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公开(公告)号：CN102945904A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210388260.1
申请日：2012-10-13
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 本发明涉及一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，包括衬底及位于衬底上方的P电极和N电极，衬底上淀积N型氮化镓层；在所述N型氮化镓层上设有量子阱，量子阱上设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上设有透明导电层，透明导电层上淀积有钝化层，在钝化层上设有接触孔，P电极填充于该接触孔内，P电极与透明导电层等电位连接；其特征是：在所述P电极下方的P型氮化镓层上刻蚀形成P型蚀刻区，P型蚀刻区从P型氮化镓层的上表面向N型氮化镓层的方向延伸，P型蚀刻区在P型氮化镓层内延伸的距离小于P型氮化镓层的厚度，P电极填充于P型蚀刻区内。本发明可以避免电势线过渡聚集时产生电流堵塞，降低电流堵塞产生的发热现象。
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公开(公告)号：CN102867898A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210389162.X
申请日：2012-10-13
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种发光二极管芯片结构，包括衬底、P电极和N电极，衬底上淀积N型氮化镓层，在N型氮化镓层上设有量子阱，量子阱上设有P型氮化镓层；其特征是：所述P型氮化镓层上设有第一反射层，N型氮化镓层的端部刻蚀形成台阶，在台阶上设有第二反射层；所述第一反射层和P型氮化镓层上设有透明导电层，在透明导电层上淀积钝化层，钝化层包覆透明导电层下方的P型氮化镓层、N型氮化镓层和量子阱；在所述钝化层上设有第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔的底部与第一反射层相接触，第二接触孔的底部与第二反射层相接触，P电极填充于第一接触孔内，N电极填充于第二接触孔内。本发明提高了芯片的出光效率，延长了LED芯片使用寿命，安全可靠。
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公开(公告)号：CN103745918A
公开(公告)日：2014-04-23
申请号：CN201410006617.4
申请日：2014-01-07
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02032 , H01L21/02082 , H01L21/02096
摘要： 本发明涉及一种图形化蓝宝石报废片再利用方法，属于蓝宝石衬底加工的技术领域。按照本发明提供的技术方案，一种图形化蓝宝石报废片再利用方法，所述图形化蓝宝石报废片再利用方法包括如下步骤：a、对报废的图形化蓝宝石衬底进行清洗，以去除图形化蓝宝石衬底上的掩膜层；b、对上述得到的图形化蓝宝石衬底利用混合酸溶液腐蚀，以去除蓝宝石衬底上的图形；c、对上述得到的蓝宝石衬底再次利用混合酸溶液腐蚀，以降低蓝宝石衬底的表面粗造度；d、对上述得到的蓝宝石衬底进行清洗，以便在所述蓝宝石衬底上制备所需图形。本发明工艺步骤简单，能提高图形化蓝宝石报废片的利用率，降低图形化蓝宝石衬底的制备成本，安全可靠。
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公开(公告)号：CN102945853A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210388184.4
申请日：2012-10-13
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
摘要： 本发明涉及一种改善静电防护的发光二级管的结构，包括衬底、第一电极和第二电极，衬底上依次设置缓冲层和N型半导体层，其特征是：所述N型半导体层和缓冲层区分成第一岛状结构、第二岛状结构和第三岛状结构，在第二岛状结构和第三岛状结构上依次设置有源层和P型半导体层，在第三岛状结构上的P型半导体层上设置透明导电层；在所述第一岛状结构、第二岛状结构上的P型半导体层、透明导电层上设置钝化层，第一电极穿过钝化层与透明导电层和第二岛状结构中的N型半导体层连接，第二电极穿过钝化层与第一岛状结构中的N型半导体层和第二岛状结构上的P型半导体层连接。本发明有效的提高了静电防护，减少静电带来的损伤，延长了LED芯片使用寿命。
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公开(公告)号：CN202871793U
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201220523810.1
申请日：2012-10-13
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种改善静电防护的发光二极管的结构，包括衬底、第一电极和第二电极，衬底上依次设置缓冲层和N型半导体层，其特征是：所述N型半导体层和缓冲层区分成第一岛状结构、第二岛状结构和第三岛状结构，在第二岛状结构和第三岛状结构上依次设置有源层和P型半导体层，在第三岛状结构上的P型半导体层上设置透明导电层；在所述第一岛状结构、第二岛状结构上的P型半导体层、透明导电层上设置钝化层，第一电极穿过钝化层与透明导电层和第二岛状结构中的N型半导体层连接，第二电极穿过钝化层与第一岛状结构中的N型半导体层和第二岛状结构上的P型半导体层连接。本实用新型有效的提高了静电防护，减少静电带来的损伤，延长了LED芯片使用寿命。
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公开(公告)号：CN202871851U
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201220525217.0
申请日：2012-10-13
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
摘要： 本实用新型涉及一种发光二极管芯片结构，包括衬底、P电极和N电极，衬底上淀积N型氮化镓层，在N型氮化镓层上设有量子阱，量子阱上设有P型氮化镓层；其特征是：所述P型氮化镓层上设有第一反射层，N型氮化镓层的端部刻蚀形成台阶，在台阶上设有第二反射层；所述第一反射层和P型氮化镓层上设有透明导电层，在透明导电层上淀积钝化层，钝化层包覆透明导电层下方的P型氮化镓层、N型氮化镓层和量子阱；在所述钝化层上设有第一接触孔和第二接触孔，第一接触孔的底部与第一反射层相接触，第二接触孔的底部与第二反射层相接触，P电极填充于第一接触孔内，N电极填充于第二接触孔内。本实用新型提高了芯片的出光效率，延长了LED芯片使用寿命，安全可靠。
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公开(公告)号：CN202871850U
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201220524474.2
申请日：2012-10-13
申请人： 江苏新广联科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/14
摘要： 本实用新型涉及一种氮化镓基同侧电极发光二极管芯片结构，包括衬底及位于衬底上方的P电极和N电极，衬底上淀积N型氮化镓层；在所述N型氮化镓层上设有量子阱，量子阱上设有P型氮化镓层，P型氮化镓层上设有透明导电层，透明导电层上淀积有钝化层，在钝化层上设有接触孔，P电极填充于该接触孔内，P电极与透明导电层等电位连接；其特征是：在所述P电极下方的P型氮化镓层上刻蚀形成P型蚀刻区，P型蚀刻区从P型氮化镓层的上表面向N型氮化镓层的方向延伸，P型蚀刻区在P型氮化镓层内延伸的距离小于P型氮化镓层的厚度，P电极填充于P型蚀刻区内。本实用新型可以避免电势线过渡聚集时产生电流堵塞，降低电流堵塞产生的发热现象。
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