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公开(公告)号：CN117117012A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202210512345.X
申请日：2022-05-12
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H01L31/0352 , H01L31/107 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及芯片制造技术领域，尤其涉及一种雪崩光电二极管及其制作方法，该雪崩光电二极管在半绝缘衬底上至少堆叠有P型接触层、基础功能层以及N型接触层，基础功能层和N型接触层之间还设置有N型电场控制层和I型边缘电场缓冲层，其中，半绝缘衬底与P型接触层的侧周形成第一台阶，P型接触层与基础功能层的侧周形成第二台阶，基础功能层、N型电场控制层和I型边缘电场缓冲层的侧周依次覆盖有第一钝化层、第二钝化层、第三钝化层。本发明可以降低电容，提高带宽。另外，在工艺上，可以解决腐蚀过程中钻蚀的问题，可以提高整个芯片的可靠性。
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公开(公告)号：CN115706183A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202110887288.9
申请日：2021-08-03
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H01L31/105 , H01L31/0304 , H01L31/18
Abstract: 本申请实施例提供一种铟镓砷探测器，所述探测器包括：半绝缘衬底；在所述半绝缘衬底上依次包括：第一接触层、匹配层、吸收层、阻挡层和第二接触层；其中，所述匹配层为n型轻掺杂的半导体材料。
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公开(公告)号：CN113818088B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN202110905450.5
申请日：2021-08-05
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体闭管扩散技术领域，特别是涉及一种扩散工艺中的自动扩散装置及其使用方法，包括，PLC控制台、推拉机构、冷却风干机构和扩散炉；所述PLC控制台与所述推拉机构、冷却风干机构和扩散炉电连接；所述推拉机构，根据PLC控制台的指令将所述推拉机构装载的封闭真空石英管送入或者送出扩散炉；所述冷却风干机构，根据PLC控制台的指令对所述推拉机构装载的封闭真空石英进行冷却和风干；所述扩散炉，根据PLC控制台的指令对扩散炉进行加热；整个工艺过程几乎完全是自动控制，操作简单，极大程度上避免了人为操作失误发生危险的可能，且自动计时的时间精确度极高保证，对每次冷却时间和冷却位置可以根据现场动态情况实时自动判断并得到精确控制，这样可以优化外延片扩散的均一性和一致性。
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公开(公告)号：CN117672904A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202211037882.X
申请日：2022-08-26
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/683
Abstract: 本发明提供一种晶圆及其临时键合方法，通过将TRT胶带的发泡胶粘剂层与晶圆相粘接，将TRT胶带的PET层进行表面改性，把晶圆以TRT胶带作为中介与基板相粘接，并完成晶圆与基板的键合处理，从而完成晶圆的减薄工艺，而后通过热处理将晶圆同TRT胶带分离，得到减薄后的晶圆。
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公开(公告)号：CN117293214A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202210686153.0
申请日：2022-06-16
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
IPC: H01L31/102 , H01L31/105 , H01L31/0352 , H01L31/18
Abstract: 本发明实施例提供光电二极管及其制造方法，所述光电二极管包括：衬底；N型电极接触层，位于所述衬底的第一表面上；吸收层、帽层依次层叠于所述衬底上的第二表面上；所述第一表面和所述第二表面互为相反面；第一扩散区和第二扩散区，均位于所述帽层中；第一半导体接触层和第一P型电极接触层，均部分覆盖所述第一扩散区的表面；第一P型电极接触层包覆所述第一半导体接触层；第二半导体接触层和第二P型电极接触层，均部分覆盖所述第二扩散区的表面；第二P型电极接触层包覆所述第二半导体接触层；扩散阻挡层，位于所述帽层上，与第一P型电极接触层一起未完全覆盖所述第一扩散区表面，与所述第二P型电极接触层一起完全覆盖所述第二扩散区表面。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116960004A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210420617.3
