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公开(公告)号：CN107016861A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710396432.2
申请日：2017-05-31
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
摘要： 本发明公开了一种基于深度学习和智能路灯的交通信号灯智能调控系统，属于智能公共交通领域，本系统包括在交通道路路口设置路边单元和智能交通信号灯，其中路边单元包括图像采集模块、车辆检测模块、拥堵判定模块和通信模块；图像采集模块实时采集各个路口方向的道路交通图像并发送给车辆检测模块，获取每个路口方向的车流量，由同时拥堵判定模块结合车流量给出各路口方向的拥堵等级并通过通信模块传输至智能交通信号灯；由智能交通信号灯基于拥堵等级实时调整通行时间并显示。本发明实时检测道路交通状况，针对不同的路段可灵活设定不同的拥堵级别阙值，从而自动判断拥堵情况并对路口各个方向的通信时间进行调整，使交通信号灯更加灵活且智能。
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公开(公告)号：CN108258041B
公开(公告)日：2020-06-30
申请号：CN201810042181.2
申请日：2018-01-17
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423
摘要： 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有载流子存储层及三栅的薄SOI LIGBT。本发明主要特征在于：采用三栅结构增大沟道密度，其槽栅底部未与埋氧层接触，且在平面栅及槽栅下方靠近漂移区的部分引入载流子存储层。正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度的情况下仍可维持高耐压。器件在阴极引入P埋层，提升器件的抗短路能力。本发明相对于传统薄SOI LIGBT结构，具有更低的正向导通压降,同时具有更好的抗短路能力。
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公开(公告)号：CN106952809A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：CN201710202896.5
申请日：2017-03-30
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/265 , H01L29/06 , H01L29/36
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/26506 , H01L29/0607 , H01L29/0684 , H01L29/36
摘要： 本发明提供一种SOI低阻横向高压器件及其制造方法，包括以下步骤：以SOI为衬底，形成N型线性变掺杂厚SOI层与薄硅层漂移区、形成薄硅层区即厚介质层、形成Pwell区；形成Nwell区、形成栅氧化层、形成多晶硅栅电极、形成N条、形成P条、进行第一P型重掺杂区、第一N型重掺杂区以及第二N型重掺杂区的注入，形成欧姆接触，引出电极第一层接触孔刻蚀，淀积铝金属，形成源极接触电极与漏极接触电极；该制造方法与传统工艺兼容性好，具有普适性，制造出的器件能够有效地减小器件面积、降低器件成本；利用本发明所述的方法制备的SOI低阻横向高压器件，可实现BV＝950V，Ron，sp＝153Ω·cm2。
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公开(公告)号：CN107369892B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201710778208.X
申请日：2017-09-01
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
摘要： 本发明提供一种用于全金属外壳的多频终端天线，属于天线技术领域。本发明天线包括装设在系统电路板背面的金属外壳，设置在系统电路板正面的馈电网络和缝隙；所述金属外壳位于系统电路板背面且其上分别开设有双端开口型缝隙和单端开口型缝隙，馈电网络中与馈电端口相匹配的馈电分支分别横跨上述两个缝隙，激励缝隙形成多个频点谐振。本发明进一步藉由U型折叠金属片加载于双端开口型缝隙的改良，形成有别于现有二维缝隙天线的三维结构用以覆盖更多频段；本发明在实现多频带和宽频带的同时也解决了天线与大面积的金属外壳共存致使天线性能受损的难题，提高了终端设备的强度、质感和美感。
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公开(公告)号：CN108008755A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711226737.5
申请日：2017-11-29
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： G05F1/56
CPC分类号： G05F1/56
摘要： 一种内嵌基准的低压差线性稳压器，属于模拟集成电路技术领域。本发明利用NPN晶体管的基极-发射极电压作为负温度系数电压，电阻电压作为正温度系数电压，采用带隙基准的方法实现温度补偿；在低压差线性稳压器的反馈环路中使用NPN晶体管和电阻构成带隙基准，同时构建误差放大通道，使得本发明提供的低压差线性稳压器能实现低温度系数的电源变换功能。本发明提出的低压差线性稳压器具有基准电压源的功能，能够集成到芯片内部供电，保持较低的静态电流；与现有低压差线性稳压器相比，本发明使用更少数量的晶体管实现了电源的变换，并保持了较低的功耗。
