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公开(公告)号：CN112382658B
公开(公告)日：2021-08-24
申请号：CN202010890066.8
申请日：2020-08-28
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种具有阶梯分立屏蔽槽的低栅电荷器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漏端重掺杂区，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层，多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，源极金属，漏极金属，金属条；第一介质氧化层与同源极相连的多晶硅电极形成纵向场板，平行插入第二导电类型漂移区，形成阶梯状排列的纵向场板阵列。纵向场板呈阶梯状分布，优化了硅层表面电场，提高了器件耐压，且对电流的限制效果减弱，进一步降低了器件的比导通电阻，多晶硅电极与源极相连，降低了器件的栅漏电容。
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公开(公告)号：CN111969049A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010888909.0
申请日：2020-08-28
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列；在集电极区域以相同工艺形成与集电极接触电极相连的纵向场板，并且平行插入第二导电类型阱区，形成阳极电阻结构。本发明在器件开态时，纵向浮空场板表面能够形成积累层，提高了器件的饱和电流。第二导电类型阱区引入的纵向场板，能够精确控制阳极电阻的大小，消除了snapback现象对器件输出特性的影响，提高器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN103268890B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310202668.X
申请日：2013-05-28
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
摘要： 一种具有结型场板的功率LDMOS器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明在常规LDMOS器件的衬底中形成与衬底掺杂类型相反的埋层，在器件漂移区表面形成由PN结构成的结型场板。本发明利用结型场板中PN结电场分布调制器件表面电场，使器件表面电场分布更加均匀，能有效避免金属场板末端电场尖峰的不足，提高器件的击穿特性；反向阻断状态下，结型场板对漂移区有辅助耗尽作用，能大幅提高漂移区掺杂水平，降低器件导通电阻；同时，结型场板中PN结反向偏置时反向电流小，有利降低场板中的泄漏电流，衬底中的埋层能有效提高器件耐压特性。本发明的器件具有高压、低功耗、低成本与易集成的特点，适用于功率集成电路与射频功率集成电路。
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公开(公告)号：CN115985938A
公开(公告)日：2023-04-18
申请号：CN202211736214.6
申请日：2022-12-30
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/861 , H01L29/739 , H01L21/331 , H01L21/329 , H01L21/265
摘要： 本发明提供一种重离子注入型集成超结器件及制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第二导电类型漂移区、第一导电类型阱区、第一导电类型埋层和第二导电类型埋层，位于器件表面的多晶硅栅电极，第一介质氧化层、第二介质氧化层，亚微米超结位于第一导电类型埋层和第二导电类型埋层之间，在埋层注入后采用重离子注入并透过场氧化层形成；本发明基于重离子与轻离子的扩散系数不同，通过在漂移区内引入重离子注入的亚微米超结，能够在器件内部提供低阻通路，降低开态时的比导通电阻，且不受高温推结工艺的影响；此外通过优化热预算，能够形成扩散保护环，降低器件表面电场。
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公开(公告)号：CN112164719B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202010888774.8
申请日：2020-08-28
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种具有等势浮空槽的低阻器件，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漏端重掺杂区，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层，浮空场板多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，源极金属，漏极金属，金属条；第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中；在相同长度下，介质层能够承受更高的击穿电压，同时浮空电极能够调制漂移区电势分布，使得电势分布均匀，进一步提高了器件耐压，浮空场板辅助耗尽还可以提高漂移区注入剂量，从而降低比导通电阻。
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公开(公告)号：CN112382658A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202010890066.8
申请日：2020-08-28
