公开(公告)号：CN1464861A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN02802326.9

申请日：2002-06-13

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 名取荣治 ,  木岛健 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC分类号： C01B13/14 ,  C01G1/00 ,  H01B17/60 ,  H01B19/00 ,  H01L27/10 ,  B32B18/00 ,  B32B9/00

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： 一种陶瓷膜的制造方法，包括以下步骤：通过使含有第一原料液和第二原料液的原料液结晶，形成一陶瓷膜。该第一原料液与第二原料液的种类不同，前者用于产生铁电体而后者用于产生ABO类的氧化物，前者所含的溶剂的极性与后者所含的溶剂的极性不同，第一原料液和第二原料液发生相分离而形成膜，从而在陶瓷膜的平面方向断续地形成由第一原料液形成的第一晶体，并且形成由第二原料液形成的第二晶体，这样介于第一晶体之间。

公开(公告)号：CN100441543C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200510075913.0

申请日：2001-06-14

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 名取荣治 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC分类号： C04B35/622 ,  C01G1/00

摘要： 陶瓷膜的制造方法，包含通过使原材料体20结晶化而形成陶瓷膜30的工序，原材料体20以混合存在的状态含有种类不同的原料，种类不同的原料彼此在原料的结晶化中的晶体生长条件和晶体生长机理的至少一方存在相互不同的关系。根据本发明的制造方法，能够改善陶瓷膜的表面形态。

公开(公告)号：CN1296283C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN01802497.1

申请日：2001-06-14

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 名取荣治 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC分类号： C01G1/00

CPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/624 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： 陶瓷膜的制造方法，包含通过使原材料体20结晶化而形成陶瓷膜30的工序，原材料体20以混合存在的状态含有种类不同的原料，种类不同的原料彼此在原料的结晶化中的晶体生长条件和晶体生长机理的至少一方存在相互不同的关系。根据本发明的制造方法，能够改善陶瓷膜的表面形态。

公开(公告)号：CN100570770C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN02802326.9

申请日：2002-06-13

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 名取荣治 ,  木岛健 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC分类号： H01G4/10 ,  H01G4/12 ,  C30B1/06 ,  C01B13/14 ,  C01G1/00 ,  H01B17/60 ,  H01B19/00 ,  H01L27/10 ,  B32B18/00 ,  B32B9/00

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： 一种陶瓷膜的制造方法，包括以下步骤：通过使含有第一原料液和第二原料液的原料液结晶，形成一陶瓷膜。该第一原料液与第二原料液的种类不同，前者用于产生铁电体而后者用于产生ABO类的氧化物，前者所含的溶剂的极性与后者所含的溶剂的极性不同，第一原料液和第二原料液发生相分离而形成膜，从而在陶瓷膜的平面方向断续地形成由第一原料液形成的第一晶体，并且形成由第二原料液形成的第二晶体，这样介于第一晶体之间。

公开(公告)号：CN1644496A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200510001873.5

申请日：2002-06-13

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 名取荣治 ,  木岛健 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC分类号： C01B33/00 ,  C04B35/00 ,  C04B35/622 ,  H01L27/10 ,  H01B3/12 ,  H01B19/00

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： 一种陶瓷的制造方法，包括：形成一个具有氧八面体结构的复合氧化物材料与对该复合氧化物材料具有触媒作用的常介电体材料混合存在的膜；之后对该膜进行热处理，所述常介电体材料，由构成元素中含有Si的层状触媒物质，以及构成元素中含有Si及Ge的层状触媒物质构成。所述热处理包括烧结及退火，优选至少该退火在含有氧及臭氧中的一种气体的加压环境下进行。陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，该复合氧化物中含有Si及Ge。

公开(公告)号：CN1724381A

公开(公告)日：2006-01-25

申请号：CN200510075913.0

申请日：2001-06-14

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 名取荣治 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC分类号： C01G1/00 ,  C04B35/622

摘要： 陶瓷膜的制造方法，包含通过使原材料体20结晶化而形成陶瓷膜30的工序，原材料体20以混合存在的状态含有种类不同的原料，种类不同的原料彼此在原料的结晶化中的晶体生长条件和晶体生长机理的至少一方存在相互不同的关系。根据本发明的制造方法，能够改善陶瓷膜的表面形态。

公开(公告)号：CN1566024A

公开(公告)日：2005-01-19

申请号：CN200410071215.9

申请日：2001-06-14

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 名取荣治 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC分类号： C04B35/622

CPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/624 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： 陶瓷膜的制造方法，包括使原材料体20结晶化而下层陶瓷膜30的过程，原材料体20，以种类不同的原料混合存在的状态含有，种类不同的原料彼此存在在原料的结晶化中的晶体生长条件和晶体生长机构的至少一方相互不同的关系。按照本发明的制造方法，能够改善陶瓷膜的表面形态。

公开(公告)号：CN1388793A

公开(公告)日：2003-01-01

申请号：CN01802497.1

申请日：2001-06-14

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 名取荣治 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC分类号： C01G1/00

CPC分类号： C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/624 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： 陶瓷膜的制造方法,包含通过使原材料体20结晶化而形成陶瓷膜30的工序,原材料体20以混合存在的状态含有种类不同的原料,种类不同的原料彼此在原料的结晶化中的晶体生长条件和晶体生长机构的至少一方存在相互不同的关系。根据本发明的制造方法,能够改善陶瓷膜的表面形态。

公开(公告)号：CN101863667B

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN200910246239.6

申请日：2002-06-13

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 名取荣治 ,  木岛健 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC分类号： H01G4/12 ,  C04B35/622

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： 一种陶瓷的制造方法，包括：形成一个具有氧八面体结构的复合氧化物材料与对该复合氧化物材料具有触媒作用的常介电体材料混合存在的膜；之后对该膜进行热处理，所述常介电体材料，由构成元素中含有Si的层状触媒物质，以及构成元素中含有Si及Ge的层状触媒物质构成。所述热处理包括烧结及退火，优选至少该退火在含有氧及臭氧中的一种气体的加压环境下进行。陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，该复合氧化物中含有Si及Ge。

公开(公告)号：CN101863667A

公开(公告)日：2010-10-20

申请号：CN200910246239.6

申请日：2002-06-13

申请人： 精工爱普生株式会社

发明人： 名取荣治 ,  木岛健 ,  古山晃一 ,  田崎雄三

IPC分类号： C04B35/622

CPC分类号： C04B35/457 ,  C04B35/01 ,  C04B35/16 ,  C04B35/42 ,  C04B35/4521 ,  C04B35/465 ,  C04B35/472 ,  C04B35/475 ,  C04B35/491 ,  C04B35/493 ,  C04B35/495 ,  C04B35/497 ,  C04B35/624 ,  C04B35/6264 ,  C04B35/62645 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3205 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3445 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/3463 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/08 ,  C23C16/40 ,  C23C16/409 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1225 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/11502 ,  H01L27/11507 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/318

摘要： 一种陶瓷的制造方法，包括：形成一个具有氧八面体结构的复合氧化物材料与对该复合氧化物材料具有触媒作用的常介电体材料混合存在的膜；之后对该膜进行热处理，所述常介电体材料，由构成元素中含有Si的层状触媒物质，以及构成元素中含有Si及Ge的层状触媒物质构成。所述热处理包括烧结及退火，优选至少该退火在含有氧及臭氧中的一种气体的加压环境下进行。陶瓷是具有氧八面体结构的复合氧化物，该复合氧化物中含有Si及Ge。