利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

36 条记录 (耗时 0.026 秒)

    选择性蚀刻和二氟化氙的形成
    2.
    发明公开
    选择性蚀刻和二氟化氙的形成 有权 转让

    公开(公告)号：CN101847570A

    公开(公告)日：2010-09-29

    申请号：CN201010104484.6

    申请日：2010-01-27

    申请人： 气体产品与化学公司

    发明人： 吴定军 ,  E·J·小卡瓦基 ,  A·马利卡朱南 ,  A·D·约翰逊

    IPC分类号： H01L21/00 ,  B08B7/00 ,  C23F1/12

    摘要： 本发明涉及选择性蚀刻和形成二氟化氙。尤其涉及用于从二氧化硅、氮化硅、镍、铝、TiNi合金、光致抗蚀剂、磷硅酸盐玻璃、硼磷硅酸盐玻璃、聚酰亚胺、金、铜、铂、铬、氧化铝、碳化硅和其混合物选择性除去下述材料的工艺，比如：硅、钼、钨、钛、锆、铪、钒、钽、铌、硼、磷、锗、砷和其混合物。该工艺与下列重要应用相关，即用于半导体沉积腔室和半导体工具、微电动机械系统(MEMS)中的器件、以及离子注入系统的清洁或蚀刻工艺。本发明也提供通过将Xe与含氟化学品反应而形成XeF2的方法，其中，所述含氟化学品选自F2、NF3、C2F6、CF4、C3F8、SF6、从上游等离子发生器产生的含F原子的等离子体和它们的混合物。

    清洗高介电常数材料沉积室的方法
    4.
    发明公开
    清洗高介电常数材料沉积室的方法 失效

    公开(公告)号：CN1638027A

    公开(公告)日：2005-07-13

    申请号：CN200410100564.9

    申请日：2004-11-25

    申请人： 气体产品与化学公司

    发明人： 吴定军 ,  齐宾 ,  S·A·莫蒂卡 ,  E·J·小卡瓦基

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/28 ,  H01L21/31 ,  C23C16/00

    CPC分类号： C23C16/4405

    摘要： 在此公开了一种干法蚀刻和室清洁高介电常数材料的方法。本发明一方面提供了一种从至少一部分反应器的表面清洁包含介电常数高于二氧化硅介电常数的物质的方法，包括：向反应器中引入包括含硼反应活性剂的第一气体混合物，其中第一气体混合物与在反应器中的物质反应，产生挥发性产物和含硼副产物；向反应器中引入包括含氟反应活性剂的第二气体混合物，其中第二气体混合物与反应器中的含硼副产物反应，形成挥发性产物；并从反应器中去除挥发性产物。

    提供乙炔的工艺和装置
    7.
    发明公开
    提供乙炔的工艺和装置 有权 转让 复审申请

    公开(公告)号：CN101737624A

    公开(公告)日：2010-06-16

    申请号：CN200910211629.X

    申请日：2009-09-16

    申请人： 气体产品与化学公司

    发明人： T·J·梅库特 ,  S·N·凯特卡 ,  B·J·A·英曼 ,  J·欧文 ,  E·J·小卡瓦基 ,  N·A·唐尼

    IPC分类号： F17D1/04

    CPC分类号： C07C7/09 ,  C07C11/24

    摘要： 本发明涉及一种提供乙炔到使用点的系统和工艺，所述乙炔尤其是高纯度水平的(例如，含有百万分之100(“ppm”)，或者10ppm，或者1ppm，或者十亿分之100(“ppb”)，或者10ppb，或者1ppb或者更少的溶剂)，用于例如半导体生产工艺。一方面，提供一种含有100ppm或更少溶剂的高纯度乙炔的到使用点的工艺过程包括：提供一种含有乙炔和溶剂的温度从20℃到-50℃的乙炔原料流；在温度为-50℃到30℃下，引入乙炔原料流到纯化器中以除去其中含有的至少一部分溶剂，从而得到高纯度的乙炔。

    多孔低介电常数组合物、其制备方法及其使用方法
    8.
    发明公开
    多孔低介电常数组合物、其制备方法及其使用方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN1782124A

    公开(公告)日：2006-06-07

    申请号：CN200510129199.9

    申请日：2005-09-28

    申请人： 气体产品与化学公司

    发明人： A·S·鲁卡斯 ,  E·J·小卡瓦基 ,  M·L·奥内尔 ,  J·L·文森特 ,  R·N·维蒂斯

    IPC分类号： C23C16/448 ,  H01L21/31 ,  H01L27/12

    摘要： 本发明披露了一种多孔有机硅酸盐玻璃(OSG)薄膜：SivOwCxHyFz，其中v+w+x+y+z＝100％，v为10－35％原子，w为10－65％原子，x为5－30％原子，y为10－50％原子，而z为0－15％原子，所述薄膜具有带碳键如甲基(Si－CH3)的硅酸盐网络并且有直径小于3nm当量球体直径的孔，且介电常数小于2.7。由有机硅烷和/或有机硅氧烷前体，以及独立的成孔前体，通过化学气相淀积方法沉积预备薄膜。成孔剂前体在预备薄膜内形成孔，随后被除去以提供多孔薄膜。组合物，即成膜成套工具包括：含至少一个Si－H键的有机硅烷和/或有机硅氧烷化合物，以及含醇、醚、羰基、羧酸、酯、硝基、伯胺、仲胺和/或叔胺官能团或其组合的烃的成孔剂前体。