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公开(公告)号：CN107394351B
公开(公告)日：2020-07-10
申请号：CN201710545335.5
申请日：2017-07-06
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
摘要： 本发明提供了一种全金属外壳移动智能终端天线，属于天线技术领域。本发明包括：系统电路板，金属外壳，天线分支和馈电点，在系统电路板正面、背面设置有净空区域，金属外壳包括后盖和与其连接的周侧金属边框，靠近净空区域的金属短边框上设置有窄缝使得金属外壳分隔形成两个独立的部分，在净空区域设置有天线分支，天线分之一作为驱动单元并耦合天线分支二、窄缝间金属外壳、天线分支三形成环天线的寄生单元共同覆盖低频段(824MHz～960MHz)、高频段(1710MHz～2690MHz)。本发明增加了天线的频段覆盖，在保证高性能的同时基本上实现了设备的全金属覆盖，提高了用户对机身金属质感与美感的需求。
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公开(公告)号：CN108258041A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201810042181.2
申请日：2018-01-17
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/06 , H01L29/40 , H01L29/423
摘要： 本发明属于功率半导体技术领域，具体涉及一种具有载流子存储层及三栅的薄SOI LIGBT。本发明主要特征在于：采用三栅结构增大沟道密度，其槽栅底部未与埋氧层接触，且在平面栅及槽栅下方靠近漂移区的部分引入载流子存储层。正向导通时，槽栅侧壁阻挡空穴通路，起到注入增强的效果，降低器件的正向导通压降；同时，N型载流子存储层起到阻挡空穴的作用，促进电子注入漂移区，增强电导调制效应，进一步降低正向导通压降。在正向阻断时，槽栅起到耗尽载流子存储层的作用，使得器件在存储层高浓度的情况下仍可维持高耐压。器件在阴极引入P埋层，提升器件的抗短路能力。本发明相对于传统薄SOI LIGBT结构，具有更低的正向导通压降,同时具有更好的抗短路能力。
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公开(公告)号：CN107394351A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710545335.5
申请日：2017-07-06
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
摘要： 本发明提供了一种全金属外壳移动智能终端天线，属于天线技术领域。本发明包括：系统电路板，金属外壳，天线分支和馈电点，在系统电路板正面、背面设置有净空区域，金属外壳包括后盖和与其连接的周侧金属边框，靠近净空区域的金属短边框上设置有窄缝使得金属外壳分隔形成两个独立的部分，在净空区域设置有天线分支，天线分之一作为驱动单元并耦合天线分支二、窄缝间金属外壳、天线分支三形成环天线的寄生单元共同覆盖低频段(824MHz～960MHz)、高频段(1710MHz～2690MHz)。本发明增加了天线的频段覆盖，在保证高性能的同时基本上实现了设备的全金属覆盖，提高了用户对机身金属质感与美感的需求。
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公开(公告)号：CN107369892A
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：CN201710778208.X
申请日：2017-09-01
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
摘要： 本发明提供一种用于全金属外壳的多频终端天线，属于天线技术领域。本发明天线包括装设在系统电路板背面的金属外壳，设置在系统电路板正面的馈电网络和缝隙；所述金属外壳位于系统电路板背面且其上分别开设有双端开口型缝隙和单端开口型缝隙，馈电网络中与馈电端口相匹配的馈电分支分别横跨上述两个缝隙，激励缝隙形成多个频点谐振。本发明进一步藉由U型折叠金属片加载于双端开口型缝隙的改良，形成有别于现有二维缝隙天线的三维结构用以覆盖更多频段；本发明在实现多频带和宽频带的同时也解决了天线与大面积的金属外壳共存致使天线性能受损的难题，提高了终端设备的强度、质感和美感。
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公开(公告)号：CN106876455A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201710110534.3
申请日：2017-02-28
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/423
CPC分类号： H01L29/7393 , H01L29/40 , H01L29/4232
摘要： 本发明提供一种低关断损耗双槽栅SOI‑LIGBT器件结构，包括P型衬底、埋氧层二氧化硅、N型漂移区、P型阱区、N‑buffer层、氧化层、两个N型源端及之间的P型接触区、N型阳极区；源端和P型阱区间的沟道两侧是栅氧层，栅氧层旁边是多晶硅，多晶硅位于P型阱区两侧、N‑buffer层的左侧；本发明拥有双栅结构，相同条件下有更大的电流能力，N型载流子存储层的引入减少了空穴直接向P型阱区的注入，使载流子分布更均匀，有利于关断时的载流子复合减少关断时间，槽介质二氧化硅使得N型漂移区的有效空间减少，也同时阻挡了右侧的载流子的注入，形成载流子积累层；基于这两个效应，本发明结构的关断损耗得到大幅度的降低。
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