公开(公告)号：CN105047599A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510187545.2

申请日：2012-03-12

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  戈登·格里夫纳

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/782 ,  H01L2221/68327 ,  Y10S414/139

摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供升降机构；在所述处理室内提供工件支架，所述工件支架具有静电吸盘，所述静电吸盘具有外径，所述静电吸盘的所述外径延伸到所述升降机构；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；将所述工件放置到所述处理室内的所述升降机构上；通过所述等离子源产生等离子；使用所产生的等离子来蚀刻所述工件；以及，在所述蚀刻步骤期间，使用所述静电吸盘来静电吸附所述支撑膜的一部分。另外，还提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。

公开(公告)号：CN104810274A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：CN201510186312.0

申请日：2012-03-12

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  戈登·格里夫纳

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/782 ,  H01L2221/68327 ,  Y10S414/139

摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供转移臂；提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供工件支架；在所述工件支架内提供升降机构；将基板放置到所述框架上的支撑膜上以形成工件；使用所述转移臂将工件转移至处理室中并放到所述升降机构上，所述升降机构接触所述工件的框架，所述升降机构不接触所述工件的基板；通过所述等离子源产生等离子；以及，通过所产生的等离子蚀刻所述工件。

公开(公告)号：CN101150094B

公开(公告)日：2011-02-02

申请号：CN200710088724.6

申请日：2007-03-20

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 蔡豪益 ,  蔡佳伦 ,  侯上勇 ,  郑心圃 ,  许仕勋 ,  许惟迪 ,  林克峰 ,  陈俊仁

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/782 ,  H01L21/784 ,  H01L21/786 ,  H01L22/10 ,  H01L22/34 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 为解决测试垫剥离问题，本发明提供一种半导体晶圆结构，包括多个晶粒。第一切割线沿第一方向延伸，第二切割线沿第二方向延伸且与该第一切割线交叉，其中该第一切割线与该第二切割线具有交叉区域。第一测试线形成于该第一切割线中，其中该第一测试线越过该交叉区域。多个第一测试垫形成于该第一测试线中，其中所述第一测试垫仅形成于未被占用的区域的外侧，该未被占用的区域实质上定义于该交叉区域中。本发明可显著减少低介电常数材料的剥离问题，并且不仅给测试线提供了设置上的较大弹性，还可增加测试线的长度及测试线中测试垫的数目，此外，还可在各晶圆中制造出更多的晶粒。

公开(公告)号：CN103779241B

公开(公告)日：2017-01-18

申请号：CN201310491772.5

申请日：2013-10-18

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 莱奥那德思·安托尼思·伊丽沙 ,  白·范吉莫特 ,  哈特莫特·布宁 ,  托尼·坎姆普里思 ,  萨沙·默勒 ,  克里斯蒂安·延斯

IPC分类号： H01L21/56

CPC分类号： H01L21/782 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

摘要： 根据示例实施例，提供了一种用于装配经晶片级芯片规模处理(WLCSP)的晶片的方法。晶片具有前侧表面和背侧表面以及在前侧表面上具有电接触的多个器件管芯。该方法包括：将晶片的背侧表面背侧研磨至一定厚度。将一定厚度的保护层施加至晶片的背侧表面上。将晶片安装到切割箔上。沿多个器件管芯的切割线来切割晶片，该切割利用第一切口的刀片进行且切割至背侧研磨晶片厚度的深度。再次沿多个器件管芯的切割线切割晶片，该切割利用第二切口的刀片进行，第二切口比第一切口窄，且切割至保护层厚度的深度。将多个器件管芯分离为单独的器件管芯。每一个单独的器件管芯在背侧具有保护层，保护层具有相对于单独器件管芯的竖直边缘的

公开(公告)号：CN105047558A

公开(公告)日：2015-11-11

申请号：CN201510187572.X

申请日：2012-03-12

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  戈登·格里夫纳

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/782 ,  H01L2221/68327 ,  Y10S414/139

摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供工件支架；提供基板，所述基板被安装在框架上的支撑膜上以形成工件；在所述工件支架内提供静电吸盘；将所述工件放置到所述工件支架上；提供RF功率源，所述RF功率源被耦合到所述工件支架；通过所述等离子源产生等离子；通过所产生的等离子蚀刻所述工件；在所述等离子蚀刻步骤期间，随着接近所述基板与所述支撑膜之间的界面，使RF功率在低频率下跳动；以及在所述等离子蚀刻步骤期间，使用所述静电吸盘来静电吸附所述工件。

公开(公告)号：CN103460350A

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：CN201280013642.4

申请日：2012-03-12

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/683 ,  H01L21/687 ,  H01L21/67 ,  H01L21/78 ,  H01J37/32

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/782 ,  H01L2221/68327 ,  Y10S414/139

摘要： 本发明提供一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供工件支架；将基板放置到所述框架上的支撑膜上以形成工件；将所述工件加载到所述工件支架上；提供布置在所述工件上方的盖环；通过所述等离子源产生等离子；以及，通过所产生的等离子来蚀刻所述工件。

