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公开(公告)号：CN113818088A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110905450.5
申请日：2021-08-05
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体闭管扩散技术领域，特别是涉及一种扩散工艺中的自动扩散装置及其使用方法，包括，PLC控制台、推拉机构、冷却风干机构和扩散炉；所述PLC控制台与所述推拉机构、冷却风干机构和扩散炉电连接；所述推拉机构，根据PLC控制台的指令将所述推拉机构装载的封闭真空石英管送入或者送出扩散炉；所述冷却风干机构，根据PLC控制台的指令对所述推拉机构装载的封闭真空石英进行冷却和风干；所述扩散炉，根据PLC控制台的指令对扩散炉进行加热；整个工艺过程几乎完全是自动控制，操作简单，极大程度上避免了人为操作失误发生危险的可能，且自动计时的时间精确度极高保证，对每次冷却时间和冷却位置可以根据现场动态情况实时自动判断并得到精确控制，这样可以优化外延片扩散的均一性和一致性。
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公开(公告)号：CN106711274A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611085309.0
申请日：2016-11-30
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L21/768
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L21/76895 , H01L31/1832
Abstract: 本发明涉及光电技术领域，提供了一种雪崩光电二极管及其制造方法。其中雪崩光电二极管包括在I型光吸收层、I型帽层和P型接触层上，位于所述P型半导体区域的两侧设置有第一沟道；在I型倍增层和P型电场控制层上，衔接着所述第一沟道设置有第二沟道；在N型接触层上，衔接着所述第二沟道设置有第三沟道；其中，第一沟道比第二沟道宽，第二沟道比第三沟道宽；与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明实施例通过在现有的雪崩光电二极管中提供三层台阶式的沟道设计，可以改善沟道过深，侧壁N接触金属层容易出现的衔接问题，提高了雪崩光电二极管的加工成品率。
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公开(公告)号：CN115347060A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202110530367.4
申请日：2021-05-14
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H01L31/0232 , H01L31/105 , G02B6/122
Abstract: 本发明实施例公开了一种波导探测器及其制备方法。所述波导探测器包括：衬底；位于所述衬底上的探测器结构；所述探测器结构包括沿第一方向依次设置的第一接触层、吸收层和第二接触层；位于所述衬底上的波导结构；所述波导结构设置于所述吸收层的侧壁的外侧，且与所述吸收层的侧壁相接触；所述波导结构用于接收光信号，并将接收到的光信号传递至所述吸收层；其中，所述第一方向平行于所述衬底平面。
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公开(公告)号：CN106711274B
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：CN201611085309.0
申请日：2016-11-30
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及光电技术领域，提供了一种雪崩光电二极管及其制造方法。其中雪崩光电二极管包括在I型光吸收层、I型帽层和P型接触层上，位于所述P型半导体区域的两侧设置有第一沟道；在I型倍增层和P型电场控制层上，衔接着所述第一沟道设置有第二沟道；在N型接触层上，衔接着所述第二沟道设置有第三沟道；其中，第一沟道比第二沟道宽，第二沟道比第三沟道宽；与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明实施例通过在现有的雪崩光电二极管中提供三层台阶式的沟道设计，可以改善沟道过深，侧壁N接触金属层容易出现的衔接问题，提高了雪崩光电二极管的加工成品率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117117012A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210512345.X
申请日：2022-05-12
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种雪崩光电二极管及其制作方法，该雪崩光电二极管在半绝缘衬底上至少堆叠有P型接触层、基础功能层以及N型接触层，基础功能层和N型接触层之间还设置有N型电场控制层和I型边缘电场缓冲层，其中，半绝缘衬底与P型接触层的侧周形成第一台阶，P型接触层与基础功能层的侧周形成第二台阶，基础功能层、N型电场控制层和I型边缘电场缓冲层的侧周依次覆盖有第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层。本发明可以降低电容，提高带宽。另外，在工艺上，可以解决腐蚀过程中钻蚀的问题，可以提高整个芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN116110778A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202111333845.9
申请日：2021-11-11
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Inventor： 钟行
IPC: H01L21/223 , H01L31/18 , H01L31/08 , C30B31/00
Abstract: 本申请实施例提供了一种用于光电探测器的扩散装置及扩散方法，所述扩散装置包括：第一腔室、第二腔室、真空系统、加热系统和石英容器；所述第一腔室与所述第二腔室之间能够相互连通或者相互隔开，所述第二腔室能够与外界连通且所述第一腔室和所述第二腔室能够分别密封；所述真空系统具有第一真空管道和第二真空管道，且所述第一真空管道、所述第二真空管道分别与所述第一腔室、所述第二腔室连接；所述加热系统用于加热所述第一腔室；和所述石英容器用于容纳扩散源与待扩散的外延片。本申请实施例提供的扩散方法能够获得较高的扩散浓度，且工艺流程简单，安全性高。
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公开(公告)号：CN115706183A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110887288.9
申请日：2021-08-03
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例提供一种铟镓砷探测器，所述探测器包括：半绝缘衬底；在所述半绝缘衬底上依次包括：第一接触层、匹配层、吸收层、阻挡层和第二接触层；其中，所述匹配层为n型轻掺杂的半导体材料。
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公开(公告)号：CN113818088B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110905450.5
申请日：2021-08-05
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体闭管扩散技术领域，特别是涉及一种扩散工艺中的自动扩散装置及其使用方法，包括，PLC控制台、推拉机构、冷却风干机构和扩散炉；所述PLC控制台与所述推拉机构、冷却风干机构和扩散炉电连接；所述推拉机构，根据PLC控制台的指令将所述推拉机构装载的封闭真空石英管送入或者送出扩散炉；所述冷却风干机构，根据PLC控制台的指令对所述推拉机构装载的封闭真空石英进行冷却和风干；所述扩散炉，根据PLC控制台的指令对扩散炉进行加热；整个工艺过程几乎完全是自动控制，操作简单，极大程度上避免了人为操作失误发生危险的可能，且自动计时的时间精确度极高保证，对每次冷却时间和冷却位置可以根据现场动态情况实时自动判断并得到精确控制，这样可以优化外延片扩散的均一性和一致性。
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公开(公告)号：CN206363988U
公开(公告)日：2017-07-28
申请号：CN201621294337.9
申请日：2016-11-29
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本实用新型涉及半导体闭管扩散技术领域，尤其涉及一种半导体闭管扩散用真空设备。所述真空设备包括：工位接口、放气阀、第一电阻规、旁抽阀、主抽阀、电离规、分子泵、第二电阻规、前级阀和机械泵，所述工位接口通过旁路连接所述机械泵；所述工位接口还通过主路串联所述分子泵后连接到所述机械泵；位于所述旁路上，在所述工位接口与所述机械泵之间串联有所述放气阀、所述第一电阻规、所述旁抽阀；位于所述主路上，在所述工位接口与所述机械泵之间串联有所述主抽阀、所述电离规、所述分子泵、所述第二电阻规和所述前级阀。本实用新型通过提出一种有机械泵和分子泵组成的两级真空设备，分子泵可以快速启动，不含油气，可以提高效率，避免污染。
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