公开(公告)号：CN103160922A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210544538.X

申请日：2012-12-14

申请人： 纽富来科技股份有限公司 ,  财团法人电力中央研究所 ,  株式会社电装 ,  丰田自动车株式会社

发明人： 铃木邦彦 ,  佐藤裕辅 ,  伊藤英树 ,  土田秀一 ,  镰田功穂 ,  伊藤雅彦 ,  内藤正美 ,  藤林裕明 ,  安达步 ,  西川恒一

IPC分类号： C30B25/02 ,  H01L21/205

CPC分类号： C30B25/165 ,  C30B25/14

摘要： 本发明涉及成膜装置以及成膜方法，用于抑制原料气体在喷淋板上的反应。成膜装置（100）使用喷淋板（124）朝向腔室（103）内的基板（101）供给多种气体。喷淋板（124）具有按照沿着基板（101）侧的第1面的方式在其内部延伸，与供给多种的各气体的气体管（131）连接的多个气体流路（121）；和被贯穿设置成将该多个各气体流路（121）与腔室（103）内在第1面侧连通的多个气体喷出孔（129）。在成膜装置（100）中，从气体管（131）供给到喷淋板（124）的多个气体流路（121）的多种的各气体在喷淋板（124）的内部以及附近不混合地分别从气体喷出孔（129）向基板（101）供给。

公开(公告)号：CN103320762A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310093006.3

申请日：2013-03-22

申请人： 纽富来科技股份有限公司 ,  株式会社电装

发明人： 铃木邦彦 ,  佐藤裕辅 ,  伊藤英树 ,  土田秀一 ,  镰田功穂 ,  伊藤雅彦 ,  内藤正美

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/52

CPC分类号： H01L21/02529 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

摘要： 本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。

公开(公告)号：CN103320762B

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201310093006.3

申请日：2013-03-22

申请人： 纽富来科技股份有限公司 ,  株式会社电装

发明人： 铃木邦彦 ,  佐藤裕辅 ,  伊藤英树 ,  土田秀一 ,  镰田功穂 ,  伊藤雅彦 ,  内藤正美

IPC分类号： C23C16/32 ,  C23C16/52

CPC分类号： H01L21/02529 ,  C23C16/325 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52 ,  C30B25/10 ,  C30B25/16 ,  C30B29/36

摘要： 本发明涉及碳化硅的成膜装置及成膜方法。碳化硅的成膜装置具有：成膜室，被供给反应气体而进行成膜处理；温度测定部，测定成膜室内部的温度；多个加热器，配置在成膜室的内部；输出控制部，独立地控制多个加热器的各输出；以及基板搬送部，相对于成膜室的内部搬出搬入基板。输出控制部为，当对基板的成膜处理结束时，使多个加热器的至少一个加热器的输出关闭或降低，当由温度测定部测定的温度成为基板搬送部能够在成膜室内动作的温度时，使关闭或降低了输出的加热器中的至少一个加热器的输出开启或上升，通过基板搬送部将结束了成膜处理的基板从成膜室搬出。

公开(公告)号：CN111052308A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201880056079.6

申请日：2018-08-08

申请人： 纽富来科技股份有限公司

发明人： 醍醐佳明 ,  石黑晓夫 ,  伊藤英树

IPC分类号： H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/44 ,  C23C16/455

摘要： 实施方式的气相生长装置具备：反应室；基板保持部，设置于反应室之中，能够载置基板，具有能够具有规定的间隙地保持基板的外周的保持壁；过程气体供给部，设置于反应室的上方，具有第1区域和第2区域，该第1区域对反应室供给第1过程气体，该第2区域设置于第1区域的周围，能够对反应室供给与第1过程气体相比碳/硅原子比更高的第2过程气体，第2区域的内周直径为保持壁的直径的75％以上130％以下；侧壁，设置于反应室之中的、过程气体供给部与基板保持部之间的区域，内周直径为第2区域的外周直径的110％以上200％以下；第1加热器，设置于基板保持部的下方；第2加热器，设置于侧壁与反应室的内壁之间；及旋转驱动机构，使基板保持部旋转。

公开(公告)号：CN105543806A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510705608.9

