-
公开(公告)号:CN105801612A
公开(公告)日:2016-07-27
申请号:CN201610141031.8
申请日:2013-06-03
申请人: 气体产品与化学公司
IPC分类号: C07F7/10 , C23C16/34 , C23C16/36 , C23C16/40 , C23C16/455
摘要: 有机氨基乙硅烷前体和包含该前体的薄膜沉积的方法。本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面,提供式I的前体:其中R1选自直链或支链C3?C10烷基、直链或支链C3?C10烯基、直链或支链C3?C10炔基、C1?C6二烷基氨基、吸电子基团和C6?C10芳基;R2选自氢、直链或支链C1?C10烷基、直链或支链C3?C6烯基、直链或支链C3?C6炔基、C1?C6二烷基氨基、C6?C10芳基、直链或支链C1?C6氟化烷基、吸电子基团和C4?C10芳基;任选地其中R1和R2连接在一起形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环;且n=1或2。
-
公开(公告)号:CN103450242A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:CN201310220939.4
申请日:2013-06-03
申请人: 气体产品与化学公司
CPC分类号: H01L21/02211 , C01B21/0682 , C01B21/0828 , C01B33/021 , C01B33/126 , C01P2002/02 , C07F7/025 , C07F7/10 , C09D1/00 , C09D7/20 , C23C16/18 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/45525 , C23C16/45536 , C23C16/45542 , C23C16/45553 , C23C16/46 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/02219 , H01L21/02271 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , Y10T428/13
摘要: 本文描述了形成含硅薄膜的前体和方法。一方面,提供式I的前体:其中R1选自直链或支链C3-C10烷基、直链或支链C3-C10烯基、直链或支链C3-C10炔基、C1-C6二烷基氨基、吸电子基团和C6-C10芳基;R2选自氢、直链或支链C1-C10烷基、直链或支链C3-C6烯基、直链或支链C3-C6炔基、C1-C6二烷基氨基、C6-C10芳基、直链或支链C1-C6氟化烷基、吸电子基团和C4-C10芳基;任选地其中R1和R2连接在一起形成选自取代或未取代的芳族环或者取代或未取代的脂族环的环;且n=1或2。
-
公开(公告)号:CN103311119A
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201310086430.5
申请日:2013-03-18
申请人: 气体产品与化学公司
IPC分类号: H01L21/316
CPC分类号: C09D5/00 , C23C18/122 , C23C18/1254 , C23C18/1295
摘要: 本发明是有机硅烷溶胶-凝胶反应的催化剂合成,提供了包含第一有机硅烷前体和卤化试剂的制剂,其中至少一部分或全部卤化试剂进行反应以提供第二有机硅烷前体。还提供由容易获得的纯物质原位产生这种制剂的方法。进一步提供采用所述制剂作为前体用于可流动汽相沉淀过程的方法。
-
公开(公告)号:CN103203250A
公开(公告)日:2013-07-17
申请号:CN201310032372.8
申请日:2013-01-17
申请人: 气体产品与化学公司
CPC分类号: C09D1/00 , B65B1/04 , C08G77/04 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282
摘要: 本发明涉及包含选自烷氧基硅烷、芳氧基硅烷或烷基烷氧基硅烷的含硅前体和包括卤代烷氧基烷基硅烷或卤代芳氧基烷基硅烷的催化剂化合物的稳定制剂,其中含硅前体和催化剂化合物中的取代基如本文所述的是相同的。更具体地,该制剂包含包括具有式Si(OR1)nR24-n的烷氧基烷基硅烷或芳氧基硅烷的含硅前体和包括具有式XSi(OR1)nR23-n的卤代烷氧基烷基硅烷的催化剂,或者包含包括具有式R23-p(R1O)pSi-R3-Si(OR1)pR23-p的烷氧基硅烷或芳氧基硅烷的含硅前体和包括具有式(R1O)mR22-m(X)Si-R3-Si(OR4)2R5的卤代烷氧基烷基硅烷或卤代芳氧基烷基硅烷的催化剂,其中至少一个或所有的R1和R2取代基在含硅前体和催化剂化合物中如本文所述的是相同的。制剂可以用于半导体沉积工艺,例如,流动式氧化硅工艺。
-
-
-