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公开(公告)号：CN112647059B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202011477889.4
申请日：2020-12-14
申请人： 江南大学
IPC分类号： C07F15/04
摘要： 本发明公开了一种利用原子层沉积技术快速生长NixC薄膜的方法，属于纳米材料领域，将衬底置于反应腔，在真空下，以式1所示结构的化合物为Ni前驱体，以甲酸、乙酸、丙酸、丁酸中的一种或几种为碳源；以脉冲形式向反应腔中通入气相Ni前驱体，得到沉积有Ni前驱体的衬底；然后充入惰性气体进行吹扫后，将气相碳源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的Ni前驱体进行反应，得到含单原子层NixC薄膜的衬底；再向充入惰性气体清洗；重复上述ALD生长循环多次，即可得到生长NixC薄膜的衬底。本发明沉积速率高，沉积速率可达0.196nm/循环，且本发明所制备的NixC薄膜的电阻率低。
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公开(公告)号：CN109550514B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN201811444914.1
申请日：2018-11-29
申请人： 江南大学
IPC分类号： B01J27/185 , B01J35/00 , B01J37/00 , B01J37/16
摘要： 本发明公开了一种M1/M2xP型单原子催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)在惰性气氛下，将具备缺电子结构的M1金属有机配合物M1L2或M12L2溶于有机溶剂A中，得到金属有机配合物溶液；(2)将M2xP型金属磷化物加入至有机溶剂B中，再于惰性气氛下向其中滴加金属有机配合物溶液，滴加完后，于惰性气氛下进行反应；(3)步骤(2)反应完成后，向体系中加入还原剂进行还原反应，将还原反应后的混合液过滤，滤渣经洗涤后烘干，即得到所述的M1/M2xP型单原子催化剂。本发明采用全新的配位法制备单原子催化剂，可实现在多种含磷基底上负载各种金属单原子，制备得到不同种类的单原子催化剂，本发明制备的单原子催化剂分散度、活性位点以及负载量可控。
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公开(公告)号：CN112442675A
公开(公告)日：2021-03-05
申请号：CN202011326668.7
申请日：2020-11-24
申请人： 江南大学
IPC分类号： C23C16/32 , C23C16/455 , C23C16/52
摘要： 本发明公开了一种纳米碳化锰材料的制备方法，属于纳米材料领域。本发明方法包括以下步骤：将衬底置于热原子层沉积设备反应腔中，真空条件下以脉冲形式向反应腔中通入气相锰源进行沉积；吹扫后将碳源以脉冲形式通入反应腔，与沉积在衬底上的锰源进行单原子反应，得到单原子层的碳化锰材料，所述锰源为式1～2结构的锰源，碳源为甲醛、乙醛、丙醛或丁醛的一种；再次吹扫，完成一个ALD循环，将上述循环过程重复多次，即可得到一定厚度的纳米碳化锰材料。本发明采用了式1～2结构的锰源与碳源组合，将其进一步应用在原子层沉积技术中，使其能够在纳米级的衬底上沉积形成保型性较好且电阻率低的含碳化锰沉积层。
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公开(公告)号：CN104557999B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201510067153.2
申请日：2015-02-09
申请人： 江南大学
摘要： 一种新型薄膜沉积铝前驱体，其特征在于，具有如下的结构式(I)的分子结构，其中，R1、R2、R3、R4、R5表示氢原子、C1～C6烷基、C2～C5链烯基、C3～C10环烷基、C6～C10芳基或—Si(R0)3、以及上述基团的卤素取代基团，其中R0为C1～C6烷基或者其卤素取代基团，R1、R2、R3、R4、R5相同或相异。依照本发明，研发了热稳定好、不易分解的薄膜沉积前驱体，便于储存和运输，高温挥发性好，可通过CVD/ALD工艺制备含铝薄膜如铝金属薄膜、含铝的氧化物薄膜、含铝的氮化物薄膜、含铝的合金薄膜，成膜性能优良。
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公开(公告)号：CN109569720A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811443725.2
申请日：2018-11-29
申请人： 江南大学
IPC分类号： B01J31/04 , B01J23/72 , B01J23/75 , B01J23/755 , B01J27/24
摘要： 本发明公开了一种以羧基化碳基材料为载体的金属单原子催化剂的制备方法，包括以下步骤：(1)在惰性气氛下，将金属有机配合物溶解于有机溶剂A中，得到金属有机配合物溶液；(2)将得到的金属有机配合物溶液与羧基化的碳基材料于惰性气氛下进行反应，得到中间体产物；(3)将得到的中间体产物在惰性气氛下分散于有机溶剂B中，再加入还原剂于惰性气氛下进行还原反应，将还原后的混合液过滤，滤渣经洗涤后，即得到所述的金属单原子催化剂。本发明方法制备的金属单原子催化剂，表面的金属原子分散性和活性位点相对可控，普遍适用于多种金属单原子催化剂的合成，可用于能源、催化、医药及生物等合成催化领域。
