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公开(公告)号：CN102754234A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：CN201080063093.2
申请日：2010-12-15
申请人： 美光科技公司
发明人： 尼尔·格里利 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·桑胡 , 约翰·斯迈思
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1683
摘要： 本发明揭示用于形成包括经掺杂硫属化合物材料的存储器存取装置的自对准制作方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
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公开(公告)号：CN106098933A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610459395.0
申请日：2010-12-15
申请人： 美光科技公司
发明人： 尼尔·格里利 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·桑胡 , 约翰·斯迈思
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1683 , H01L45/00
摘要： 本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
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公开(公告)号：CN102754234B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201080063093.2
申请日：2010-12-15
申请人： 美光科技公司
发明人： 尼尔·格里利 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·桑胡 , 约翰·斯迈思
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1683
摘要： 本发明揭示用于形成包括经掺杂硫属化合物材料的存储器存取装置的自对准制作方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
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公开(公告)号：CN110061130A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201811417388.X
申请日：2010-12-15
申请人： 美光科技公司
发明人： 尼尔·格里利 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·桑胡 , 约翰·斯迈思
摘要： 本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
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公开(公告)号：CN106098933B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201610459395.0
申请日：2010-12-15
申请人： 美光科技公司
发明人： 尼尔·格里利 , 巴斯卡尔·斯里尼瓦桑 , 古尔特杰·桑胡 , 约翰·斯迈思
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2481 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2472 , H01L45/06 , H01L45/085 , H01L45/12 , H01L45/1233 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1608 , H01L45/165 , H01L45/1658 , H01L45/1683
摘要： 本发明揭示硫属化合物存储器存取装置的自对准生长方法。所述方法可用于形成三维堆叠交叉点存储器阵列。所述方法包含：在第一导电电极上方形成绝缘材料；图案化所述绝缘材料以形成暴露所述第一导电电极的部分的通孔；在所述绝缘材料的所述通孔内形成存储器存取装置且在所述存储器存取装置上方形成存储器元件，其中可经由所述存储器存取装置存取存储于所述存储器元件中的数据。所述存储器存取装置由经掺杂硫属化合物材料形成且使用自对准制作方法形成。
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