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公开(公告)号：CN103645419B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201310656785.3
申请日：2013-12-06
申请人： 清华大学 , 河北新天科创新能源技术有限公司 , 北京衡天北斗科技有限公司
IPC分类号： G01R31/08
摘要： 本发明提供了一种风电场电力线路的故障预警方法和系统，其中，方法包括：实时采集风电场电力线路上的行波电气量；根据行波电气量判断是否发生扰动，并记录扰动发生的时间；判断扰动是否发生在被监测的电力线路上；在判断结果为是时，计算扰动距离；比较本次扰动距离和上次扰动距离是否一致；在比较结果为一致时，计算被监测的电力线路上最近两次发生扰动的时间间隔；将时间间隔和预设的时间间隔进行比较，在时间间隔小于所述预设的时间间隔时，判定被监测的电力线路上将发生故障，输出故障预警结果。通过本发明，能够实时监测风电场电力线路的运行情况，及时提供风电场故障预警信息，减少风电场故障，提高风电场供电可靠性，保证风电场安全运行。
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公开(公告)号：CN103645419A
公开(公告)日：2014-03-19
申请号：CN201310656785.3
申请日：2013-12-06
申请人： 清华大学 , 河北新天科创新能源技术有限公司 , 北京衡天北斗科技有限公司
IPC分类号： G01R31/08
摘要： 本发明提供了一种风电场电力线路的故障预警方法和系统，其中，方法包括：实时采集风电场电力线路上的行波电气量；根据行波电气量判断是否发生扰动，并记录扰动发生的时间；判断扰动是否发生在被监测的电力线路上；在判断结果为是时，计算扰动距离；比较本次扰动距离和上次扰动距离是否一致；在比较结果为一致时，计算被监测的电力线路上最近两次发生扰动的时间间隔；将时间间隔和预设的时间间隔进行比较，在时间间隔小于所述预设的时间间隔时，判定被监测的电力线路上将发生故障，输出故障预警结果。通过本发明，能够实时监测风电场电力线路的运行情况，及时提供风电场故障预警信息，减少风电场故障，提高风电场供电可靠性，保证风电场安全运行。
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公开(公告)号：CN117956795A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410044093.1
申请日：2024-01-11
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 清华大学
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本公开提供了动态随机存取存储器(DRAM)单元结构及其操作方法。根据本公开的DRAM单元结构包括：存储电容器，包括第一电极和连接到源极线的第二电极；以及选通晶体管，包括：竖直延伸的有源区，包括沿竖直方向从下而上依次设置的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区，其中第一和第二源/漏区中的一个连接到位线，并且另一个连接到存储电容器的第一电极；以及第一和第二栅结构，其中第一栅结构沿竖直方向设置在沟道区的第一侧，并且第二栅结构沿竖直方向设置在沟道区的与第一侧相对的第二侧，其中第一栅结构和第二栅结构在竖直方向上彼此错开并且具有交叠区域。根据本公开的DRAM单元结构及其操作方法，能够降低选通晶体管的漏电流，从而改善开关特性。
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公开(公告)号：CN117953940A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410046586.9
申请日：2024-01-11
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 清华大学
IPC分类号： G11C11/408 , G11C11/4094
摘要： 本公开提供了具有双层字线的竖直型动态随机存取存储器(DRAM)阵列结构。该DRAM阵列结构包括排列成阵列的多个DRAM单元结构。根据本公开的DRAM阵列结构包括：衬底；奇数列或偶数列的DRAM单元结构的第一存储电容器，设置在衬底上；偶数列或奇数列的DRAM单元结构的第一位线，设置在第一存储电容器上方；各DRAM单元结构的选通晶体管，设置在第一存储电容器和第一位线上，其中，邻行的DRAM单元结构的选通晶体管共享第一层字线和第二层字线；奇数列或偶数列的DRAM单元结构的第二位线，设置选通晶体管上；以及偶数列或奇数列的DRAM单元结构的第二存储电容器，设置在第二位线上方，其中，第一存储电容器和第二存储电容器分别排列成第一存储电容器阵列和第二存储电容器阵列。
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公开(公告)号：CN117939881A
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN202410043093.X