申请日：2015-10-27

申请人： 纽富来科技股份有限公司

发明人： 伊藤英树 ,  佐藤裕辅

IPC分类号： C23C16/44 ,  C30B25/02

CPC分类号： C23C14/566 ,  C23C16/54 ,  H01L21/67201 ,  H01L21/67742 ,  C23C16/44 ,  C30B25/02

摘要： 实施方式的气相生长装置具备：n个反应室，在小于大气压的压力下分别处理基板，其中n为1以上的整数；盒室，具有能够设置用于保持基板的盒的盒保持部，该盒室能够减压至小于大气压的压力；搬送室，设置于反应室与盒室之间，基板在小于大气压的压力下被搬送；以及基板待机部，能够同时保持n片以上的在反应室被处理后的基板，该基板待机部的耐热温度为500℃以上，且设置于能够减压至小于大气压的压力的区域。

公开(公告)号：CN101043001A

公开(公告)日：2007-09-26

申请号：CN200710088732.0

申请日：2007-03-20

申请人： 纽富来科技股份有限公司

发明人： 伊藤英树 ,  稻田聪史 ,  森山义和

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C23C16/44

CPC分类号： H01L21/68735 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C30B25/12 ,  C30B25/165 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/68728

摘要： 本发明的一个方式气相生长方法，使用气相生长装置，该气相生长装置在腔内收容了放置于支承台上的基板，并连接有向放置于上述支承台上的上述基板上供给用于成膜的气体的第1流路、及将气体排出的第2流路，其特征在于，使上述基板旋转，供给上述用于成膜的反应气体及载体气体，在上述基板上气相生长半导体层；在上述基板上气相生长上述半导体层时，控制上述反应气体及载体气体的流量和浓度、上述腔内的真空度、上述基板温度及使上述基板旋转的旋转速度，使上述半导体层的膜厚均匀。

公开(公告)号：CN100562976C

公开(公告)日：2009-11-25

申请号：CN200710088732.0

申请日：2007-03-20

申请人： 纽富来科技股份有限公司

发明人： 伊藤英树 ,  稻田聪史 ,  森山义和

IPC分类号： H01L21/205 ,  C30B25/02 ,  C23C16/44

CPC分类号： H01L21/68735 ,  C23C16/4584 ,  C23C16/4585 ,  C23C16/4586 ,  C30B25/12 ,  C30B25/165 ,  C30B29/06 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L21/68728

摘要： 本发明的一个方式气相生长方法，使用气相生长装置，该气相生长装置在腔内收容了放置于支承台上的基板，并连接有向放置于上述支承台上的上述基板上供给用于成膜的气体的第1流路、及将气体排出的第2流路的，其特征在于，使上述基板旋转，供给上述用于成膜的反应气体及载体气体，在上述基板上气相生长半导体层；在上述基板上气相生长上述半导体层时，控制上述反应气体及载体气体的流量和浓度、上述腔内的真空度、上述基板温度及使上述基板旋转的旋转速度，使上述半导体层的膜厚均匀。

公开(公告)号：CN111172517B

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN201911079497.X

申请日：2019-11-07

申请人： 纽富来科技股份有限公司

发明人： 伊藤英树

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02

摘要： 气相生长装置具备：n个反应室，n为2以上的整数；主气体供给通路，对n个反应室供给第一气体与第二气体的混合气体；n条副气体供给通路，从主气体供给通路分支，与反应室分别连接，包括1条第一副气体供给通路和(n－1)条第二副气体供给通路；第一压力计，测定主气体供给通路中的压力；1个第一流量控制器，设置于第一副气体供给通路；(n－1)个第二流量控制器，分别设置于第二副气体供给通路；第一控制电路，基于第一压力计的测定结果，对第一流量控制器指示第一流量值；以及第二控制电路，计算由第一流量控制器测定的流量值与由第二流量控制器测定的流量值的总和的n分之一即第二流量值，对第二流量控制器分别指示第二流量值。

公开(公告)号：CN111172517A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN201911079497.X

申请日：2019-11-07

申请人： 纽富来科技股份有限公司

发明人： 伊藤英树

IPC分类号： C23C16/455 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02

摘要： 气相生长装置具备：n个反应室，n为2以上的整数；主气体供给通路，对n个反应室供给第一气体与第二气体的混合气体；n条副气体供给通路，从主气体供给通路分支，与反应室分别连接，包括1条第一副气体供给通路和(n－1)条第二副气体供给通路；第一压力计，测定主气体供给通路中的压力；1个第一流量控制器，设置于第一副气体供给通路；(n－1)个第二流量控制器，分别设置于第二副气体供给通路；第一控制电路，基于第一压力计的测定结果，对第一流量控制器指示第一流量值；以及第二控制电路，计算由第一流量控制器测定的流量值与由第二流量控制器测定的流量值的总和的n分之一即第二流量值，对第二流量控制器分别指示第二流量值。