公开(公告)号：CN112992726B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202011458403.2

申请日：2020-12-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 高定奭 ,  李在晟 ,  林度延 ,  金局生 ,  郑暎大 ,  金泰信 ,  李智暎 ,  金源根 ,  郑智训 ,  金光燮 ,  许弼覠 ,  史允基 ,  延蕊林 ,  尹铉 ,  金度延 ,  徐溶晙 ,  金昺槿 ,  严永堤

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了用于蚀刻薄层的方法和设备，所述薄层包括形成在基板上的氮化硅。在所述基板上供应包括磷酸和水的蚀刻剂，使得在所述基板上形成液层。通过在所述薄层和所述蚀刻剂的反应来蚀刻所述薄层。测量所述液层的厚度，以在蚀刻所述薄层的同时检测所述液层的所述厚度的变化。基于所述液层的所述厚度的所述变化来计算所述磷酸和所述水的浓度的变化。基于所述磷酸和所述水的所述浓度的所述变化在所述基板上供应水，使得所述磷酸和所述水的所述浓度变为预定值。

公开(公告)号：CN112750721A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011109697.8

申请日：2020-10-16

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 郑暎大 ,  金源根 ,  李智暎 ,  郑智训 ,  金泰信 ,  高定奭 ,  崔成彬 ,  延蕊林

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 公开一种基板处理装置以及基板处理方法。本发明的实施例的基板处理装置的特征在于，包括：基板支承单元；药液供应单元，用于将药液供应于被所述基板支承单元支承的基板上面；激光照射单元，用于将激光照射于基板而加热基板；以及控制部，控制成激光照射单元照射激光脉冲，从而反复加热及冷却基板。

公开(公告)号：CN114121718A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110973602.5

申请日：2021-08-24

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 郑智训 ,  金源根 ,  郑映大 ,  李智暎 ,  金泰信

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687

Abstract: 本公开提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括支承单元，该支承单元支承基板；以及加热单元，该加热单元将光束照射到基板并且加热基板；并且加热单元还包括照射光束的照射部和旋转光束的旋转部。

公开(公告)号：CN112992726A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011458403.2

申请日：2020-12-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 高定奭 ,  李在晟 ,  林度延 ,  金局生 ,  郑暎大 ,  金泰信 ,  李智暎 ,  金源根 ,  郑智训 ,  金光燮 ,  许弼覠 ,  史允基 ,  延蕊林 ,  尹铉 ,  金度延 ,  徐溶晙 ,  金昺槿 ,  严永堤

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了用于蚀刻薄层的方法和设备，所述薄层包括形成在基板上的氮化硅。在所述基板上供应包括磷酸和水的蚀刻剂，使得在所述基板上形成液层。通过在所述薄层和所述蚀刻剂的反应来蚀刻所述薄层。测量所述液层的厚度，以在蚀刻所述薄层的同时检测所述液层的所述厚度的变化。基于所述液层的所述厚度的所述变化来计算所述磷酸和所述水的浓度的变化。基于所述磷酸和所述水的所述浓度的所述变化在所述基板上供应水，使得所述磷酸和所述水的所述浓度变为预定值。

公开(公告)号：CN112750721B

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202011109697.8

申请日：2020-10-16

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 郑暎大 ,  金源根 ,  李智暎 ,  郑智训 ,  金泰信 ,  高定奭 ,  崔成彬 ,  延蕊林

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 公开一种基板处理装置以及基板处理方法。本发明的实施例的基板处理装置的特征在于，包括：基板支承单元；药液供应单元，用于将药液供应于被所述基板支承单元支承的基板上面；激光照射单元，用于将激光照射于基板而加热基板；以及控制部，控制成激光照射单元照射激光脉冲，从而反复加热及冷却基板。

公开(公告)号：CN113053777B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN202011343448.5

申请日：2020-11-26

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金泰信 ,  郑暎大 ,  郑智训 ,  李智暎 ,  金源根

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及基板加热单元、基板处理装置以及基板处理方法。在处理基板时，将具有均匀化的能量分布的第一光束(整体均匀形态的平顶激光束)和具有边缘区域被强化的能量分布的第二光束(边缘强化形态的平顶激光束)中一个光束选择性地提供于基板，从而既能够将基板加热到整体均匀的温度，也能够在基板的边缘区域的温度相对低情况下最小化基板的温度偏差。

公开(公告)号：CN117995654A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311473439.1

申请日：2023-11-07

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李相建 ,  崔基熏 ,  尹铉 ,  吴承彦 ,  成进荣 ,  李章晋 ,  金泰信

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  G03F1/80

Abstract: 本发明构思提供一种基板处理方法。所述基板处理方法包括：将液体供应到基板；以及在供应所述液体之后对所述基板进行加热，并且其中供应所述液体包括：将第一液体供应到所述基板；以及将不同于所述第一液体的第二液体供应到被供以所述第一液体的基板，并且其中将所述第二液体作为测试供应到所述基板，并且测量所供应的所述第二液体与所述基板之间的接触角以确定所述基板的亲水化程度，并且在执行供应所述第二液体之前，基于所确定的所述基板的所述亲水化程度来确定供应到所述基板的所述第二液体的供应机制。

公开(公告)号：CN113066737B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202011458413.6

申请日：2020-12-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金源根 ,  金泰信

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种用于蚀刻薄层的装置，包括：蚀刻剂供给单元，其构成为于基板上供给蚀刻剂以蚀刻形成在所述基板上的薄层；温度测量单元，其构成为在通过所述蚀刻剂执行蚀刻过程时测量所述基板的温度；激光照射单元，其构成为在包含所述基板的中央部分的第一部分上照射第一激光束，并且在围绕所述第一部分的第二部分上以环形照射第二激光束，从而在蚀刻过程中将所述基板的温度保持于预定温度；以及过程控制单元，其构成为基于由所述温度测量单元所测量的所述基板的温度来控制所述第一激光束和所述第二激光束的功率，以减小所述基板的所述第一部分和所述第二部分之间的温度差。

公开(公告)号：CN113053777A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011343448.5

申请日：2020-11-26

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 金泰信 ,  郑暎大 ,  郑智训 ,  李智暎 ,  金源根

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明涉及基板加热单元、基板处理装置以及基板处理方法。在处理基板时，将具有均匀化的能量分布的第一光束(整体均匀形态的平顶激光束)和具有边缘区域被强化的能量分布的第二光束(边缘强化形态的平顶激光束)中一个光束选择性地提供于基板，从而既能够将基板加热到整体均匀的温度，也能够在基板的边缘区域的温度相对低情况下最小化基板的温度偏差。

公开(公告)号：CN116230502A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211540954.2

申请日：2022-12-02

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 朴崠云 ,  郑志宪 ,  吴镇泽 ,  金泰信 ,  金周援 ,  赵妿罗 ,  崔炳斗

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/67 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40

Abstract: 本发明提供了用于处理基板的装置和用于处理基板的方法，并且，具体地提供了一种用于处理基板的方法。该用于处理基板的方法包括：加热形成有多个薄膜层的基板，该多个薄膜层包括形成在表面上的光刻胶层；以及将光照射到该多个薄膜层中的第一薄膜层以加热该第一薄膜层，所述第一薄膜层包括金属。