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公开(公告)号：CN108047274A
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201711351136.7
申请日：2017-12-15
申请人： 江南大学
IPC分类号： C07F13/00 , C07D213/74 , C07F7/10 , H01L23/532
摘要： 本发明公开了一种铜互连阻挡层材料用吡啶基Mn(Ⅱ)化合物，属于微电子材料技术领域。本发明所得到的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物可以用作CVD/ALD的前驱体，通过化学气相沉积(CVD)或原子层沉积(ALD)工艺，制备Mn基薄膜如MnSiOx。本发明的吡啶基Mn(Ⅱ)化合物(1)合成方法简便，条件温和，大大降低了前驱体材料的合成成本；(2)在正己烷，甲苯，乙醚，二氯甲烷，四氢呋喃等有机溶剂中都有较好的溶解性，使得材料运输，输送，加工过程变得简便易操作；(3)有良好的挥发性和热稳定性，常压下三甲基硅氨基吡啶锰前驱体的T50为255℃，最小残余量达3.3％；(4)具有良好的成膜性能，三甲基硅氨基吡啶锰前驱体以N2为载气，O2为氧源450℃条件下，可形成良好的CVD MnSiOx膜。
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公开(公告)号：CN104447839B
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：CN201410625636.5
申请日：2014-11-06
申请人： 江南大学
摘要： 本发明涉及一种氨基吡啶基硅化合物，采用以下方法制备：(1)将氨基吡啶或其衍生物溶解在反应溶剂中，在‑78～0℃搅拌条件下加入烷基锂溶液，氨基吡啶或其衍生物与烷基锂的摩尔比为1:1～1.2；恢复到室温后继续搅拌反应0.5～3小时，得到反应混合物；(2)将步骤(1)得到的反应混合物过滤，得到锂盐固体，将锂盐固体溶于有机溶剂中，得到锂盐溶液；(3)在‑78～0℃按照锂盐与含硅反应物摩尔比1～4：1，向锂盐溶液中滴加含硅反应物或其溶液，升至一定温度反应3～10小时；(4)将步骤(3)得到的反应混合物进行过滤，滤液浓缩后结晶或减压蒸馏得到氨基吡啶基硅化合物。本发明所述化合物可以在集成电路生产中用于制备氮化硅、含碳氮化硅等薄膜。
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公开(公告)号：CN106853330A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：CN201510923669.2
申请日：2015-12-09
申请人： 江南大学
CPC分类号： Y02A50/2344 , B01D53/78 , B01D53/60 , B01D53/96 , B01D2259/124
摘要： 本发明涉及一种氮氧废气膜吸收资源化处理方法，属于化学吸收处理和膜分离技术领域。一种氮氧废气膜吸收资源化处理方法，具体步骤如下：(1)配置巯基丙酸合钴水溶液作为膜吸收剂；(2)采用中空纤维膜接触器；(3)膜吸收反应后的吸收液经离子交换树脂可以回收钴离子，可配置成新的吸收液循环使用，生成的硝酸盐可作农用化肥进一步利用。同时气体中共存的SO2对NO去除率无影响，且SO2吸收率将近100％。本发明把传统的化学吸收处理方法和高效的膜分离技术相结合，操作条件温和，处理周期短，处理效率高，吸收产物可充分利用，吸收液可循环使用，从而基本实现对氮氧化物废气的资源化处理。
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公开(公告)号：CN104710257B
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201310681378.8
申请日：2013-12-13
申请人： 江南大学
IPC分类号： C07B43/04 , C07C211/48 , C07C211/52 , C07C209/64 , C07C217/84 , C07C213/02 , C07D213/74 , C07D241/20
摘要： 本发明公开了一种通过一级胺与三级胺反应得到二级胺的新方法。其特征在于，按如下步骤进行：(1)将一级胺与三级胺按摩尔比1：3加入到反应容器中，加入[(Bt)2*Ir*P(nBu)3]OTf作为催化剂(Bt为苯基苯并噻唑)，再加入有机溶剂，在120～160℃的条件下反应6～12h；所述一级胺与三级胺、催化剂的物质的量之比为1：3：0.01。(2)经200～300目的硅胶柱纯化，用20～50mL石油醚预淋洗硅胶柱后，采用淋洗液进行洗脱，淋洗液流速为1～2mL/min，洗脱时间为3～6h，除去溶剂后，即得到所述对应的二级胺产物，在研究中发现，利用新方法催化一级胺与三级胺反应得到二级胺，具有条件温和，转化率高，无污染物产生等特点，本方法弥补现有合成二级胺生
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