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    半导体装置
    1.
    发明授权
    半导体装置 有权

    公开(公告)号：CN108475677B

    公开(公告)日：2022-07-26

    申请号：CN201780007370.X

    申请日：2017-01-16

    申请人： 罗姆股份有限公司

    发明人： 中川让 ,  森诚悟 ,  坂口拓生 ,  明田正俊 ,  中野佑纪

    IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

    摘要： 半导体装置(1)包括形成于半导体层的第一主面的表层部的沟槽栅极构造(6)。在沟槽栅极构造(6)的侧方，在半导体层的第一主面的表层部形成有源区(10)及阱区(11)。阱区(11)相对于源区(10)形成于半导体层的第二主面侧的区域。在阱区(11)中，在沿着沟槽栅极构造(6)的部分形成有沟道。在半导体层中，在沟槽栅极构造(6)及源区(10)之间的区域形成有叠层区域(22)。叠层区域(22)具有形成于半导体层的第一主面的表层部的p型杂质区域(20)及相对于第二导电型杂质区域(20)形成于半导体层的第二主面侧的n型杂质区域(21)。

    半导体装置
    2.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN115117054A

    公开(公告)日：2022-09-27

    申请号：CN202210962489.5

    申请日：2017-01-16

    申请人： 罗姆股份有限公司

    发明人： 中川让 ,  森诚悟 ,  坂口拓生 ,  明田正俊 ,  中野佑纪

    IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

    摘要： 本发明提供一种半导体装置，半导体装置(1)包括形成于半导体层的第一主面的表层部的沟槽栅极构造(6)。在沟槽栅极构造(6)的侧方，在半导体层的第一主面的表层部形成有源区(10)及阱区(11)。阱区(11)相对于源区(10)形成于半导体层的第二主面侧的区域。在阱区(11)中，在沿着沟槽栅极构造(6)的部分形成有沟道。在半导体层中，在沟槽栅极构造(6)及源区(10)之间的区域形成有叠层区域(22)。叠层区域(22)具有形成于半导体层的第一主面的表层部的p型杂质区域(20)及相对于第二导电型杂质区域(20)形成于半导体层的第二主面侧的n型杂质区域(21)。

    半导体装置
    3.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN110637374A

    公开(公告)日：2019-12-31

    申请号：CN201880032670.8

    申请日：2018-05-17

    申请人： 罗姆股份有限公司

    发明人： 中川让 ,  中野佑纪 ,  明田正俊 ,  上野真弥 ,  森诚悟 ,  山本兼司

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/872

    摘要： 本发明的半导体装置包括：第1导电型的半导体层，其具有一侧的第1主面以及另一侧的第2主面；沟槽栅极构造，其包括形成于上述半导体层的上述第1主面的栅极沟槽、以及经由栅极绝缘层而埋入于上述栅极沟槽的栅极电极；沟槽源极构造，其包括在上述半导体层的上述第1主面从上述栅极沟槽空出间隔地形成为比上述栅极沟槽更深的源极沟槽、埋入于上述源极沟槽的源极电极、以及形成于上述半导体层中沿上述源极沟槽的区域的第2导电型的阱区域，并且，上述沟槽源极构造的深度相对于上述沟槽栅极构造的深度的比为1.5以上且4.0以下；第2导电型的主体区域，其在上述半导体层的上述第1主面的表层部中形成于上述栅极沟槽以及上述源极沟槽之间的区域；第1导电型的源极区域，其形成于上述主体区域的表层部；以及漏电极，其与上述半导体层的上述第2主面连接。