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公开(公告)号:CN113437141A
公开(公告)日:2021-09-24
申请号:CN202110705609.9
申请日:2021-06-24
申请人: 电子科技大学 , 四川广义微电子股份有限公司
IPC分类号: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要: 本发明涉及一种具有多晶硅二极管栅极结构的浮空P区CSTBT器件,属于功率半导体器件技术领域。本发明基于传统FP‑CSTBT结构,在利用CS层以及浮空P区有效降低器件导通压降的基础上,一方面在沟槽中设置二极管栅极结构,利用沟槽内PN结的结电容进一步屏蔽栅极和集电极,实现更小的密勒电容,优化器件的开关特性;另一方面增加P型poly栅极周围的栅氧化层厚度,进一步减小器件的密勒电容的同时优化沟槽底部及拐角处的电场,从而更好地实现功率器件导通压降与关断损耗之间的折中关系。
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公开(公告)号:CN113421921A
公开(公告)日:2021-09-21
申请号:CN202110706932.8
申请日:2021-06-24
申请人: 电子科技大学 , 四川广义微电子股份有限公司
IPC分类号: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/331
摘要: 本发明涉及一种槽栅中具有空穴通路的屏蔽栅沟槽IGBT结构,属于功率半导体器件技术领域。本发明基于SGT IGBT器件的宽槽结构,在宽槽中的屏蔽栅极上层设置两个左右对称的控制栅极,同时屏蔽栅极会在两栅极之间引出,并与器件的发射极相连,从而形成空穴通路。在器件处于开态时,空穴通路被夹断使屏蔽栅极浮空,漂移区可以积累大量的载流子,从而降低器件的导通压降;在器件处于关态时,空穴通路使屏蔽栅极和金属发射极相连,实现屏蔽栅极对栅极和集电极之间的屏蔽作用,优化了器件的开关特性。
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公开(公告)号:CN112019201A
公开(公告)日:2020-12-01
申请号:CN202010878353.7
申请日:2020-08-27
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H03K17/567 , H03K17/082 , H02M1/08 , H02M1/088
摘要: 一种IGBT器件的栅极电流调节器,包括信号采样处理模块和栅极控制模块,信号采样处理模块采样IGBT器件集射电压并进行隔离、放大和模数转换处理,获得表示IGBT器件集射电压的数字信号;栅极控制模块中将双向导通MOSFET管的漏极和源极接在IGBT栅极电阻两端,并获取IGBT器件集射电压的数字信号与参考信号的差值并作为误差信号;利用第一PID控制器根据误差信号产生第一控制信号,第一控制信号经过信号处理单元进行数模转换、隔离和放大处理,获得控制双向导通MOSFET管电流流向的电压信号加在双向导通MOSFET管的栅极和源极上;再利用第二PID控制器根据误差信号调节IGBT器件的驱动脉冲信号,从而控制驱动模块配合双向导通MOSFET管构成IGBT器件的栅极充放电通路,实现对IGBT栅极电荷的调节。
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公开(公告)号:CN107733425A
公开(公告)日:2018-02-23
申请号:CN201710880016.X
申请日:2017-09-26
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: H03K19/0185
摘要: 一种用于栅控器件栅驱动的电平位移电路,属于电力电子技术领域。双脉冲发生器将脉宽调制信号PWM_H的上升沿和下降沿取出并产生对应的窄脉冲信号,两路窄脉冲信号分别通过脉冲整形器后控制开关管回路中的两个场效应管,由于两路窄脉冲信号的脉宽不足以让两个场效应管完全开通,所以产生的波形为锯齿波;两个场效应管的漏极分别接迟滞可调的施密特触发器,将窄脉冲信号还原为相对于浮地端VS的脉宽调制信号PWM_HS的上升沿和下降沿脉冲信号,随后经过RS锁存器后将信号还原为电平位移后的脉宽调整信号PWM_HS。本发明提出的电平位移电路为栅控器件的栅驱动提供了新型的电平位移方式和方法,有效地满足了高速,高压以及低功耗和可集成等需求。
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公开(公告)号:CN106160536A
公开(公告)日:2016-11-23
申请号:CN201610514155.6
申请日:2016-07-04
申请人: 电子科技大学
CPC分类号: H02M7/219 , H02M1/08 , H02M2007/2195
摘要: 本发明属于电子电路技术,具体的说是涉及一种用于电机发电的整流电路。本发明主要通过电荷泵的方式实现自驱动;其中包括比较器、VDMOS、驱动模块、检测模块、LDMOS、电阻R1、电容C1、逻辑模块、振荡器模块、电荷泵模块、负载。本发明中整流管VDMOS工作在反向电阻区,实现整流。采用电荷泵将VDMOS寄生二极管的导通电压泵升至规定值,通过逻辑控制模块等的处理,实现同步整流电路的自驱动。其驱动方式的简单性可同硅整流方案媲美,同时实现较低的导通损耗,提高发电机整体效率,起到节约能源,清洁环保的作用。
