公开(公告)号：CN108475677B

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN201780007370.X

申请日：2017-01-16

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 中川让 ,  森诚悟 ,  坂口拓生 ,  明田正俊 ,  中野佑纪

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

摘要： 半导体装置(1)包括形成于半导体层的第一主面的表层部的沟槽栅极构造(6)。在沟槽栅极构造(6)的侧方，在半导体层的第一主面的表层部形成有源区(10)及阱区(11)。阱区(11)相对于源区(10)形成于半导体层的第二主面侧的区域。在阱区(11)中，在沿着沟槽栅极构造(6)的部分形成有沟道。在半导体层中，在沟槽栅极构造(6)及源区(10)之间的区域形成有叠层区域(22)。叠层区域(22)具有形成于半导体层的第一主面的表层部的p型杂质区域(20)及相对于第二导电型杂质区域(20)形成于半导体层的第二主面侧的n型杂质区域(21)。

公开(公告)号：CN110226234A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201880008179.1

申请日：2018-01-25

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 坂口拓生 ,  明田正俊 ,  中野佑纪

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868

摘要： 本发明提供一种半导体装置，其包含：半导体层，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；单位单元，其包含：在所述半导体层的所述第一主面的表层部形成的第一导电型的二极管区域、在所述半导体层的所述第一主面的表层部沿着所述二极管区域的周缘形成的第二导电型的阱区、以及在所述阱区的表层部形成的第一导电型区域；栅极电极层，其隔着栅极绝缘层与所述阱区及所述第一导电型区域对置；以及第一主面电极，其在所述半导体层的所述第一主面上包覆所述二极管区域和所述第一导电型区域，并在与所述二极管区域之间形成肖特基接合，且在与所述第一导电型区域之间形成欧姆接合。

公开(公告)号：CN102347591A

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：CN201110216405.5

申请日：2011-07-29

申请人： 国立大学法人京都大学 ,  罗姆股份有限公司

发明人： 野田进 ,  坂口拓生 ,  长濑和也 ,  国师渡 ,  宫井英次 ,  三浦义胜 ,  大西大

IPC分类号： H01S5/323

CPC分类号： H01S5/105 ,  H01S5/1231 ,  H01S5/18316 ,  H01S5/18319 ,  H01S5/187 ,  H01S5/3013 ,  H01S2301/17

摘要： 本发明的二维光子晶体激光器的特征在于，具有：在以AlαGa1-αAs(0＜α＜1)或(AlβGa1-β)γIn1-γP(0≤β＜1、0＜γ＜1)作为原料的母材层内周期性地设置异折射率区域(空穴)(151)的二维光子晶体层(15)、和在二维光子晶体层(15)上利用外延法制作的外延生长层(16)。由于AlαGa1-αAs或(AlβGa1-β)γIn1-γP即使在高温下也很坚固，因此在制作外延生长层(16)时不会有破坏空穴(151)的形状的情况，可以将二维光子晶体层(15)的作为共振器的性能维持得较高。

公开(公告)号：CN117174755A

公开(公告)日：2023-12-05

申请号：CN202311158028.3

申请日：2018-01-25

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 坂口拓生 ,  明田正俊 ,  中野佑纪

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/872 ,  H01L27/06 ,  H01L21/336

摘要： 本发明提供一种半导体装置，其包含：半导体层，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；单位单元，其包含：在所述半导体层的所述第一主面的表层部形成的第一导电型的二极管区域、在所述半导体层的所述第一主面的表层部沿着所述二极管区域的周缘形成的第二导电型的阱区、以及在所述阱区的表层部形成的第一导电型区域；栅极电极层，其隔着栅极绝缘层与所述阱区及所述第一导电型区域对置；以及第一主面电极，其在所述半导体层的所述第一主面上包覆所述二极管区域和所述第一导电型区域，并在与所述二极管区域之间形成肖特基接合，且在与所述第一导电型区域之间形成欧姆接合。

公开(公告)号：CN115117054A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202210962489.5

申请日：2017-01-16

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 中川让 ,  森诚悟 ,  坂口拓生 ,  明田正俊 ,  中野佑纪

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

摘要： 本发明提供一种半导体装置，半导体装置(1)包括形成于半导体层的第一主面的表层部的沟槽栅极构造(6)。在沟槽栅极构造(6)的侧方，在半导体层的第一主面的表层部形成有源区(10)及阱区(11)。阱区(11)相对于源区(10)形成于半导体层的第二主面侧的区域。在阱区(11)中，在沿着沟槽栅极构造(6)的部分形成有沟道。在半导体层中，在沟槽栅极构造(6)及源区(10)之间的区域形成有叠层区域(22)。叠层区域(22)具有形成于半导体层的第一主面的表层部的p型杂质区域(20)及相对于第二导电型杂质区域(20)形成于半导体层的第二主面侧的n型杂质区域(21)。

公开(公告)号：CN110226234B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201880008179.1

申请日：2018-01-25

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 坂口拓生 ,  明田正俊 ,  中野佑纪

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L29/12 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872 ,  H01L29/868

摘要： 本发明提供一种半导体装置，其包含：半导体层，其具有一侧的第一主面和另一侧的第二主面；单位单元，其包含：在所述半导体层的所述第一主面的表层部形成的第一导电型的二极管区域、在所述半导体层的所述第一主面的表层部沿着所述二极管区域的周缘形成的第二导电型的阱区、以及在所述阱区的表层部形成的第一导电型区域；栅极电极层，其隔着栅极绝缘层与所述阱区及所述第一导电型区域对置；以及第一主面电极，其在所述半导体层的所述第一主面上包覆所述二极管区域和所述第一导电型区域，并在与所述二极管区域之间形成肖特基接合，且在与所述第一导电型区域之间形成欧姆接合。

公开(公告)号：CN108475677A

公开(公告)日：2018-08-31

申请号：CN201780007370.X

申请日：2017-01-16

申请人： 罗姆股份有限公司

发明人： 中川让 ,  森诚悟 ,  坂口拓生 ,  明田正俊 ,  中野佑纪

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

CPC分类号： H01L27/04 ,  H01L27/098 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808

摘要： 半导体装置(1)包括形成于半导体层的第一主面的表层部的沟槽栅极构造(6)。在沟槽栅极构造(6)的侧方，在半导体层的第一主面的表层部形成有源区(10)及阱区(11)。阱区(11)相对于源区(10)形成于半导体层的第二主面侧的区域。在阱区(11)中，在沿着沟槽栅极构造(6)的部分形成有沟道。在半导体层中，在沟槽栅极构造(6)及源区(10)之间的区域形成有叠层区域(22)。叠层区域(22)具有形成于半导体层的第一主面的表层部的p型杂质区域(20)及相对于第二导电型杂质区域(20)形成于半导体层的第二主面侧的n型杂质区域(21)。