公开(公告)号：CN115966485A

公开(公告)日：2023-04-14

申请号：CN202210853629.5

申请日：2022-07-11

申请人： 细美事有限公司

发明人： 辛在原 ,  李在晟 ,  崔海圆 ,  元俊皓 ,  科里亚金·安东 ,  金旻祐 ,  姜亨奭 ,  金应秀 ,  许弼覠 ,  成进荣

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明提供设置在管道内以稳定内部气流的流动阻力产生单元及包括其的基板处理装置。基板处理装置包括壳体；支承单元，设置在壳体内部，并且在两侧支承基板；加热部件，设置于壳体的侧壁，并且用于产生用于处理基板的热量；流体供应单元，用于向壳体的内部供应用于处理基板的流体，并且包括上部流体供应部、下部流体供应部和供应管道，上部流体供应部用于向基板的上部供应流体，下部流体供应部用于向基板的下部供应流体，供应管道与上部流体供应部和下部流体供应部中的至少一个流体供应部连接；以及流动阻力产生单元，设置于供应管道，并且对通过供应管道的流体产生流动阻力，其中，流动阻力产生单元设置在供应管道所包括的曲管与流体供应部之间。

公开(公告)号：CN118016563A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311489322.2

申请日：2023-11-09

申请人： 细美事有限公司

发明人： 成进荣 ,  崔基熏 ,  尹铉 ,  柳相铉 ,  朴永镐

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明构思提供了一种用于蚀刻基板上的特定区域的基板处理方法。所述基板处理方法包括：将处理液体供应到所述基板；以及向所述特定区域照射激光以局部加热所述特定区域；并且其中在照射所述激光时，在所述特定区域内多次照射所述激光，并且所述激光照射到在所述基板上不重叠、但是在所述特定区域内重叠的区域。

公开(公告)号：CN117917296A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202311345152.0

申请日：2023-10-17

申请人： 细美事有限公司

发明人： 金泰信 ,  崔基熏 ,  金泰熙 ,  李相建 ,  成进荣 ,  李章晋

IPC分类号： B23K26/362 ,  B23K26/70 ,  B23K26/06 ,  B23K26/073 ,  B23K26/60 ,  B23K26/00 ,  H01L21/027 ,  G03F7/20

摘要： 本发明构思的实施例提供了一种基板处理设备和基板处理方法，其使得即使化学物质的晃动角因振动或气流而偏离允许范围，激光的照射区域也不偏离目标区域。本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：基板支撑单元，其配置成支撑其上涂覆有化学物质的基板；激光产生单元，其配置成向所述基板照射激光；以及光传输器，其沿着所述激光照射的路径定位。

公开(公告)号：CN117055309A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202210485089.X

申请日：2022-05-06

申请人： 细美事有限公司

发明人： 崔海圆 ,  元俊皓 ,  科里亚金·安东 ,  崔基熏 ,  金应秀 ,  许弼覠 ,  金旻祐 ,  成进荣 ,  金孝洙

IPC分类号： G03F7/30

摘要： 本发明提供了抑制显影液和感光膜的不必要的附加反应并防止因附加反应而生成感光膜残留物的基板处理装置及方法。所述基板处理方法可以包括以下步骤：以第一转速旋转基板，同时向所述基板上供应有机显影液；以低于所述第一转速的第二转速旋转所述基板，同时向所述基板供应非极性冲洗液以用所述非极性冲洗液置换所述有机显影液；以高于所述第二转速的第三转速旋转所述基板，同时继续供应所述非极性冲洗液；以及以所述第二转速与所述第三转速之间的第四转速旋转所述基板，同时继续供应所述非极性冲洗液。

公开(公告)号：CN115083955A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202210239103.8

申请日：2022-03-11

申请人： 细美事有限公司

发明人： 崔海圆 ,  A·科里阿金 ,  元俊皓 ,  金旻祐 ,  崔基熏 ,  金应秀 ,  金泰熙 ,  许弼覠 ,  李章晋 ,  成进荣

IPC分类号： H01L21/67 ,  F26B21/10 ,  F26B21/14

摘要： 本发明涉及用于处理基板的方法及设备。本发明构思提供一种用于处理基板的方法。用于处理基板的方法包含：加压步骤，用于在将基板放入内部空间之后，通过向内部空间供应处理流体来增大腔室的内部空间的压力；流动步骤，用于通过将处理流体供应给内部空间及从内部空间排放处理流体的组合来产生处理流体的流动；及减压步骤，通过从内部空间排放处理流体来降低内部空间的压力，且加压步骤包含：底面供应工艺，通过将处理流体供应给被放入内部空间中的基板的背面来增大内部空间的压力；及顶面供应工艺，通过向放入到内部空间中的基板的顶面供应处理流体来增大内部空间的压力。

公开(公告)号：CN117995654A

公开(公告)日：2024-05-07

申请号：CN202311473439.1

申请日：2023-11-07

申请人： 细美事有限公司

发明人： 李相建 ,  崔基熏 ,  尹铉 ,  吴承彦 ,  成进荣 ,  李章晋 ,  金泰信

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/311 ,  H01L21/67 ,  G03F1/80

摘要： 本发明构思提供一种基板处理方法。所述基板处理方法包括：将液体供应到基板；以及在供应所述液体之后对所述基板进行加热，并且其中供应所述液体包括：将第一液体供应到所述基板；以及将不同于所述第一液体的第二液体供应到被供以所述第一液体的基板，并且其中将所述第二液体作为测试供应到所述基板，并且测量所供应的所述第二液体与所述基板之间的接触角以确定所述基板的亲水化程度，并且在执行供应所述第二液体之前，基于所确定的所述基板的所述亲水化程度来确定供应到所述基板的所述第二液体的供应机制。

公开(公告)号：CN116994981A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202210442568.3

申请日：2022-04-25

申请人： 细美事有限公司

发明人： 崔基熏 ,  金应秀 ,  许弼覠 ,  成进荣 ,  崔海圆 ,  A·科里阿金 ,  元俊皓

IPC分类号： H01L21/67

摘要： 本发明构思提供了一种基板处理设备。所述基板处理设备包括：腔室，在该腔室中具有处理空间；供应管线，在所述供应管线上安装有第一开/关阀，并且该供应管线配置成向所述处理空间供应处理流体；加热器，其安装在所述供应管线上并配置成加热所述处理流体；排出管线，在所述排出管线上安装有第二开/关阀，并且该排出管线配置成对所述处理空间进行排放；以及控制器，其配置成控制所述第一开/关阀和所述第二开/关阀，使得在所述处理空间中对基板执行处理工艺之前，将所述加热的处理流体供应到所述处理空间和从所述处理空间排出。

公开(公告)号：CN116266036A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211545329.7

申请日：2022-12-01

申请人： 三星电子株式会社 ,  细美事有限公司

发明人： 辛承敃 ,  朴相真 ,  崔海圆 ,  李章晋 ,  朴智焕 ,  李根泽 ,  克里科里安·安东 ,  元俊皓 ,  成进荣 ,  许弼覠

IPC分类号： G03F7/30 ,  G03F7/20

摘要： 提供了一种用于处理衬底的装置和方法。该装置包括：至少一个第一工艺室，被配置为将显影剂供应到衬底上；至少一个第二工艺室，被配置为使用超临界流体处理衬底；传送室，被配置为将衬底从至少一个第一工艺室传送到至少一个第二工艺室，同时在至少一个第一工艺室中供应的显影剂残留在衬底上；以及温湿度控制系统，被配置为通过将恒温恒湿的第一气体供应到传送室中来管理传送室的温度和湿度。