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公开(公告)号：CN111710743A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010558374.0
申请日：2020-06-18
Applicant: 浙江浙能技术研究院有限公司 , 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/068 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明涉及一种新型多层隧穿结及其在双结叠层电池，包括：晶硅衬底、第一超薄介质层、第一层重掺杂硅薄膜、第二超薄介质层和第二层重掺杂硅薄膜；在新型多层隧穿结内部，从上至下依次为:第二层重掺杂硅薄膜、第二超薄介质层、第一层重掺杂硅薄膜、第一超薄介质层和晶硅衬底；所述晶硅衬底为n型晶体硅或p型晶体硅。本发明的有益效果是：基于硅衬底-介质层-第一层硅薄膜的结构是一种名为钝化隧穿的晶硅电池技术。该技术具有良好的硅片表面钝化效应和载流子收集效应，采用该钝化接触结构可以实现全表面的载流子收集，无需借助金属电极，从而使得整个硅片表面的载流子复合速率非常低。
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公开(公告)号：CN115101619B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202210633256.0
申请日：2022-06-07
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
Abstract: 本发明涉及一种基于隧穿氧化层钝化接触结构的选择性发射极及其制备方法和应用，包括：低方阻电极区域以及高方阻非电极区域，低方阻电极区域包括：晶体硅衬底；TOPCon结构层，其设置在晶体硅衬底上，其中TOPCon结构层包括隧穿超薄氧化层和设置在隧穿超薄氧化层上的重掺杂非晶硅层；和金属电极层，其设置在重掺杂非晶硅层；高方阻非电极区域包括：晶体硅衬底；钝化层，其设置在晶体硅衬底上；和减反射层，其设置在钝化层上；和隧穿超薄氧化层，其设置在减反射层上。本发明选择性发射极不仅可以提供常规的选择性发射极功能，同时既能够避免激光烧蚀损伤降低效率，又能钝化接触，降低复合电流，从多方面最大限度提升电池效率。
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公开(公告)号：CN118073431A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410047266.5
申请日：2024-01-12
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0236 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种用于绒面硅片钝化的隧穿氧化物钝化接触结构及其制备方法，隧穿氧化物钝化接触结构包括依次层叠设置在硅衬底表面的介质层、第一多晶硅层和第二多晶硅层，所述硅衬底的表面为随机金字塔绒面，所述介质层的材料为氧化硅薄膜，所述第一多晶硅层的材料为含碳多晶硅薄膜，所述第二多晶硅层的材料为常规多晶硅薄膜。本发明通过氧化硅、含碳多晶硅和常规多晶硅形成复合结构，可以消除常规多晶硅在金字塔谷底的剥离现象，提升对随机金字塔绒面钝化效果。
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公开(公告)号：CN117936597A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202311841918.4
申请日：2023-12-29
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明提供一种功能多晶硅隧穿氧化硅钝化接触结构(TOPCon)及其制备方法，功能多晶硅隧穿氧化硅钝化接触结构包括依次层叠设置的晶硅衬底、纳米氧化硅和功能多晶硅结构，功能多晶硅结构由碳、氮共掺多晶硅层构成，或者由掺碳多晶硅层和掺氮多晶硅层交替叠层构成。本发明利用掺杂工程制备出了功能不同的新型多晶硅，即掺碳多晶硅、掺氮多晶硅和碳、氮共掺多晶硅，并形成功能多晶硅结构，发挥碳和氮掺杂原子不同的功能作用，同时实现对硅片体内钝化和表面钝化，进而获得超高钝化性能的TOPCon结构，该结构具有超高的少子寿命、隐含开路电压和超低的表面复合电流，并且能在一定程度上增强硅片的机械强度。
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公开(公告)号：CN116936675A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310764096.8
申请日：2023-06-26
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/068
Abstract: 本发明实施例提供了一种钝化接触结构、太阳能电池制造方法及太阳能电池，其中，所述钝化接触结构的制造方法包括：在衬底上形成隧穿层；在所述隧穿层上形成掺杂多晶硅层；在预定区域的所述掺杂多晶硅层表面形成掩模层，所述掩模层包括氧化硅层；去除所述预定区域之外的所述掺杂多晶硅层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113314630B
