公开(公告)号：CN118765153A

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN202410860734.0

申请日：2024-06-28

申请人： 深圳大学

发明人： 韩素婷 ,  胡嘉慧 ,  翟永彪 ,  周晔

IPC分类号： H10N30/853 ,  H10N30/87 ,  H10N30/067 ,  H10N30/097 ,  H10N30/057 ,  H10N30/50 ,  H10N30/30 ,  A61F2/10 ,  G01D21/02

摘要： 本发明公开了一种同时感知光热力的电子皮肤及其制备方法，同时感知光热力的电子皮肤包括：依次设置的衬底、底电极、稀土元素掺杂的压电材料层以及顶电极；所述稀土元素掺杂的压电材料层包括：基层和设置于所述基层的若干个金字塔结构，所述金字塔结构位于所述底电极和所述基层之间；所述稀土元素掺杂的压电材料层的稀土元素掺杂的压电材料选自镨铒掺杂的ZnO或镨铒掺杂的NaNbO3。镨铒掺杂的ZnO或镨铒掺杂的NaNbO3可以同时具有感知光、热以及力的功能，形成更加真实的电子皮肤。

公开(公告)号：CN118613063A

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN202410505930.6

申请日：2024-04-25

申请人： 深圳大学

发明人： 翟永彪 ,  韩素婷 ,  段光雄 ,  胡嘉慧 ,  吕子玉 ,  陈沛杰

IPC分类号： H10K10/88 ,  H10K85/50 ,  H10K10/46 ,  G01N27/414

摘要： 本发明公开了一种基于有机无机杂化钙钛矿晶体管型感算一体器件，包括：依次设置的栅极层、栅介质层、异质结沟道层以及源漏电极层；所述异质结沟道层包括：相互连接的有机无机杂化钙钛矿层和富勒烯衍生物层；其中，所述有机无机杂化钙钛矿层与所述栅介质层连接，所述富勒烯衍生物层与所述源漏电极层连接；所述富勒烯衍生物层用于钝化所述有机无机杂化钙钛矿层。由于富勒烯衍生物层的钝化作用不仅可以有效减缓有机无机杂化钙钛矿层变质速度，提高器件稳定性；而且可以通过电荷相互转移，有效减缓被探测气体去除后器件的恢复时间，从而使器件在实现气体传感的基础上具有计算的功能。

公开(公告)号：CN118676213A

公开(公告)日：2024-09-20

申请号：CN202410403206.2

申请日：2024-04-03

申请人： 深圳大学

发明人： 韩素婷 ,  翟永彪 ,  胡嘉慧 ,  吕子玉 ,  陈培杰

IPC分类号： H01L29/786 ,  G06N3/063

摘要： 本发明公开了一种基于二维铁电场效应晶体管可重构神经形态器件，包括：依次设置的栅极层、栅介质层、二维α‑In2Se3铁电半导体沟道层以及源漏电极层；二维α‑In2Se3铁电半导体沟道层的厚度为10～30nm，沟道长度小于2μm。利用二维α‑In2Se3铁电材料面内面外铁电极化耦合效应，通过面外极化效应，利用栅极调控作用实现非易失性突触功能的模拟；利用面内面外极化耦合效应，通过栅压控制面外极化方向向上，基于两端横向忆阻器，通过漏极改变α‑In2Se3铁电面内极化强度，最终影响面外极化方向，实现具有易失特性的神经元功能。最终实现可重构的神经形态器件的开发，可重构的神经形态器件的集成度高且能耗低。