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公开(公告)号:CN108367912A
公开(公告)日:2018-08-03
申请号:CN201680071579.8
申请日:2016-10-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: B81C1/00285 , B81B7/0038 , B81B2201/0235 , B81B2201/0242 , B81B2203/0315 , B81C2203/0145 , G01P1/023 , G01P1/026
Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械结构元件的方法,该微机械结构元件具有衬底和与衬底连接并且与衬底包围第一空穴的罩,其中,在第一空穴中存在第一压力并且包含具有第一化学组分的第一气体混合物,其中,在第一方法步骤中,在衬底中或在罩中构造连接第一空穴与微机械结构元件的周围环境的进入开口,其中,在第二方法步骤中,设定在第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分,其中,在第三方法步骤中,通过借助于激光将能量或热量引入到衬底或罩的吸收部分中来封闭进入开口,其中,在时间上在所述第三方法步骤之前将用于进一步设定第一压力和/或第一化学组分的可逆吸气剂引入到第一空穴中。
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公开(公告)号:CN108367912B
公开(公告)日:2023-03-21
申请号:CN201680071579.8
申请日:2016-10-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明提出一种用于制造微机械结构元件的方法,该微机械结构元件具有衬底和与衬底连接并且与衬底包围第一空穴的罩,其中,在第一空穴中存在第一压力并且包含具有第一化学组分的第一气体混合物,其中,在第一方法步骤中,在衬底中或在罩中构造连接第一空穴与微机械结构元件的周围环境的进入开口,其中,在第二方法步骤中,设定在第一空穴中的第一压力和/或第一化学组分,其中,在第三方法步骤中,通过借助于激光将能量或热量引入到衬底或罩的吸收部分中来封闭进入开口,其中,在时间上在所述第三方法步骤之前将用于进一步设定第一压力和/或第一化学组分的可逆吸气剂引入到第一空穴中。
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公开(公告)号:CN102376589B
公开(公告)日:2017-05-24
申请号:CN201110235542.3
申请日:2011-08-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/02118 , H01L21/02318 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于填充晶片中的空腔(20)的方法,其中,这些空腔(20)是朝着晶片的一个预先确定的表面敞开的,所述方法具有以下步骤:在所述晶片的预先确定的表面上施加漆类的填充材料(30);在第一温度下烘焙所述晶片;通过在第二温度下在真空下烘焙所述晶片来排出包围在所述填充材料(30)中的气泡,所述第二温度与所述第一温度相同或者高于所述第一温度;通过在第三温度下烘焙所述晶片来使填充材料(30)硬化,所述第三温度高于所述第二温度。此外,本发明还涉及一种借助这样的方法填充的盲孔(20B)和通常3D空腔以及一种具有硅敷镀通孔的借助于这样的方法填充的绝缘沟槽(20A)的晶片。
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公开(公告)号:CN102376589A
公开(公告)日:2012-03-14
申请号:CN201110235542.3
申请日:2011-08-12
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H01L21/76898 , H01L21/02118 , H01L21/02318 , H01L21/486 , H01L23/49827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于填充晶片中的空腔(20)的方法,其中,这些空腔(20)是朝着晶片的一个预先确定的表面敞开的,所述方法具有以下步骤:在所述晶片的预先确定的表面上施加漆类的填充材料(30);在第一温度下烘焙所述晶片;通过在第二温度下在真空下烘焙所述晶片来排出包围在所述填充材料(30)中的气泡,所述第二温度与所述第一温度相同或者高于所述第一温度;通过在第三温度下烘焙所述晶片来使填充材料(30)硬化,所述第三温度高于所述第二温度。此外,本发明还涉及一种借助这样的方法填充的盲孔(20B)和通常3D空腔以及一种具有硅敷镀通孔的借助于这样的方法填充的绝缘沟槽(20A)的晶片。
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公开(公告)号:CN111348614B
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN201911315373.7
申请日:2019-12-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机械装置,其具有硅基底(100),硅基底具有置于硅基底上的氧化物层(200)和置于氧化物层上的微机械功能层(300),它们平行于主延伸平面(10)延伸,其中,至少在微机械功能层(300)和氧化物层(200)中构造空穴(320)。本发明的核心在于,在氧化物层(200)和/或微机械功能层(300)中构造入口通道(250),入口通道从空穴(320)开始平行于主延伸平面(10)延伸并且在此在垂直于主延伸平面(10)的投影方向(20)上看延伸到空穴(320)外部的入口区域(400)中。本发明还涉及一种用于制造微机械装置的方法。
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公开(公告)号:CN111348614A
公开(公告)日:2020-06-30
申请号:CN201911315373.7
申请日:2019-12-19
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
Abstract: 本发明涉及一种微机械装置,其具有硅基底(100),硅基底具有置于硅基底上的氧化物层(200)和置于氧化物层上的微机械功能层(300),它们平行于主延伸平面(10)延伸,其中,至少在微机械功能层(300)和氧化物层(200)中构造空穴(320)。本发明的核心在于,在氧化物层(200)和/或微机械功能层(300)中构造入口通道(250),入口通道从空穴(320)开始平行于主延伸平面(10)延伸并且在此在垂直于主延伸平面(10)的投影方向(20)上看延伸到空穴(320)外部的入口区域(400)中。本发明还涉及一种用于制造微机械装置的方法。
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公开(公告)号:CN103038156B
公开(公告)日:2019-06-04
申请号:CN201180026916.9
申请日:2011-04-13
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L23/481 , B81B2203/033 , B81B2207/095 , B81C1/00095 , H01L21/76837 , H01L23/04 , H01L2224/48463 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 建议了一种用于实现器件中的在电方面非常可靠且在机械方面极其稳定的敷镀通孔的有利可能性,其功能在导电衬底(100)上的层结构中实现。引导到器件背侧的用于与在层结构中实现的功能元件(18)电接通的覆镀通孔(垂直互连通道VIA)(3)包括衬底(100)中的连接区域,所述连接区域在整个衬底厚度上延伸并且通过同样在整个衬底厚度上延伸的沟槽状绝缘框架(2)相对于邻接的衬底(100)电绝缘。根据本发明,所述沟槽状绝缘框架(2)以电绝缘的聚合物(21)填充。
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公开(公告)号:CN103038156A
公开(公告)日:2013-04-10
申请号:CN201180026916.9
申请日:2011-04-13
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: H01L23/481 , B81B2203/033 , B81B2207/095 , B81C1/00095 , H01L21/76837 , H01L23/04 , H01L2224/48463 , H01L2924/1461 , H01L2924/00
Abstract: 建议了一种用于实现器件中的在电方面非常可靠且在机械方面极其稳定的敷镀通孔的有利可能性,其功能在导电衬底(100)上的层结构中实现。引导到器件背侧的用于与在层结构中实现的功能元件(18)电接通的覆镀通孔(垂直互连通道VIA)(3)包括衬底(100)中的连接区域,所述连接区域在整个衬底厚度上延伸并且通过同样在整个衬底厚度上延伸的沟槽状绝缘框架(2)相对于邻接的衬底(100)电绝缘。根据本发明,所述沟槽状绝缘框架(2)以电绝缘的聚合物(21)填充。
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