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202110428229.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜，包括位于衬底背面的隧穿层、位于隧穿层背面的掺杂多晶硅层、位于掺杂多晶硅层背面的烧结电极，还包括位于掺杂多晶硅层和烧结电极之间的第一硅氧纳米晶层。本发明提供一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜，增加掺杂的硅氧纳米晶层作为电极金属扩散的势垒层，防止金属浆料烧结时烧穿多晶硅层与晶体硅直接接触，阻挡电极金属向衬底扩散；本发明还提供了一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜的制备方法和应用，其将制备隧穿层与掺杂多晶硅层中的退火晶化过程与制备烧结电极中的高温烧结过程合二为一，降低成本；将含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜应用于太阳能电池，提高电池效率。
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公开(公告)号：CN115483297A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210951267.3
申请日：2022-08-09
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18 , C23C16/24 , C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56
Abstract: 本发明提供一种隧穿氧化物钝化接触结构及其制备方法和太阳电池，隧穿氧化物钝化接触结构包括硅片基底，所述硅片基底上设有隧穿层，所述隧穿层为氧化镓薄膜，所述氧化镓薄膜上设有多晶硅薄膜。本发明以氧化镓薄膜作为钝化结构的隧穿层，氧化镓对硅片表面具有很强钝化能力，有助于提高开路电压，且禁带宽度较小，有利于空穴隧穿、电流传导，从而降低接触电阻率。
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公开(公告)号：CN113314630A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110428229.5
申请日：2021-04-21
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0368 , H01L31/068 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜，包括位于衬底背面的隧穿层、位于隧穿层背面的掺杂多晶硅层、位于掺杂多晶硅层背面的烧结电极，还包括位于掺杂多晶硅层和烧结电极之间的第一硅氧纳米晶层。本发明提供一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜，增加掺杂的硅氧纳米晶层作为电极金属扩散的势垒层，防止金属浆料烧结时烧穿多晶硅层与晶体硅直接接触，阻挡电极金属向衬底扩散；本发明还提供了一种含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜的制备方法和应用，其将制备隧穿层与掺杂多晶硅层中的退火晶化过程与制备烧结电极中的高温烧结过程合二为一，降低成本；将含硅氧纳米晶层的多晶硅薄膜应用于太阳能电池，提高电池效率。
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公开(公告)号：CN109786476B
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201811607783.4
申请日：2018-12-27
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0216 , H01L31/02 , H01L31/068
Abstract: 本发明提供一种钝化接触结构，包括钝化接触基体，至少一个表面上集成有硅化物薄膜，且硅化物薄膜中掺杂有硼、磷、铝、镓、氮中的至少一种元素，硅化物薄膜与钝化接触基体表面之间为氧化硅层。本发明的优点是硅化物薄膜层的带隙较大，减少短波长光的寄生吸收，提升太阳电池的短路电流，致密型高，热稳定性好，抑制爆膜和抗银浆烧蚀，电导率优良因此有利于保持良好的填充因子。
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公开(公告)号：CN112635583A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202011488705.4
申请日：2020-12-16
Applicant: 中国科学院宁波材料技术与工程研究所
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , H01L31/054
Abstract: 本发明提供了一种p型多晶硅钝化接触的金属化电极，包括依次叠加设置的晶硅衬底、隧穿层、重掺多晶硅层、第一金属化层和第三金属化层，所述第一金属化层的金属与所述多晶硅层功函数匹配，所述第三金属化层为Al层或Cu层。本申请提供的金属化电极中叠层金属层实现了全表面载流子收集，第一金属化层的载流子传输性能良好，与重掺多晶硅层功函数匹配，能形成良好的欧姆接触，同时第一金属化层的金属在多晶硅中扩散系数低，降低第三金属化层向硅衬底扩散，金属引入缺陷减少，复合降低，降低金属化成本。
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