公开(公告)号：CN112992726B

公开(公告)日：2024-04-19

申请号：CN202011458403.2

申请日：2020-12-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 高定奭 ,  李在晟 ,  林度延 ,  金局生 ,  郑暎大 ,  金泰信 ,  李智暎 ,  金源根 ,  郑智训 ,  金光燮 ,  许弼覠 ,  史允基 ,  延蕊林 ,  尹铉 ,  金度延 ,  徐溶晙 ,  金昺槿 ,  严永堤

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本发明公开了用于蚀刻薄层的方法和设备，所述薄层包括形成在基板上的氮化硅。在所述基板上供应包括磷酸和水的蚀刻剂，使得在所述基板上形成液层。通过在所述薄层和所述蚀刻剂的反应来蚀刻所述薄层。测量所述液层的厚度，以在蚀刻所述薄层的同时检测所述液层的所述厚度的变化。基于所述液层的所述厚度的所述变化来计算所述磷酸和所述水的浓度的变化。基于所述磷酸和所述水的所述浓度的所述变化在所述基板上供应水，使得所述磷酸和所述水的所述浓度变为预定值。

公开(公告)号：CN109509699B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201811075544.9

申请日：2018-09-14

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔海圆 ,  姜基文 ,  崔基勋 ,  A·科里阿金 ,  许瓒宁 ,  李在晟 ,  林权泽 ,  金勇勲 ,  李相昊

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明公开了一种无水基板清洁组合物，基板处理方法和基板处理设备。所述无水基板清洁组合物包括含氟刻蚀化合物、溶解所述刻蚀化合物的溶剂、以及作为含磷化合物的粘结剂。

公开(公告)号：CN111048401B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201910962253.X

申请日：2019-10-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔海园 ,  崔基勋 ,  李在晟 ,  许瓒宁 ,  A·科里阿金 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于清洁基板的组合物。根据一个实施方式，用于清洁基板的组合物包含有机溶剂，该有机溶剂针对聚苯乙烯胶乳的汉森溶解度参数为5以上至12以下。

公开(公告)号：CN112289702A

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN202010698255.5

申请日：2020-07-20

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 许瓒宁 ,  崔基勋 ,  姜基文 ,  金度宪 ,  李在晟

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于处理基板的设备包括：处理腔室，在处理腔室中限定有处理空间；支撑单元，用于在处理空间中支撑基板；流体供应单元，用于将超临界流体供应到处理空间；以及控制器，其构造成控制流体供应单元，其中流体供应单元被构造成将超临界流体以第一密度或高于第一密度的第二密度选择性地供应至处理空间中。因此，当使用超临界流体干燥基板时，可以提高基板的干燥效率。

公开(公告)号：CN110896043B

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN201910852522.7

申请日：2019-09-10

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔基勋 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  崔海圆 ,  李在晟 ,  A·科里阿金 ,  郑址洙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  G03F7/30

Abstract: 一种用于处理基板的装置包括：显影室，其通过供应显影溶液对基板执行显影工艺；超临界室，其通过供应超临界流体来处理基板；和传送室，其具有传送单元，该传送单元在显影室与超临界室之间传送基板W。

公开(公告)号：CN110416121A

公开(公告)日：2019-11-05

申请号：CN201910350495.3

申请日：2019-04-28

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李在晟 ,  崔基勋 ,  崔海圆 ,  A·科里阿金 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于处理基板的装置，其包括在内部具有处理空间的腔室、在所述处理空间中支承所述基板的基板支承单元、以及安装在所述腔室中并调节所述处理空间中的温度的温度调节单元。所述温度调节单元包括加热所述处理空间的加热构件、以及冷却所述处理空间的冷却构件。所述冷却构件位于比所述加热构件更靠近所述腔室的中心轴线。

公开(公告)号：CN112289702B

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202010698255.5

申请日：2020-07-20

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 许瓒宁 ,  崔基勋 ,  姜基文 ,  金度宪 ,  李在晟

IPC: H01L21/67

Abstract: 一种用于处理基板的设备包括：处理腔室，在处理腔室中限定有处理空间；支撑单元，用于在处理空间中支撑基板；流体供应单元，用于将超临界流体供应到处理空间；以及控制器，其构造成控制流体供应单元，其中流体供应单元被构造成将超临界流体以第一密度或高于第一密度的第二密度选择性地供应至处理空间中。因此，当使用超临界流体干燥基板时，可以提高基板的干燥效率。

公开(公告)号：CN111081595B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201910968081.7

申请日：2019-10-12

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李在晟 ,  崔海圆 ,  崔基勋 ,  科里阿金 ,  许瓒宁 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明的一实施例提供一种超临界处理装置，包括：器皿，具备在中央形成有第一流体孔的上器皿和在中央形成有第二流体孔的下器皿；以及空间部，在所述上器皿与所述下器皿之间布置基板，在所述上器皿的下部设置有第一引导部，所述第一引导部形成为从所述第一流体孔越向周边侧向下倾斜。

公开(公告)号：CN115775750A

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202210563549.6

申请日：2022-05-23

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 李在晟 ,  高定奭 ,  崔海圆

IPC: H01L21/67

Abstract: 本发明提供在更低的压力条件下执行工艺以确保稳定性的基板处理装置及利用其的基板处理方法。所述基板处理装置包括：腔室，残留有冲洗液的基板被搬入所述腔室，且所述腔室包括壳体和处理区域；供应端口，设置于所述壳体，并且向所述处理区域供应第一干燥气体和第二干燥气体；第一供应线，与所述供应端口连接，且所述第一干燥气体在所述第一供应线中移动；以及第二供应线，与所述供应端口连接，且所述第二干燥气体在所述第二供应线中移动，其中，所述第一干燥气体是温度低于第一温度的气体，且所述第二干燥气体是温度为所述第一温度以上的气体，以及所述第二干燥气体对残留在所述基板上的所述冲洗液进行干燥。

公开(公告)号：CN111048401A

公开(公告)日：2020-04-21

申请号：CN201910962253.X

申请日：2019-10-11

Applicant: 细美事有限公司

Inventor： 崔海园 ,  崔基勋 ,  李在晟 ,  许瓒宁 ,  A·科里阿金 ,  金度宪 ,  郑址洙

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了一种用于清洁基板的组合物。根据一个实施方式，用于清洁基板的组合物包含有机溶剂，该有机溶剂针对聚苯乙烯胶乳的汉森溶解度参数为5以上至12以下。