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种具有阶梯分立屏蔽槽的低栅电荷器件及其制造方法，包括：第一导电类型半导体衬底、第一导电类型阱区、第一导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漂移区、第二导电类型阱区、第二导电类型源端重掺杂区，第二导电类型漏端重掺杂区，第一介质氧化层、第二介质氧化层、第三介质氧化层，多晶硅电极、控制栅多晶硅电极，源极金属，漏极金属，金属条；第一介质氧化层与同源极相连的多晶硅电极形成纵向场板，平行插入第二导电类型漂移区，形成阶梯状排列的纵向场板阵列。纵向场板呈阶梯状分布，优化了硅层表面电场，提高了器件耐压，且对电流的限制效果减弱，进一步降低了器件的比导通电阻，多晶硅电极与源极相连，降低了器件的栅漏电容。
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公开(公告)号：CN105993076A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201480075122.5
申请日：2014-12-23
申请人： 电子科技大学 , 东莞电子科技大学电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7424 , H01L21/02233 , H01L21/26586 , H01L21/3065 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/408 , H01L29/66325 , H01L29/66386 , H01L29/7394 , H01L29/7395 , H01L29/747 , H01L29/78
摘要： 一种双向MOS型器件及其制造方法，属于功率半导体器件技术领域。所述器件在有源区上层两端具有对称的平面栅MOS结构，在对称的平面栅MOS结构之间具有U型复合漂移区，所述U型复合漂移区沿元胞中心左右对称。本发明通过形成的具有对称特性的U型复合漂移区，在一定的元胞宽度下可获得高的器件击穿电压和低的导通压降/电阻特性，是一种双向对称的电场截止型器件；在IGBT工作模式时，是一种具有载流子存储层和场截止层的IGBT器件，在MOS工作模式时，是一种具有减小漂移区电阻高掺杂层和场截止层的MOS器件；通过所述U型复合漂移区的复合作用，本发明结构不会发生器件的横向和纵向穿通击穿，具有高的单位漂移区长度耐压，并具有低的导通压降/电阻特性。
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公开(公告)号：CN111969049B
公开(公告)日：2022-08-23
申请号：CN202010888909.0
申请日：2020-08-28
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/40 , H01L29/739
摘要： 本发明提供一种SOI横向绝缘栅双极晶体管，第一介质氧化层和浮空场板多晶硅电极构成纵向浮空场板，分布在整个第二导电类型漂移区中，形成纵向浮空场板阵列；在集电极区域以相同工艺形成与集电极接触电极相连的纵向场板，并且平行插入第二导电类型阱区，形成阳极电阻结构。本发明在器件开态时，纵向浮空场板表面能够形成积累层，提高了器件的饱和电流。第二导电类型阱区引入的纵向场板，能够精确控制阳极电阻的大小，消除了snapback现象对器件输出特性的影响，提高器件的稳定性。
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公开(公告)号：CN111969051A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010888687.2
申请日：2020-08-28
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/423 , H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
摘要： 本发明提供一种具有高可靠性的分离栅VDMOS器件及其制造方法，包括第一导电类型衬底，第一导电类型漂移区，第一介质氧化层，分离栅多晶电极，第二介质氧化层，第三介质氧化层，控制栅多晶电极，第二导电类型阱区，重掺杂第一导电类型区，重掺杂第二导电类型区，源极金属接触，控制栅金属接触和分离栅金属接触。通过在过渡区增大槽宽，增加一次过渡区栅多晶刻蚀，形成控制栅多晶和栅氧化层包围分离栅金属接触的结构，避免了常规分离栅引出所需要的控制栅和分离栅之间的介质氧化层隔离，杜绝了厚氧隔离所带来的吸硼排磷问题和曲率效应带来的电场集中问题，以及存在厚氧隔离时过渡区耗尽不足问题，消除器件过渡区的提前击穿，保证器件耐压。
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公开(公告)号：CN111816707A
公开(公告)日：2020-10-23
申请号：CN202010888944.2
申请日：2020-08-28
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/40 , H01L21/336
摘要： 本发明提供一种消除体内曲率效应的等势降场器件及制造方法，包括元胞区与终端区。元胞区中，第一介质氧化层和多晶硅电极构成纵向浮空场板，所述纵向浮空场板分布在整个第二导电类型漂移区中，漏端以相同工艺引入多晶硅电极与漏极相连的纵向场板。本发明中纵向浮空场板辅助耗尽漂移区，提高了器件耐压。但由于靠近漏端的纵向浮空场板钳位了体内电势，使得等势线在槽底集中，造成了器件的提前击穿。漏端纵向场板与漏极相连，将漏端高电位引入器件体内，消除了体内曲率效应，进一步提高器件耐压。终端区中，纵向浮空场板呈环形承担大部分耐压，漏端的纵向场板形成半圆状阵列，缓解了因曲率增大而导致的靠近漏端的槽底电场的进一步提高。
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