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公开(公告)号：CN118795723A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410876889.3
申请日：2020-09-04
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 本发明的实施例涉及使用云纹元件及旋转对称布置以成像叠加目标。一种计量目标可包含具有第一图案的一或多个例子的第一旋转对称工作区及具有第二图案的一或多个例子的第二旋转对称工作区，其中所述第一图案或所述第二图案中的至少一者是由在第一样本层上的具有沿着测量方向的第一节距的第一光栅结构及在第二样本层上的具有沿着所述测量方向的不同于所述第一节距的第二节距的第二光栅结构形成的云纹图案。当所述第一样本层与所述第二层之间的叠加误差是零时，所述第一工作区及所述第二工作区的旋转对称中心通过设计可重叠。所述第一工作区及所述第二工作区的所述旋转对称中心之间的差可指示所述第一样本层与所述第二样本层之间的叠加误差。
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公开(公告)号：CN115702321A
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202180043955.3
申请日：2021-07-21
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 本发明公开一种计量系统及计量方法。所述计量系统包含照明子系统、集光子系统、检测器及控制器。所述控制器经配置以：接收样本上的叠加目标的图像；基于所述图像确定两个工作区之间沿着测量方向的表观叠加；及通过将所述表观叠加除以摩尔增益以补偿摩尔干涉而计算两个样本层之间的叠加。
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公开(公告)号：CN113330534B
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN201980089808.2
申请日：2019-04-10
申请人： 科磊股份有限公司(US)
发明人： M·吉诺乌克
摘要： 本发明揭示一种用于半导体装置制造中的偏移的光学测量的标靶，所述标靶包含：第一周期性结构，其形成于半导体装置的第一层上且具有沿着轴线的第一节距；及第二周期性结构，其形成于所述半导体装置的第二层上且具有沿着所述轴线的第二节距，所述第二节距不同于所述第一节距，所述第二周期性结构沿着所述轴线延伸超越所述第一周期性结构。
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公开(公告)号：CN113939772B
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202080040950.0
申请日：2020-06-24
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , G01N21/956 , G01N21/95 , H01L21/66
摘要： 一种计量系统可包含经耦合到扫描计量工具的控制器，所述扫描计量工具使沿着扫描方向运动的样本成像。所述控制器可从所述扫描计量工具接收所述样本上的计量目标的图像，其中所述计量目标包括：第一测量群组，其包含沿着正交于所述扫描方向的横向分布的单元；及第二测量群组，其沿着所述扫描方向与所述第一测量群组分离，所述第二测量群组包含沿着所述横向方向分布的单元，所述第二测量群组。所述控制器可进一步基于所述第一计量群组中的所述第一组单元中的至少一者来生成至少第一计量测量，及基于所述第二计量群组中的所述第一组单元中的至少一者来生成至少第二计量测量。
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公开(公告)号：CN108700463B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201680082361.2
申请日：2016-11-01
申请人： 科磊股份有限公司
摘要： 本发明提供方法、计量模块及RCA工具，其使用测量图谱中的(若干)谐振区域的行为以相对于对称及不对称因子评估及特征化工艺变动，且相对于工艺步骤提供所述工艺变动的根本原因分析。可使用具有不同层厚度及工艺变动因子的模型化堆叠的模拟来增强所述分析且对计量测量提供经改良目标设计、经改良算法及可校正项。可利用展现敏感谐振区域的特定目标来增强所述工艺变动评估。
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公开(公告)号：CN105830069A
公开(公告)日：2016-08-03
申请号：CN201480067806.0
申请日：2014-12-10
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G06F17/50
CPC分类号： G06F17/5009
摘要： 本发明提供用于根据外在要求或内在发展及验证需要，分析目标、工艺及计量配置对广泛范围的参数的灵敏度的系统及方法。系统包括以下元件。输入模块经布置以接收与目标、目标计量条件及生产工艺相关的参数，以产生目标数据。计量模拟单元经布置以从所述目标数据模拟目标的计量测量且产生量化所述模拟目标测量的多个度量。灵敏度分析模块经布置以导出所述度量对所述参数的函数相依性且关于所述所导出的函数相依性界定所述参数的所要不确定性。最后，目标优化模块经布置以关于所述模拟目标测量对目标及目标计量条件进行排名。
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公开(公告)号：CN117957497A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202280063316.8
申请日：2022-03-04
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , H01L23/544
摘要： 一种用于半导体计量的方法包含在衬底上沉积第一及第二膜层，图案化所述层以界定：第一目标，其包含所述第一层中的第一特征及相邻于所述第一特征的所述第二层中的第二特征；及第二目标，其位于所述衬底上，所述第二目标包含与所述第一目标相同的第一部分及相邻于所述第一部分使得所述第二叠加目标具有围绕所述衬底的法线的180°的旋转对称性的第二部分。所述方法进一步包含捕捉及处理所述第二目标的第一图像以基于所述目标的所述第一部分及所述第二部分来计算校准函数，且捕捉及处理所述第一目标的第二图像同时应用所述校准函数来估计第一位置处的所述第一膜层与所述第二膜层之间的叠加误差。
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公开(公告)号：CN115428139B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202080099714.6
申请日：2020-06-25
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： H01L21/68 , G03F7/20 , H01L23/544 , G03F9/00
摘要： 一种用于在晶片上制造功能性半导体装置时测量形成于所述晶片上的至少第一层与第二层之间的偏移的目标及其使用方法，所述功能性半导体装置包含功能性装置结构(FDST)，所述目标包含：多个测量结构(MST)，所述多个MST是所述第一层及所述第二层的部分；及多个类装置结构(DLST)，所述多个DLST是所述第一层及所述第二层中的至少一者的部分，所述DLST与所述FDST共享至少一个特性且所述MST不与所述FDST共享所述至少一个特性。
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公开(公告)号：CN117546090A
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202180099693.2
申请日：2021-10-21
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 一种用于半导体计量的方法包含将第一薄膜层沉积在半导体衬底上并沉积上覆所述第一薄膜层的第二薄膜层。图案化所述第一薄膜层及所述第二薄膜层以定义多个叠加目标，所述多个叠加目标包括：第一目标特征，其形成于所述第一薄膜层中具有隔开第一标称距离的相应第一位置；及第二目标特征，其形成于所述第二薄膜层中具有隔开与所述第一标称距离不同的第二标称距离的相应第二位置。处理所述半导体衬底的图像以测量所述叠加目标中的每一者中的所述第一目标位置与所述第二目标位置之间的相应位移，且估计所述第一薄膜层与所述第二薄膜层的所述图案化之间的实际叠加误差及成像组合件的测量误差两者。
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公开(公告)号：CN111033382B
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN201780093820.1
申请日：2017-10-22
申请人： 科磊股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本发明提供系统及方法，其从至少一个计量成像目标中的每一ROI(所关注区域)的经分析测量计算叠加错位误差估计，且将所述经计算叠加错位误差估计并入在对应叠加错位估计中。所揭示实施例提供可以连续方式集成到计量测量过程中且此外依据叠加错位评估目标质量的分级及加权目标质量分析，所述分析形成用于评估来自例如生产步骤特性、测量参数及目标特性的不同源的误差的共同基础。接着，此类共同基础实现以下中的任一者：组合各种误差源以给出与测量保真度相关联的单个数目；在晶片级、批量级及过程级下分析各种误差；及/或通过减少测量次数而对于吞吐量以受控方式权衡所得准确度。
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