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公开(公告)号：CN103320762B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201310093006.3
申请日：2013-03-22
申请人： 纽富来科技股份有限公司 , 株式会社电装
CPC分类号： H01L21/02529 , C23C16/325 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/36
摘要： 本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。
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公开(公告)号：CN103320762A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310093006.3
申请日：2013-03-22
申请人： 纽富来科技股份有限公司 , 株式会社电装
CPC分类号： H01L21/02529 , C23C16/325 , C23C16/46 , C23C16/52 , C30B25/10 , C30B25/16 , C30B29/36
摘要： 本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。
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公开(公告)号：CN103160922A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210544538.X
申请日：2012-12-14
申请人： 纽富来科技股份有限公司 , 财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
IPC分类号： C30B25/02 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/165 , C30B25/14
摘要： 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，用于抑制原料气体在喷淋板上的反应。成膜装置（100）使用喷淋板（124）朝向腔室（103）内的基板（101）供给多种气体。喷淋板（124）具有按照沿着基板（101）侧的第1面的方式在其内部延伸，与供给多种的各气体的气体管（131）连接的多个气体流路（121）；和被贯穿设置成将该多个各气体流路（121）与腔室（103）内在第1面侧连通的多个气体喷出孔（129）。在成膜装置（100）中，从气体管（131）供给到喷淋板（124）的多个气体流路（121）的多种的各气体在喷淋板（124）的内部以及附近不混合地分别从气体喷出孔（129）向基板（101）供给。
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公开(公告)号：CN116695252A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310176260.3
申请日：2023-02-28
申请人： 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社 , 未来瞻科技株式会社 , 一般财团法人电力中央研究所
摘要： 一种碳化硅单晶(6)的制造方法包括：向籽晶(5)的表面供应含有碳化硅原料气体的供应气体(3a)并控制环境使得加热容器内的至少一部分为2500℃或更高，由此在籽晶的表面上生长碳化硅单晶。生长碳化硅单晶包括控制以籽晶和碳化硅单晶的中心轴线(C)为中心的径向上的温度分布ΔT，使得在碳化硅单晶生长之前籽晶的表面上和在碳化硅单晶生长期间碳化硅单晶的生长表面上满足ΔT≤10℃的径向温度条件。
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