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公开(公告)号：CN102540703B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：CN201110462163.8
申请日：2011-11-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 包含碱活性组分的组合物及光刻工艺。一种加工光致抗蚀剂组合物的方法，所述方法包含：a)在基材上施加光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种不同于一种或多种树脂的材料，且包含(A)一种或多种碱活性基团和(B)一种或多种不同于所述碱活性基团的极性基团；和b)将施加的光致抗蚀剂层在辐射中浸没曝光以活化所述光致抗蚀剂组合物。本发明特别优选的光致抗蚀剂在浸没式光刻处理过程中，能够表现为减少了抗蚀剂材料浸出到与抗蚀剂层接触的浸液中。
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公开(公告)号：CN102998904A
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN201210478565.1
申请日：2012-09-10
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/004 , G03F7/0045 , G03F7/20
Abstract: 包含多酰胺组分的光致抗蚀剂。提供了一种光致抗蚀剂组合物，所述组合物包括：(a)一种或多种树脂；(b)一种或多种光致产酸剂化合物；和(c)一种或多种下式所示的多酰胺化合物：其中R1、R2、R3和R4独立选自H、(C1-C30)烷基、和酰胺取代(C1-C30)烷基；R1和R2，或R1和R3或R3和R4可与连接其上的原子一起形成5到12元杂环；和L是在羰基之间提供3到8个原子间隔的连接基团；其中多酰胺化合物没有羟基。
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公开(公告)号：CN102591147B
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201110463331.5
申请日：2011-11-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0382 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 用于光刻的包含糖组分的组合物及其制备方法。本发明涉及一种用于浸没式光刻的新的光刻胶组合物。本发明优选的光刻胶组合物包含一种或多种含有糖取代基的材料。本发明特别优选的光刻胶在浸没式光刻工艺中，能够降低抗蚀材料在抗蚀层与浸没液体接触时的浸出。提供一种处理光刻胶组合物的方法，所述方法包括：在基材上施加光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包括：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种含有糖取代基的材料，其中一种或多种材料与一种或多种树脂基本上是不互溶的，和(b)将光刻胶层在辐射中浸没曝光以活化光刻胶组合物。
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公开(公告)号：CN102603586A
公开(公告)日：2012-07-25
申请号：CN201110462531.9
申请日：2011-11-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
IPC: C07C381/12 , C08F220/32 , C08F220/38 , G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/00
CPC classification number: C07C381/12 , C07C63/72 , C07C303/32 , C07C309/04 , C07C309/06 , C07C309/08 , C07C309/12 , C07C309/17 , C07C309/19 , C07C309/20 , C07C309/23 , C07C309/24 , C07C2602/42 , C08F220/22 , C08F228/02 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/38
Abstract: 碱反应性光酸发生剂以及包含其的光致抗蚀剂。本发明涉及新的光酸发生剂化合物和包含这些化合物的光致抗蚀剂组合物。尤其地，本发明涉及包括碱式断裂基团的光酸发生剂化合物。提供了一种式(I)或(II)的光酸发生剂化合物：(I)R5M+R6R7r-O3S-R1p-Xy-(R2ZwR3)x；(II)(Pg-R4-Z2)g1R5M+R6R7r3-O3S-R1p-Xy-(R2ZwR3)x1(R2Z1-R4Pg)g2。
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公开(公告)号：CN102591147A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110463331.5
申请日：2011-11-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0382 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041
Abstract: 用于光刻的包含糖组分的组合物及其制备方法。本发明涉及一种用于浸没式光刻的新的光刻胶组合物。本发明优选的光刻胶组合物包含一种或多种含有糖取代基的材料。本发明特别优选的光刻胶在浸没式光刻工艺中，能够降低抗蚀材料在抗蚀层与浸没液体接触时的浸出。提供一种处理光刻胶组合物的方法，所述方法包括：在基材上施加光刻胶组合物，所述光刻胶组合物包括：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种含有糖取代基的材料，其中一种或多种材料与一种或多种树脂基本上是不互溶的，和(b)将光刻胶层在辐射中浸没曝光以活化光刻胶组合物。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102591145A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110455160.1
申请日：2011-09-14
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0382
Abstract: 包含多酰胺组分的光刻胶。提供了包含两个或多个酰胺基团的组分的新的光刻胶组合物。本发明优选的光刻胶可包括具有光致酸不稳定基团的树脂；光致酸产生剂化合物；和多酰胺组份，其可用于减少在光刻胶涂层的非曝光区域中不需要的光生酸扩散。
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公开(公告)号：CN102681336B
公开(公告)日：2017-04-12
申请号：CN201110463316.0
申请日：2011-12-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/30
Abstract: 提供新的包含一种或多种具有碱‑反应性基团的材料的光致抗蚀剂组合物，并且其对干燥光刻技术特别有用。特别优选的本发明的光致抗蚀剂在抗蚀剂涂层显影之后可以显示出减少的缺陷。
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公开(公告)号：CN102591145B
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201110455160.1
申请日：2011-09-14
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/0397 , G03F7/0045 , G03F7/0382
Abstract: 包含多酰胺组分的光刻胶。提供了包含两个或多个酰胺基团的组分的新的光刻胶组合物。本发明优选的光刻胶可包括具有光致酸不稳定基团的树脂；光致酸产生剂化合物；和多酰胺组份，其可用于减少在光刻胶涂层的非曝光区域中不需要的光生酸扩散。
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公开(公告)号：CN102681336A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110463316.0
申请日：2011-12-30
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/30
Abstract: 提供新的包含一种或多种具有碱-反应性基团的材料的光致抗蚀剂组合物，并且其对干燥光刻技术特别有用。特别优选的本发明的光致抗蚀剂在抗蚀剂涂层显影之后可以显示出减少的缺陷。
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公开(公告)号：CN102540703A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110462163.8
申请日：2011-11-15
Applicant: 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: G03F7/2041 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 包含碱活性组分的组合物及光刻工艺。一种加工光致抗蚀剂组合物的方法，所述方法包含：a)在基材上施加光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含：(i)一种或多种树脂，(ii)光活性组分，和(iii)一种或多种不同于一种或多种树脂的材料，且包含(A)一种或多种碱活性基团和(B)一种或多种不同于所述碱活性基团的极性基团；和b)将施加的光致抗蚀剂层在辐射中浸没曝光以活化所述光致抗蚀剂组合物。本发明特别优选的光致抗蚀剂在浸没式光刻处理过程中，能够表现为减少了抗蚀剂材料浸出到与抗蚀剂层接触的浸液中。
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