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公开(公告)号：CN113437141A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202110705609.9
申请日：2021-06-24
申请人： 电子科技大学 , 四川广义微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种具有多晶硅二极管栅极结构的浮空P区CSTBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于传统FP‑CSTBT结构，在利用CS层以及浮空P区有效降低器件导通压降的基础上，一方面在沟槽中设置二极管栅极结构，利用沟槽内PN结的结电容进一步屏蔽栅极和集电极，实现更小的密勒电容，优化器件的开关特性；另一方面增加P型poly栅极周围的栅氧化层厚度，进一步减小器件的密勒电容的同时优化沟槽底部及拐角处的电场，从而更好地实现功率器件导通压降与关断损耗之间的折中关系。
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公开(公告)号：CN113421921A
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN202110706932.8
申请日：2021-06-24
申请人： 电子科技大学 , 四川广义微电子股份有限公司
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L21/331
摘要： 本发明涉及一种槽栅中具有空穴通路的屏蔽栅沟槽IGBT结构，属于功率半导体器件技术领域。本发明基于SGT IGBT器件的宽槽结构，在宽槽中的屏蔽栅极上层设置两个左右对称的控制栅极，同时屏蔽栅极会在两栅极之间引出，并与器件的发射极相连，从而形成空穴通路。在器件处于开态时，空穴通路被夹断使屏蔽栅极浮空，漂移区可以积累大量的载流子，从而降低器件的导通压降；在器件处于关态时，空穴通路使屏蔽栅极和金属发射极相连，实现屏蔽栅极对栅极和集电极之间的屏蔽作用，优化了器件的开关特性。
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公开(公告)号：CN103972295A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410238585.0
申请日：2014-05-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L21/265
CPC分类号： H01L29/808 , H01L29/1058 , H01L29/66893
摘要： 本发明涉及半导体技术，具体的说是涉及一种JFET器件及其制造方法。本发明的JFET器件在沟道中引入了电流浅槽辅助层(13)和电压浅槽辅助层(14)，电流浅槽辅助层(13)和电压浅槽辅助层(14)位于P+栅区(1)两端并与P+栅区(1)相接，利用电流浅槽辅助层(13)来减弱沟道调制效应，从而实现在宽电压输入范围内，输出电流的变化率小，利用电压浅槽辅助层(14)和电流浅槽辅助层(13)共同作用来减弱曲率效应从而提升器件耐压。本发明的有益效果为，在制作工艺并不复杂的基础上，器件的恒流特性较好，在宽电压输入范围内，输出电流的变化率很小，能够满足更小恒流精度的需求，特别适合小功率LED灯恒流驱动。本发明尤其适用于小功率LED灯恒流用JFET器件。
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公开(公告)号：CN103957639A
公开(公告)日：2014-07-30
申请号：CN201410195594.6
申请日：2014-05-09
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H05B37/02
摘要： 本发明涉及电子电路技术，具体的说是设计一种用于LED的温度补偿电路。本发明电路，包括驱动模块、LED模块和反馈模块，其特征在于，还包括温度设定模块、参考电压产生模块、温度采样模块和逻辑控制模块；其中，逻辑控制模块的输入端分别与温度设定模块、参考电压产生模块和温度采样模块的输出端连接，其输出端与驱动模块的一个输入端连接；驱动模块的另一个输入与反馈模块连接，其输出端接LED模块的输入端；温度采样模块的输入端和反馈模块的输入端分别连接LED模块。本发明的有益效果为，电路结构简单，成本较低，还具备温度补偿的起始温度可以任意设定以及温度补偿的系数可以设定的优点。本发明尤其适用于LED驱动的温度补偿电路。
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公开(公告)号：CN107622167B
公开(公告)日：2020-04-17
申请号：CN201710879802.8
申请日：2017-09-26
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： G01R31/26
摘要： 一种用于栅控器件的集电极电流软测量方法，属于电力电子技术领域。首先建立栅控器件的稳态电流解析模型和瞬态电流解析模型，并根据以上两者建立栅控器件的全局电流解析模型，筛选栅控器件的关键参数；然后在栅控器件的应用电路中采集多组测试数据，每组测试数据包括解析软测量建模筛选出的栅控器件的关键参数和对应的栅控器件的集电极电流；再利用采集的多组测试数据建立统计数据模型，即利用机器学习算法建立关键参数与对应的栅控器件的集电极电流之间的关系；在实际测量时通过实时采集关键参数，并将采集的关键参数带入经验数据软测量建模建立的统计数据模型进行计算，即可得到间接测量的栅控器件的集电极电流。本发明具有高速低成本的优点。
