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公开(公告)号：CN103160922A
公开(公告)日：2013-06-19
申请号：CN201210544538.X
申请日：2012-12-14
申请人： 纽富来科技股份有限公司 , 财团法人电力中央研究所 , 株式会社电装 , 丰田自动车株式会社
IPC分类号： C30B25/02 , H01L21/205
CPC分类号： C30B25/165 , C30B25/14
摘要： 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，用于抑制原料气体在喷淋板上的反应。成膜装置（100）使用喷淋板（124）朝向腔室（103）内的基板（101）供给多种气体。喷淋板（124）具有按照沿着基板（101）侧的第1面的方式在其内部延伸，与供给多种的各气体的气体管（131）连接的多个气体流路（121）；和被贯穿设置成将该多个各气体流路（121）与腔室（103）内在第1面侧连通的多个气体喷出孔（129）。在成膜装置（100）中，从气体管（131）供给到喷淋板（124）的多个气体流路（121）的多种的各气体在喷淋板（124）的内部以及附近不混合地分别从气体喷出孔（129）向基板（101）供给。
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公开(公告)号：CN104024492B
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201280059156.6
申请日：2012-12-03
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： H01L29/045 , C30B23/025 , C30B29/36 , H01L29/1608
摘要： 本发明涉及一种SiC单晶，其包含具有{0001}面内方向(主要与＜11‑20＞方向平行的方向)的柏氏矢量的位错的密度为3700cm/cm2以下的低位错密度区域(A)。这样的SiC单晶是采用以下的方法得到的：从a面生长晶体切出高偏置角的c面生长籽晶，进行c面生长使得被导入至c面刻面的螺旋位错密度在规定范围内，从得到的c面生长晶体中切出低偏置角的c面生长晶体，进行c面生长使得被导入至c面刻面的螺旋位错密度在规定范围内。SiC晶片以及半导体器件由这样的SiC单晶得到。
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公开(公告)号：CN104024492A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201280059156.6
申请日：2012-12-03
IPC分类号： C30B29/36
CPC分类号： H01L29/045 , C30B23/025 , C30B29/36 , H01L29/1608
摘要： 本发明涉及一种SiC单晶，其包含具有{0001}面内方向(主要与＜11-20＞方向平行的方向)的柏氏矢量的位错的密度为3700cm/cm2以下的低位错密度区域(A)。这样的SiC单晶是采用以下的方法得到的：从a面生长晶体切出高偏置角的c面生长籽晶，进行c面生长使得被导入至c面刻面的螺旋位错密度在规定范围内，从得到的c面生长晶体中切出低偏置角的c面生长晶体，进行c面生长使得被导入至c面刻面的螺旋位错密度在规定范围内。SiC晶片以及半导体器件由这样的SiC单晶得到。
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公开(公告)号：CN103635615B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201280023709.2
申请日：2012-05-16
IPC分类号： C30B29/36 , H01L29/161
CPC分类号： H01L29/30 , C30B23/025 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/32 , H01L29/861
摘要： 本发明为具有基底面位错的直线性高并且基底面位错向结晶学上等价的三个 方向取向的一个或两个以上的取向区域的碳化硅单晶以及由这样的碳化硅单晶制造的碳化硅晶片和半导体器件。这样的碳化硅单晶能够通过使用{0001}面最顶部侧的偏斜角小并且偏斜方向下游侧的偏斜角大的籽晶而使新的晶体在该籽晶上生长来制造。
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公开(公告)号：CN102400224A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110220363.2
申请日：2011-07-29
摘要： 一种碳化硅单晶(3)，包括作为掺杂剂的氮和作为掺杂剂的铝。氮浓度为2×1019cm-3或更高，并且铝浓度与所述氮浓度的比率在5％至40％的范围内。
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公开(公告)号：CN102400224B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110220363.2
申请日：2011-07-29
摘要： 一种碳化硅单晶(3)，包括作为掺杂剂的氮和作为掺杂剂的铝。氮浓度为2×1019cm-3或更高，并且铝浓度与所述氮浓度的比率在5％至40％的范围内。
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公开(公告)号：CN103635615A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201280023709.2
申请日：2012-05-16
IPC分类号： C30B29/36 , H01L29/161
CPC分类号： H01L29/30 , C30B23/025 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L29/045 , H01L29/1608 , H01L29/32 , H01L29/861
摘要： 本发明为具有基底面位错的直线性高并且基底面位错向结晶学上等价的三个 方向取向的一个或两个以上的取向区域的碳化硅单晶以及由这样的碳化硅单晶制造的碳化硅晶片和半导体器件。这样的碳化硅单晶能够通过使用{0001}面最顶部侧的偏斜角小并且偏斜方向下游侧的偏斜角大的籽晶而使新的晶体在该籽晶上生长来制造。
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公开(公告)号：CN103582723B
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201280027744.1
申请日：2012-06-04
申请人： 株式会社丰田中央研究所 , 株式会社电装 , 昭和电工株式会社
IPC分类号： C30B29/36 , H01L21/203
CPC分类号： C30B23/025 , C30B23/005 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L29/1608 , Y10T428/21
摘要： 当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11‑20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11‑20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11‑20}面生长与{1‑100}面生长的交替生长法。
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公开(公告)号：CN103582723A
公开(公告)日：2014-02-12
申请号：CN201280027744.1
申请日：2012-06-04
申请人： 株式会社丰田中央研究所 , 株式会社电装 , 昭和电工株式会社
IPC分类号： C30B29/36 , H01L21/203
CPC分类号： C30B23/025 , C30B23/005 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02529 , H01L21/02587 , H01L21/02609 , H01L29/1608 , Y10T428/21
摘要： 当通过重复a面生长来制造具有大的{0001}面直径的SiC单晶时，实施SiC单晶的a面生长，使得Si面侧小面区域的面积(S1)对生长面的总面积(S2)之比S小面(=S1×100/S2)保持在20%以下。a面生长优选为以{11-20}面作为基准，在相差大约60°或约120°的方向上重复a面生长的{11-20}面选择性生长法，或者优选为交替重复{11-20}面生长与{1-100}面生长的交替生长法。
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