申请日：2022-04-20
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种探测器芯片的倒装封装方法和倒装封装设备，该倒装封装方法包括：将所述探测器芯片的电极面朝下与基板的焊接层相对设置；保持所述探测器芯片与所述基板对齐并移动所述探测器芯片；在所述探测器芯片的移动过程中，监测所述探测器芯片与所述基板之间的距离，在所述距离等于设定距离时，保持所述探测器芯片的当前位置；加热所述电极面和所述焊接层以连接所述探测器芯片和所述基板。本发明的倒装封装方法和倒装封装设备有利于减少探测器芯片与基板间连接不充分的风险。
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公开(公告)号：CN113818088A
公开(公告)日：2021-12-21
申请号：CN202110905450.5
申请日：2021-08-05
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体闭管扩散技术领域，特别是涉及一种扩散工艺中的自动扩散装置及其使用方法，包括，PLC控制台、推拉机构、冷却风干机构和扩散炉；所述PLC控制台与所述推拉机构、冷却风干机构和扩散炉电连接；所述推拉机构，根据PLC控制台的指令将所述推拉机构装载的封闭真空石英管送入或者送出扩散炉；所述冷却风干机构，根据PLC控制台的指令对所述推拉机构装载的封闭真空石英进行冷却和风干；所述扩散炉，根据PLC控制台的指令对扩散炉进行加热；整个工艺过程几乎完全是自动控制，操作简单，极大程度上避免了人为操作失误发生危险的可能，且自动计时的时间精确度极高保证，对每次冷却时间和冷却位置可以根据现场动态情况实时自动判断并得到精确控制，这样可以优化外延片扩散的均一性和一致性。
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公开(公告)号：CN106711274A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201611085309.0
申请日：2016-11-30
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
IPC: H01L31/107 , H01L31/18 , H01L21/768
CPC classification number: H01L31/1075 , H01L21/76895 , H01L31/1832
Abstract: 本发明涉及光电技术领域，提供了一种雪崩光电二极管及其制造方法。其中雪崩光电二极管包括在I型光吸收层、I型帽层和P型接触层上，位于所述P型半导体区域的两侧设置有第一沟道；在I型倍增层和P型电场控制层上，衔接着所述第一沟道设置有第二沟道；在N型接触层上，衔接着所述第二沟道设置有第三沟道；其中，第一沟道比第二沟道宽，第二沟道比第三沟道宽；与现有技术相比，本发明的有益效果在于：本发明实施例通过在现有的雪崩光电二极管中提供三层台阶式的沟道设计，可以改善沟道过深，侧壁N接触金属层容易出现的衔接问题，提高了雪崩光电二极管的加工成品率。
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公开(公告)号：CN106783756B
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201611077989.1
申请日：2016-11-29
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种带金属凸点的陶瓷载片及其制作方法。其中所述陶瓷载片包括陶瓷片、介质膜、导电金属层、引线‑焊线金属层和金属凸点，所述金属凸点位于所述引线‑焊线金属层上，所述引线‑焊线金属层位于所述导电金属层上，所述介质膜位于所述导电金属层和陶瓷片之间；其中，所述导电金属层位于所述介质膜上的第一指定区域；其中，所述引线‑焊线金属层位于所述导电金属层上的第二指定区域。本发明实施例由于在进行最终导电金属层腐蚀前，将金属凸点和引线‑焊线金属进行了光刻胶的保护，从而避免了现有技术中可能带来的腐蚀过程中的过腐蚀问题。
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公开(公告)号：CN106783756A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611077989.1
申请日：2016-11-29
Applicant: 武汉光迅科技股份有限公司 , 武汉电信器件有限公司
CPC classification number: H01L23/15 , H01L21/4807 , H01L21/4846 , H01S3/02
Abstract: 本发明涉及激光器技术领域，提供了一种带金属凸点的陶瓷载片及其制作方法。其中所述陶瓷载片包括陶瓷片、介质膜、导电金属层、引线‑焊线金属层和金属凸点，所述金属凸点位于所述引线‑焊线金属层上，所述引线‑焊线金属层位于所述导电金属层上，所述介质膜位于所述导电金属层和陶瓷片之间；其中，所述导电金属层位于所述介质膜上的第一指定区域；其中，所述引线‑焊线金属层位于所述导电金属层上的第二指定区域。本发明实施例由于在进行最终导电金属层腐蚀前，将金属凸点和引线‑焊线金属进行了光刻胶的保护，从而避免了现有技术中可能带来的腐蚀过程中的过腐蚀问题。
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