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公开(公告)号：CN107634745A
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201710879997.6
申请日：2017-09-26
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H03K17/56 , H03K17/567
摘要： 一种用于栅控器件的栅极充放电调节电路，属于电力电子技术领域。开关控制信号连接四个模拟开关的控制端，栅控制信号在四个模拟开关的作用下加载到正确的场效应管的栅极来控制其开启程度，从而达到调节栅驱动信号电流的目的，即调节栅控器件栅极的充放电电流以实现其开关特性和导通特性的改变，其中开关控制信号连接栅驱动模块的输入端，控制栅驱动模块产生栅驱动信号。本发明的电路通过调节栅控器件的栅极电流，实现栅控器件开关特性及导通特性的调节，具有简单、有效、功能全、可集成等优点，尤其适用于栅控器件并联均流应用。
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公开(公告)号：CN104219845B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201410439189.4
申请日：2014-08-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H05B37/02
CPC分类号： Y02B20/42
摘要： 本发明属于集成电路技术，具体的说是涉及一种LED调光电路。本发明提出的一种LED调光电路，包括原边电流采样电路、比较放大器和电流开关电路；其中，所述原边电流采样电路包括原边电感和第一电阻，所述第一电阻的一端与比较放大器的反相输入端连接，另一端连接电流开关电路的一个输入端；所述比较放大器的正向输入端接基准电压，其输出端接电流开关电路的第二输入端；所述电流开关电路的输出端输出可变电流。本发明的有益效果为，当电路处于关闭状态时，电流开关电路不再产生供给电流给TRIAC调光器，可最大程度地降低电路功耗，从而提高整个系统的效率。本发明尤其适用于LED调光电路。
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公开(公告)号：CN103957639B
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201410195594.6
申请日：2014-05-09
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H05B37/02
摘要： 本发明涉及电子电路技术，具体的说是设计一种用于LED的温度补偿电路。本发明电路，包括驱动模块、LED模块和反馈模块，其特征在于，还包括温度设定模块、参考电压产生模块、温度采样模块和逻辑控制模块；其中，逻辑控制模块的输入端分别与温度设定模块、参考电压产生模块和温度采样模块的输出端连接，其输出端与驱动模块的一个输入端连接；驱动模块的另一个输入与反馈模块连接，其输出端接LED模块的输入端；温度采样模块的输入端和反馈模块的输入端分别连接LED模块。本发明的有益效果为，电路结构简单，成本较低，还具备温度补偿的起始温度可以任意设定以及温度补偿的系数可以设定的优点。本发明尤其适用于LED驱动的温度补偿电路。
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公开(公告)号：CN104219845A
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201410439189.4
申请日：2014-08-29
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H05B37/02
CPC分类号： Y02B20/42
摘要： 本发明属于集成电路技术，具体的说是涉及一种LED调光电路。本发明提出的一种LED调光电路，包括原边电流采样电路、比较放大器和电流开关电路；其中，所述原边电流采样电路包括原边电感和第一电阻，所述第一电阻的一端与比较放大器的反相输入端连接，另一端连接电流开关电路的一个输入端；所述比较放大器的正向输入端接基准电压，其输出端接电流开关电路的第二输入端；所述电流开关电路的输出端输出可变电流。本发明的有益效果为，当电路处于关闭状态时，电流开关电路不再产生供给电流给TRIAC调光器，可最大程度地降低电路功耗，从而提高整个系统的效率。本发明尤其适用于LED调光电路。
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公开(公告)号：CN111739929B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010611113.0
申请日：2020-06-30
申请人： 电子科技大学
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/745 , H01L29/749
摘要： 本发明提供了一种抗位移辐射加固的MOS栅控晶闸管，属于功率器件技术领域；所述MOS栅控晶闸管自上而下主要包括金属阴极、第一阱区、第二阱区、衬底、第三阱区、阳极掺杂层和金属阳极；第三阱区和金属阳极短接，实现零栅压条件下的正向耐压；衬底和第三阱区为同型掺杂，第三阱区的掺杂浓度高于衬底；第二阱区和第三阱区为缓变掺杂区；衬底为低掺杂区。基于本发明器件结构能够提高MOS栅控晶闸管抗位移辐照的能力。
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