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公开(公告)号：CN107731901A
公开(公告)日：2018-02-23
申请号：CN201711155622.1
申请日：2017-11-20
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739
CPC分类号： H01L29/7398 , H01L29/0623 , H01L29/0684 , H01L29/7397
摘要： 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN107749420B
公开(公告)日：2023-09-01
申请号：CN201711155364.7
申请日：2017-11-20
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
摘要： 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN107731901B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201711155622.1
申请日：2017-11-20
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739
摘要： 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN107749420A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201711155364.7
申请日：2017-11-20
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0619 , H01L29/402
摘要： 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本发明的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。
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公开(公告)号：CN207409497U
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201721551911.9
申请日：2017-11-20
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/739 , H01L29/40 , H01L29/06
摘要： 本实用新型属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本实用新型的正向电场截至层N1不是连续的电场截止层，且P+集电区和漂移区被N1阻隔，紧邻两相邻P+集电区之间的漂移区背面形成与集电极电气相连的场板。器件的发射极端包含反向电场截止层N2和槽结构。施加反向偏压时，与集电极电气相连的场板将不连续的集电结耗尽线在漂移区中合并起来，在没有完全耗尽高浓度N1时，耗尽区可在漂移区内扩展，避免集电结发生击穿，实现很好的反向阻断能力。相比于也具有反向耐压的NPT型IGBT，施加正向阻断电压时，N1和与集电极电气相连的场板共同作用，使正向电场被截止，在N1、N2和槽结构共同作用下，缩短漂移区长度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN207409496U
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201721552279.X
申请日：2017-11-20
申请人： 电子科技大学 , 电子科技大学广东电子信息工程研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/739
摘要： 本实用新型属于功率半导体技术领域，涉及一种逆阻型IGBT。本实用新型的器件，在正向电场截止层N1下表面形成间断高浓度P+集电区和浮空P1区，且P+集电区和浮空的P1被N1阻隔。施加反向阻断电压时，浮空的P1可辅助耗尽N1，降低高浓度的P+集电区/N1结面处高电场峰值，避免集电结发生提前击穿，最终反向耐压电场被N2以及槽结构共同截止；对器件施加正向阻断电压时，浮空的P1和漂移区被N1阻隔，高浓度的N1使正向电场被截止，耗尽区无法扩展到P1，正向耐压不会发生退化。相比于NPT型IGBT结构，可缩短漂移区厚度，实现导通压降和关断损耗更好的折中特性。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号：CN118643317B
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202411132653.5
申请日：2024-08-19
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC分类号： G06F18/213 , G06F18/25 , G06F18/2113 , G06F18/214 , G06N3/0442 , G06N3/0985 , G06N3/042 , G06N3/045 , G06F30/367 , G06N3/048
摘要： 本发明公开了一种基于门控神经网络的半导体器件模型参数提取方法及装置，其中方法包括：通过拉丁超立方采样生成初始数据集；初始数据集包括多个电数据样本及其对应的一组真实模型参数；对初始数据集进行关于是否满足物理规律的数据质量筛选，得到优化数据集；利用优化数据集训练门控神经网络模型，得到预训练的门控神经网络模型；该门控神经网络模型包括#imgabs0#个专家网络、#imgabs1#个门控网络和#imgabs2#个塔网络；门控网络能够为#imgabs3#个专家网络分别生成门控分数；训练时根据模型参数损失值和门控分数调整门控神经网络模型的网络权重参数。本发明通过结合神经网络与门控机制和模型感知技术，能够更准确、高效地从测量数据中提取半导体器件模型参数。
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公开(公告)号：CN118643317A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411132653.5
申请日：2024-08-19
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC分类号： G06F18/213 , G06F18/25 , G06F18/2113 , G06F18/214 , G06N3/0442 , G06N3/0985 , G06N3/042 , G06N3/045 , G06F30/367 , G06N3/048
摘要： 本发明公开了一种基于门控神经网络的半导体器件模型参数提取方法及装置，其中方法包括：通过拉丁超立方采样生成初始数据集；初始数据集包括多个电数据样本及其对应的一组真实模型参数；对初始数据集进行关于是否满足物理规律的数据质量筛选，得到优化数据集；利用优化数据集训练门控神经网络模型，得到预训练的门控神经网络模型；该门控神经网络模型包括#imgabs0#个专家网络、#imgabs1#个门控网络和#imgabs2#个塔网络；门控网络能够为#imgabs3#个专家网络分别生成门控分数；训练时根据模型参数损失值和门控分数调整门控神经网络模型的网络权重参数。本发明通过结合神经网络与门控机制和模型感知技术，能够更准确、高效地从测量数据中提取半导体器件模型参数。
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公开(公告)号：CN118643316A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202411132085.9
申请日：2024-08-19
申请人： 西安电子科技大学 , 西安电子科技大学杭州研究院
IPC分类号： G06F18/213 , G06F18/15 , G06F18/214 , G06N3/0442 , G06N3/086 , G06N3/042 , G06N3/045 , G06F30/367
摘要： 本发明提供一种半导体器件参数智能提取方法及装置，涉及集成电路技术领域。此方法包括：首先将获取的半导体器件的目标数据输入初始神经网络的提取器，以获取当前模型参数组合。然后使用仿真器输出当前模型参数组合的当前目标数据，并计算当前目标数据对应的多个第一电学目标。计算第一误差，判断第一误差是否小于预设误差，若否，调整当前模型参数组合并重新仿真和计算第一误差，直至第一误差小于预设误差，根据当前模型参数组合和预设范围，生成模型参数范围。最终根据模型参数范围生成数据集，利用数据集所训练完成的神经网络的提取器，输出目标模型参数组合。可有效提高半导体器件参数提取的效率和准确性。
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公开(公告)号：CN117451915B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202311414739.2
申请日：2023-10-30
申请人： 西安电子科技大学
摘要： 本发明公开了一种高温高速旋转涡轮叶片热障涂层可靠性试验平台，包括依次安装的超音速燃气喷枪装置、涡轮模型试验台和高速旋转系统，涡轮模型试验台通过轴与高速旋转系统配合连接，超音速燃气喷枪装置设置在涡轮模型试验台的试验侧，两者同心安装；冷却水循环系统通过硬管连接在高速旋转系统的总进水端和总出水端，形成循环，送粉装置连接在超音速燃气喷枪装置的进粉口，供油系统连接超音速燃气喷枪装置的总进油口，供气系统与超音速燃气喷枪装置的总进气口连接，高速旋转系统和超音速燃气喷枪装置的总集成控制线连接在控制显示台上；本发明通过集热冲击、冲蚀、CMAS腐蚀为一体的超音速燃气喷枪和高速旋转结构，能够同时实现高速旋转、燃气热冲击、冲蚀、CMAS腐蚀、气膜冷却等载荷的加载。
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