有限公司
Abstract: 本发明属于铀资源技术领域，具体公开一种贫化六氟化铀直接还原转化为金属铀的装置及方法，该装置包括：真空室、放电极板、放电电源、送气口、真空泵、抽气管道和过滤系统，两个放电极板分别通过真空室的电极连接端子安装于真空室内，放电电源通过真空室的电极连接端子安装于真空室外，两个放电极板与放电电源连接，真空室顶端开设有送气口，真空室外分别连接有真空泵和抽气管道，抽气管道上安装有过滤系统。本发明方法直接一步将六氟化铀还原成金属铀，简化了传统六氟化铀转化成金属铀的流程，大大减少了相关含铀废物的产生。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114302546A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111489702.7
申请日：2021-12-08
Applicant: 核工业西南物理研究院
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明属于等离子体源技术领域，具体涉及一种高效率低污染等离子体源，包括同轴放置的阴极、水冷阳极和磁轭底座，以及设于磁轭底座中心处的内磁钢、套装在内磁钢外的内屏蔽、磁轭底座的外沿上方固定安装的外磁钢和外屏蔽；所述的磁轭底座位于阴极内；所述的水冷阳极与阴极绝缘连接；所述的内磁钢和外磁钢磁力方向相反；所述的阴极、水冷阳极之间连接放电电源A。等离子体源的内、外磁极处于悬浮电位或相对于工件或真空室地分别施加不同偏压的方式，通过设计放电通道，使其电势分布，因此可以降低和控制放电等离子体对壁自溅射，从而达到提高放电电流利用率和引出离子能量目的。
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公开(公告)号：CN114288961A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111489705.0
申请日：2021-12-08
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于热等离子体应用技术领域，具体公开了一种热等离子还原氟化物的装置及方法，该装置包括：直流等离子体炬、还原反应室、反应腔室、反应室支架和收集罐，反应腔室的下部固定在反应室支架上，反应腔室的底部密封连接有收集罐，还原反应室位于反应腔室的内部，还原反应室与反应腔室密封连接，还原反应室顶部固定连接直流电弧等离子体炬。本发明具有生产效率高、工业流程短等特点，属于一步快速还原法，可解决现有氟化物处理方式的中间产物对环境进行二次污染等问题，降低了处理成本，具备工业化应用的潜力。
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公开(公告)号：CN112620847B
公开(公告)日：2022-03-22
申请号：CN202011449318.X
申请日：2020-12-09
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于异质材料连接技术领域，具体涉及一种增强碳基材料与铜合金钎焊连接的方法，包括：将碳基材料基体放入有机溶剂中进行超声波清洗、加热烘烤除气并抽真空；利用Ar气等离子体对碳基材料表面进行溅射清洗，同时对碳基材料进行预加热；在碳基材料基体表面上制备金属碳化物冶金层；在金属碳化物冶金层的表面沉积金属化涂层；关闭金属靶材电源，停止工作气体Ar气的充入，关闭加热，真空腔室中的真空度恢复为本底真空度，待碳基材料基体冷却后取出。本发明方法有效解决碳基材料与铜合金连接存在热膨胀系数差异大和润湿性差的问题，实现碳基材料与铜合金热沉材料之间的冶金结合。
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公开(公告)号：CN114075657A
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN202111300027.9
申请日：2021-11-04
Applicant: 核工业西南物理研究院
Abstract: 本发明属于复合材料制备领域，具体为一种提升树脂基复合材料成型构件气密性的方法，包括成型构件预处理、成型构件在真空室内挂装、真空室抽真空、等离子体活化、沉积金属涂层、成型构件取出；通过此种工艺提升气密性，金属选取Al、Ti、Cr、Ni的任意一种，显著降低树脂基复合材料的放气及极大提升树脂基复合材料抗卤素介质的腐蚀。通过树脂基复合材料表面等离子体活化及金属涂层物理气相沉积技术低温沉积实现了大厚度金属涂层与复合材料构件基体层的结合强度大于1MPa，从而能够提升树脂基复合材料特殊工况下使用的可靠形。
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公开(公告)号：CN111893453A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010714625.X
申请日：2020-07-21
Applicant: 四川大学 , 华中科技大学 , 核工业西南物理研究院
IPC: C23C14/58 , C23C14/48 , C23C14/35 , C23C14/18 , B23K26/362
Abstract: 本发明提出了一种在尖锥形陶瓷腔体内壁制备微细金属涂层图案的方法，涉及超材料隐身技术领域。本发明提供的在尖锥形陶瓷腔体内壁制备金属涂层微细金属涂层图案的方法，包括如下步骤，激光从尖锥形陶瓷腔体外部穿透尖锥形陶瓷腔体，对尖锥形陶瓷腔体的内壁上的金属涂层进行激光反向刻蚀，通过选择性扫描在尖锥形陶瓷腔体内壁获得微细金属涂层图案，所述尖锥形陶瓷腔体的壁的厚度为3-15mm。本发明的优点在于，突破传统方法的加工技术壁垒，首次提出利用激光反向刻蚀尖锥形陶瓷腔体内壁的金属涂层，解决了尖锥形陶瓷腔体内壁难构筑微细金属涂层图案的技术难题，便于进一步制备FSS超材料，为尖锥形陶瓷腔雷达罩隐身提供技术基础。
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