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公开(公告)号：CN103224510B
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201310051550.1
申请日：2013-01-28
申请人： 气体产品与化学公司
CPC分类号： C09D7/1233 , C07F7/10 , C07F7/188 , C09D7/63
摘要： 本文描述了具有式I的烷氧基氨基硅烷化合物以及用于沉积含硅薄膜的方法和组合物：(R1R2)NSiR3OR4OR5 式(I)其中R1独立地选自直链或支链C1?C10烷基、C2?C12烯基、C2?C12炔基、C4?C10环烷基和C6?C10芳基；R2和R3各自独立地选自氢、直链或支链C1?C10烷基、C3?C12烯基、C3?C12炔基、C4?C10环烷基和C6?C10芳基；且R4和R5各自独立地选自直链或支链C1?C10烷基、C2?C12烯基、C2?C12炔基、C4?C10环烷基和C6?C10芳基。
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公开(公告)号：CN104672265A
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201410486674.7
申请日：2014-09-22
申请人： 气体产品与化学公司
IPC分类号： C07F7/10 , C23C16/44 , C23C16/513
摘要： 本文描述了形成含硅膜的前体和方法。一方面，所述前体包含由下式A-E之一表示的化合物：在一个特定的实施方式中，所述有机氨基硅烷前体对低温(例如，350℃或更低)下的氧化硅或碳掺杂的氧化硅膜的原子层沉积(ALD)或等离子体增强原子层沉积(PEALD)有效。此外，本文描述了包含本文所述的有机氨基硅烷的组合物，其中所述有机氨基硅烷基本上不含选自胺、卤化物(例如Cl、F、I、Br)、较高分子量物质和痕量金属中的至少一种。
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公开(公告)号：CN102827198B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201210288836.7
申请日：2012-05-24
申请人： 气体产品与化学公司
CPC分类号： C23C16/24 , C07F7/025 , C07F7/10 , C23C16/308 , C23C16/32 , C23C16/345 , C23C16/347 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/0228
摘要： 本文描述了可用于沉积包含硅的含硅薄膜的有机氨基硅烷前体和制备这些前体的方法。本文还公开了制备含硅薄膜或者使用本文所述的有机氨基硅烷前体制备含硅薄膜的方法。本文还公开了可以例如，用于向反应器中传输有机氨基硅烷前体以沉积含硅薄膜的包含有机氨基硅烷前体或其组合物的容器。
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公开(公告)号：CN102827198A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201210288836.7
申请日：2012-05-24
申请人： 气体产品与化学公司
CPC分类号： C23C16/24 , C07F7/025 , C07F7/10 , C23C16/308 , C23C16/32 , C23C16/345 , C23C16/347 , C23C16/401 , C23C16/402 , C23C16/45553 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/02219 , H01L21/0228
摘要： 本文描述了可用于沉积包含硅的含硅薄膜的有机氨基硅烷前体和制备这些前体的方法。本文还公开了制备含硅薄膜或者使用本文所述的有机氨基硅烷前体制备含硅薄膜的方法。本文还公开了可以例如，用于向反应器中传输有机氨基硅烷前体以沉积含硅薄膜的包含有机氨基硅烷前体或其组合物的容器。
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公开(公告)号：CN103311119A
公开(公告)日：2013-09-18
申请号：CN201310086430.5
申请日：2013-03-18
申请人： 气体产品与化学公司
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： C09D5/00 , C23C18/122 , C23C18/1254 , C23C18/1295
摘要： 本发明是有机硅烷溶胶-凝胶反应的催化剂合成，提供了包含第一有机硅烷前体和卤化试剂的制剂，其中至少一部分或全部卤化试剂进行反应以提供第二有机硅烷前体。还提供由容易获得的纯物质原位产生这种制剂的方法。进一步提供采用所述制剂作为前体用于可流动汽相沉淀过程的方法。
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公开(公告)号：CN103224510A
公开(公告)日：2013-07-31
申请号：CN201310051550.1
申请日：2013-01-28
申请人： 气体产品与化学公司
CPC分类号： C09D7/1233 , C07F7/10 , C07F7/188 , C09D7/63
摘要： 本文描述了具有式I的烷氧基氨基硅烷化合物以及用于沉积含硅薄膜的方法和组合物：(R1R2)NSiR3OR4OR5 式(I)其中R1独立地选自直链或支链C1-C10烷基、C2-C12烯基、C2-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；R2和R3各自独立地选自氢、直链或支链C1-C10烷基、C3-C12烯基、C3-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基；且R4和R5各自独立地选自直链或支链C1-C10烷基、C2-C12烯基、C2-C12炔基、C4-C10环烷基和C6-C10芳基。
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公开(公告)号：CN103203250A
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN201310032372.8
申请日：2013-01-17
申请人： 气体产品与化学公司
CPC分类号： C09D1/00 , B65B1/04 , C08G77/04 , H01L21/02126 , H01L21/02216 , H01L21/02282
摘要： 本发明涉及包含选自烷氧基硅烷、芳氧基硅烷或烷基烷氧基硅烷的含硅前体和包括卤代烷氧基烷基硅烷或卤代芳氧基烷基硅烷的催化剂化合物的稳定制剂，其中含硅前体和催化剂化合物中的取代基如本文所述的是相同的。更具体地，该制剂包含包括具有式Si(OR1)nR24-n的烷氧基烷基硅烷或芳氧基硅烷的含硅前体和包括具有式XSi(OR1)nR23-n的卤代烷氧基烷基硅烷的催化剂，或者包含包括具有式R23-p(R1O)pSi-R3-Si(OR1)pR23-p的烷氧基硅烷或芳氧基硅烷的含硅前体和包括具有式(R1O)mR22-m(X)Si-R3-Si(OR4)2R5的卤代烷氧基烷基硅烷或卤代芳氧基烷基硅烷的催化剂，其中至少一个或所有的R1和R2取代基在含硅前体和催化剂化合物中如本文所述的是相同的。制剂可以用于半导体沉积工艺，例如，流动式氧化硅工艺。
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公开(公告)号：CN105801616A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610162014.2
申请日：2013-12-11
申请人： 气体产品与化学公司
摘要： 本发明描述了具有下述式A或式B的烷氧基甲硅烷基胺前体：其中R1和R4独立地选自直链或支链C1至C10烷基、C3至C12烯基、C3至C12炔基、C4至C10环烷基和C6至C10芳基，并且其中R2、R3、R5和R6独立地选自氢、直链或支链C1至C10烷基、C2至C12烯基、C2至C12炔基、C4至C10环烷基、C6至C10芳基以及直链或支链C1至C10烷氧基。本文还描述了使用至少一种具有本文所述的式A和/或B的前体的沉积工艺。
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公开(公告)号：CN103864837A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310698533.7
申请日：2013-12-11
申请人： 气体产品与化学公司
CPC分类号： B65D25/14 , C07F7/10 , C07F7/1804 , C23C16/00
摘要： 本发明描述了具有下述式A或式B的烷氧基甲硅烷基胺前体：其中R1和R4独立地选自直链或支链C1至C10烷基、C3至C12烯基、C3至C12炔基、C4至C10环烷基和C6至C10芳基，并且其中R2、R3、R5和R6独立地选自氢、直链或支链C1至C10烷基、C2至C12烯基、C2至C12炔基、C4至C10环烷基、C6至C10芳基以及直链或支链C1至C10烷氧基。本文还描述了使用至少一种具有本文所述的式A和／或B的前体的沉积工艺。
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