申请日：2024-01-11
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 清华大学
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本公开提供了用于制造具有双层字线的竖直型动态随机存取存储器(DRAM)阵列结构的方法，其中DRAM阵列结构包括排列成阵列的多个DRAM单元结构。根据本公开的用于制造DRAM阵列结构的方法包括：在基层上设置停止层和有源层；在有源层中形成沿列方向延伸的多个位线隔离槽和沿行方向延伸的多个字线槽以形成各DRAM单元结构的有源区；在奇数列或偶数列的DRAM单元结构的有源区的一端形成第一存储电容器；在偶数列或奇数列的DRAM单元结构的有源区的一端形成第一位线；翻转DRAM阵列结构并且去除基层和停止层；在奇数列或偶数列的DRAM单元结构的有源区的另一端形成第二位线；以及在偶数列或奇数列的DRAM单元结构的有源区的另一端形成第二存储电容器。
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公开(公告)号：CN117135919A
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310841277.6
申请日：2023-07-10
申请人： 北京超弦存储器研究院 , 清华大学
IPC分类号： H10B12/00
摘要： 本公开提供了用于在半导体结构中埋入导体线的方法以及通过使用该方法形成的具有埋入导体线的半导体结构。根据本公开的方法包括：在衬底上依次设置阱区、牺牲层、有源层和掩模层；对掩模层进行构图和刻蚀以形成硬掩模阻挡部，并且在硬掩模阻挡部的两侧形成侧墙；使用硬掩模阻挡部和侧墙自对准刻蚀有源层、牺牲层和阱区以形成延伸至衬底中的第一槽；使用第一隔离介质填充第一槽；去除硬掩模阻挡部，并且使用侧墙自对准刻蚀有源层以形成使牺牲层暴露的第二槽；通过第二槽去除牺牲层以通过第二槽在有源层下方埋入导体线，第二槽延伸至衬底；以及使用第二隔离介质填充第二槽。
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公开(公告)号：CN113130657B
公开(公告)日：2023-06-30
申请号：CN201911392800.1
申请日：2019-12-30
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/49 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种晶体管及其制备方法。该晶体管包括：有源层、介质层、偶极子种子层和栅极。介质层设置在该有源层的表面上；偶极子种子层设置在该介质层的远离该有源层的表面上；栅极设置在该偶极子种子层的远离该介质层的表面上。根据本发明所提供的无结型场效应晶体管具备减少泄漏电流，降低静态功耗，提高器件性能的稳定性的技术效果。
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公开(公告)号：CN107480180A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：CN201710541731.0
申请日：2017-07-05
申请人： 北京辰安信息科技有限公司 , 清华大学 , 北京辰安科技股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了一种道路数据的处理方法、道路定位方法、装置及系统。一方面，本发明实施例通过基于指定长度，在经度方向上和纬度方向上对指定地理范围进行划分，得到多个网格；从而，根据每个网格的经纬度信息生成每个网格的标识信息，根据每个网格的经纬度信息获取该网格所覆盖的道路；进而利用哈希表对应存储每个网格与每个网格所覆盖的道路的属性信息的映射关系。本发明实施例提供的技术方案用以提高获取实时定位数据所匹配的道路的速度。
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公开(公告)号：CN118434157A
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202410423504.8
申请日：2024-04-09
申请人： 清华大学
摘要： 本公开提供了忆阻器存储单元和阵列及其操作方法和制造方法。根据本公开的忆阻器存储单元包括：忆阻器，包括第一电极和连接到位线的第二电极；以及选通晶体管，包括：竖直延伸的有源区，包括沿竖直方向从下而上依次设置的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区，其中第一源/漏区和第二源/漏区中的一个连接到源线，并且另一个连接到忆阻器的第一电极；以及第一至第四栅结构，其中第一栅结构和第二栅结构沿竖直方向从下而上设置在沟道区的第一侧，并且第三栅结构和第四栅结构沿竖直方向从下而上设置在沟道区的与第一侧相对的第二侧。根据本公开的忆阻器存储单元和阵列及其操作方法和制造方法，能够降低选通晶体管的漏电流，从而改善开关特性。
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