公开(公告)号：CN110010616A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201811567473.4

申请日：2018-12-20

申请人： 美光科技公司

发明人： 乌戈·鲁索

IPC分类号： H01L27/1157 ,  H01L27/11582

摘要： 本发明涉及包括存储器单元和选择栅极的组装件；以及形成组装件的方法。一些实施例包含一种具有交替介电层级和导电层级的堆叠的组合件。沟道材料柱延伸穿过所述堆叠。所述沟道材料柱中的一些与第一子块相关，且其它所述沟道材料柱与第二子块相关。存储器单元沿所述沟道材料柱。绝缘层级在所述堆叠之上。选择栅极配置在所述绝缘层级之上。所述选择栅极配置包含与所述第一子块相关的第一导电栅极结构，且包含与所述第二子块相关的第二导电栅极结构。所述第一和第二导电栅极结构通过中间绝缘区域彼此侧向分隔。所述第一和第二导电栅极结构具有竖直分隔的导电区域，且具有竖直延伸的导电结构，所述竖直延伸的导电结构将所述竖直分隔的导电区域彼此电耦合。一些实施例包含形成组合件的方法。

公开(公告)号：CN104081525B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201280064400.8

申请日：2012-11-07

申请人： 美光科技公司

发明人： 安德烈亚·雷达埃利 ,  乌戈·鲁索 ,  阿戈斯蒂诺·皮罗瓦诺 ,  西蒙娜·拉维扎里

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/128 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1675

摘要： 一些实施例包含例如存储器单元的集成装置。所述装置可包含：硫族化物材料；导电材料，其在所述硫族化物材料上方；及散热片，其在所述导电材料与所述硫族化物材料之间。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。一些实施例包含一种形成存储器单元的方法。可在加热器材料上方形成硫族化物材料。可在所述硫族化物材料上方形成导电材料。可在所述导电材料与所述硫族化物材料之间形成散热片。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。

公开(公告)号：CN104081525A

公开(公告)日：2014-10-01

申请号：CN201280064400.8

申请日：2012-11-07

申请人： 美光科技公司

发明人： 安德烈亚·雷达埃利 ,  乌戈·鲁索 ,  阿戈斯蒂诺·皮罗瓦诺 ,  西蒙娜·拉维扎里

IPC分类号： H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC分类号： H01L45/06 ,  G11C13/0004 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/128 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/141 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/165 ,  H01L45/1675

摘要： 一些实施例包含例如存储器单元的集成装置。所述装置可包含：硫族化物材料；导电材料，其在所述硫族化物材料上方；及散热片，其在所述导电材料与所述硫族化物材料之间。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。一些实施例包含一种形成存储器单元的方法。可在加热器材料上方形成硫族化物材料。可在所述硫族化物材料上方形成导电材料。可在所述导电材料与所述硫族化物材料之间形成散热片。所述散热片可具有包含与所述导电材料相同的元素且包含与所述硫族化物材料相同的元素的组合物。