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公开(公告)号:CN106094962A
公开(公告)日:2016-11-09
申请号:CN201610505834.7
申请日:2016-06-29
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: G05F1/567
CPC分类号: G05F1/567
摘要: 本发明属于电子电路技术,具体的说是涉及一种温度补偿电路。本发明的电路包括依次连接的过温触发电路、负温系数电压源、减法器和比例减法器;其中,过温触发电路用于设定触发温度补偿电路启动的温度值;负温系数电压源提供一个随温度线性降低的电压源到减法器的一个输入端;减法器的另一个输入端接电源端的分压电压,将电源端的分压电压与负温系数电压源的输出电压进行作差,减法器的输出端接比例减法器的反相输入端;比例减法器的同相输入端接基准电压,比例减法器的输出为温度补偿电路的输出。本发明的有益效果为:当芯片温度上升到一定程度时,不会立即关断芯片,使电路停止工作,而是通过线性降低电流的大小,来降低芯片功耗和温度。
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公开(公告)号:CN105867511A
公开(公告)日:2016-08-17
申请号:CN201610494424.7
申请日:2016-06-29
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: G05F1/567
CPC分类号: G05F1/567
摘要: 本发明属于电子电路技术,具体的说是涉及一种分段温度补偿电路。本发明的电路包括恒流模块、过温触发模块和正温系数电流源模块;其中,恒流模块使流过负载的电流恒定;过温触发模块连接正温系数电流源模块,控制其开启与电流大小;电流源模块的输出端接恒流模块的反相输入端端,作补偿电流。本发明的有益效果为:芯片输入电源电压升高,芯片温度增大,芯片不会立即关断,而是通过线性降低电阻Rs上的电压,降低电流值,进而降低芯片功耗和温度;而且在不同温度范围内采用不同的温度系数,进一步提升了芯片对温度的适应范围,更好的保护了负载和器件。
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公开(公告)号:CN114710029B
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202210377716.8
申请日:2022-04-12
申请人: 电子科技大学
摘要: 本发明属于电子技术领域,具体涉及一种基于车用同步整流的最小导通时间产生电路。本发明通过输入数字信号连接到计数器开始计数,通过比较器判断频率是否低于或高于临界值,如果低于临界值或高于临界值,该电路会被关断;若判断出频率在临界值之内,将通过D触发器将跟踪的相电压频率进行输出。本发明的有益效果为,电路结构简单,相比于其他的传统频率解析方法,本方案具有简单、高效、可移植、实时解析等优点。
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公开(公告)号:CN112307703A
公开(公告)日:2021-02-02
申请号:CN202011166730.0
申请日:2020-10-27
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: G06F30/392 , G06F30/398 , G06F119/06
摘要: 一种边缘计算智能功率模块,其中基础拓扑单元包括多个以串联、并联或串并联混合方式连接的功率器件,状态数据采集单元采集功率器件的状态数据;数据存储单元接收状态数据采集单元采集的状态数据和通过通信总线传递的外部数据并通过通信总线发送边缘计算智能功率模块的内部数据;控制策略生成单元通过人工智能算法分析计算数据存储单元内的数据,产生功率器件运行参考信号和对边缘计算智能功率模块进行智能功率管理的控制信号;功率器件控制执行单元根据控制策略生成单元产生的控制信号驱动对应功率器件完成对应行为。本发明可实现自均衡实时控制和异常分析,并能进行组合形成更大容量的功率系统,具有可重构、全自主、实时高效、可离线等优点。
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公开(公告)号:CN107622167B
公开(公告)日:2020-04-17
申请号:CN201710879802.8
申请日:2017-09-26
申请人: 电子科技大学
IPC分类号: G01R31/26
摘要: 一种用于栅控器件的集电极电流软测量方法,属于电力电子技术领域。首先建立栅控器件的稳态电流解析模型和瞬态电流解析模型,并根据以上两者建立栅控器件的全局电流解析模型,筛选栅控器件的关键参数;然后在栅控器件的应用电路中采集多组测试数据,每组测试数据包括解析软测量建模筛选出的栅控器件的关键参数和对应的栅控器件的集电极电流;再利用采集的多组测试数据建立统计数据模型,即利用机器学习算法建立关键参数与对应的栅控器件的集电极电流之间的关系;在实际测量时通过实时采集关键参数,并将采集的关键参数带入经验数据软测量建模建立的统计数据模型进行计算,即可得到间接测量的栅控器件的集电极电流。本发明具有高速低成本的优点。
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