公开(公告)号：CN102142464A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201110030782.X

申请日：2011-01-28

申请人： 株式会社东芝

发明人： 木谷智之 ,  东条启 ,  能木孝男 ,  樋口和人 ,  井口知洋 ,  福满昌子 ,  小幡进 ,  浅野佑策

IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L23/31 ,  H01L29/417 ,  H01L21/329 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L21/782 ,  H01L23/48 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及表面安装型二极管及其制造方法。二极管具备：具有相对置的第一及第二主面；负极，具有设在上述第一主面的表面上的第一内部电极部和设在上述第一内部电极部的表面上的第一外部电极部；正极，具备第二内部电极部和第二外部电极部，该第二内部电极部设在上述第二主面的表面，该第二外部电极部设在该第二内部电极部的表面且具有与上述负极的第一外部电极部相同的厚度；第一被覆部件，对上述第一内部电极部及上述第二内部电极部的任一方的内部电极部的外周面及上述二极管芯片的外周面进行覆盖；及第二被覆部件，对上述第一内部电极部及上述第二内部电极部中的另一方的上述内部电极部的外周面进行覆盖，具有与上述第一被覆部件不同的颜色。

公开(公告)号：CN103779237B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201310495065.3

申请日：2013-10-21

申请人： NXP股份有限公司

发明人： 克里斯蒂安·延斯 ,  哈特莫特·布宁 ,  莱奥那德思·安托尼思·伊丽沙白·范吉莫特 ,  托尼·坎姆普里思 ,  萨沙·默勒

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/304 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L21/782 ,  H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L29/0657 ,  H01L2221/68336 ,  H01L2221/68377 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/11 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明提出一种半导体器件，该半导体器件具有有源器件、正面表面和背面表面，具有总厚度的半导体器件包括具有电路的有源器件，有源器件的电路限定在正面表面上，正面表面具有第一面积。在有源器件的背面具有凹部，该凹部的部分深度是有源器件的厚度，该凹部的宽度是部分深度，该凹部在垂直边缘围绕有源器件。在有源器件的背面表面上具有某一厚度的保护层，保护材料的面积大于第一面积，并且保护材料具有间隔距离。垂直边缘具有保护层，垂直边缘的保护层填充凹部与垂直边缘齐平。保护材料的间隔距离是半导体器件的厚度与撞击半导体器件的垂直面的工具的角度(θ)的正切值的函数。

公开(公告)号：CN105047599B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201510187545.2

申请日：2012-03-12

申请人： 等离子瑟姆有限公司

发明人： 克里斯·约翰逊 ,  大卫·约翰逊 ,  鲁塞尔·韦斯特曼 ,  林内尔·马丁内斯 ,  大卫·佩斯-沃拉德 ,  戈登·格里夫纳

IPC分类号： H01L21/687 ,  H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/683

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32155 ,  H01J37/32422 ,  H01J37/32623 ,  H01J37/32642 ,  H01J37/32651 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67011 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67739 ,  H01L21/68 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/6833 ,  H01L21/68735 ,  H01L21/68742 ,  H01L21/782 ,  H01L2221/68327 ,  Y10S414/139

摘要： 本发明提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。所述方法包括：提供具有壁的处理室；提供与所述处理室的壁相邻的等离子源；在所述处理室内提供升降机构；在所述处理室内提供工件支架，所述工件支架具有静电吸盘，所述静电吸盘具有外径，所述静电吸盘的所述外径延伸到所述升降机构；将基板放置到框架上的支撑膜上以形成工件；将所述工件放置到所述处理室内的所述升降机构上；通过所述等离子源产生等离子；使用所产生的等离子来蚀刻所述工件；以及，在所述蚀刻步骤期间，使用所述静电吸盘来静电吸附所述支撑膜的一部分。另外，还提供了一种用于对基板进行等离子切割的方法。

公开(公告)号：CN107275234A

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：CN201710217141.2

申请日：2017-04-05

申请人： 株式会社迪思科

发明人： 小清水秀辉 ,  陆昕 ,  荒谷侑里香

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L23/29 ,  H01L21/561 ,  H01L21/67092 ,  H01L21/67121 ,  H01L21/67126 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/78 ,  H01L21/782 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3178 ,  H01L21/56

摘要： 提供封装晶片的制造方法和器件芯片的制造方法，利用模制树脂将晶片的正面覆盖并且将模制树脂合适地填充在槽内。封装晶片的制造方法构成为通过如下的步骤制造出利用模制树脂将晶片的器件区域(A1)包覆并利用模制树脂埋设了沿着分割预定线而形成的槽的封装晶片：从晶片(W)的正面侧沿着分割预定线形成深度为完工厚度以上的槽(12)的步骤；将晶片的外周的倒角部去除而形成槽以上的深度的阶部(13)的步骤；以及将成型装置的凹状的模具(36)载置在阶部底面(14)上而对由模具和晶片围成的空间填充模制树脂(M)的步骤。