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公开(公告)号：CN101477982B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200910000394.X
申请日：2009-01-07
申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L25/075 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/507 , H01L2933/0041
摘要： 本发明涉及光转换器及其制造方法和发光二极管。其中，用于发光二极管的光转换器，包括两块基板，两块基板之间有环形的第一空腔壁，所述第一空腔壁与所述两块基板包围形成密闭空间，所述密闭空间内填充有光转换物质。本发明实现了对用于LED的光转换物质的封装制造。利用本发明所述的结构和制造方法，可以将性质活泼的光转换物质封装在光转换器中，并可以在制造过程中避免活泼的光转换物质与例如氧气等其他活泼物质的反应。另外，还将晶圆级芯片尺寸封装技术用在了光转换物质的封装上，提高了光转换器的制造效率，降低了成本。
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公开(公告)号：CN101593733B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200910151226.0
申请日：2009-06-29
申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种封装结构，包括：盖板；单元腔，位于盖板上并分立排布，所述单元腔包括空腔及位于空腔周围的单元空腔壁；切割道，位于相邻单元腔之间；焊垫区，位于各个单元空腔壁边上并分立排布；间隙区，位于各个单元空腔壁边上焊垫区之外区域；相邻单元腔的对应单元空腔壁边经由切割道部分连接。本发明通过在盖板上将相邻单元腔的对应单元空腔壁边设置为经由切割道部分连接，可以提高空腔壁与芯片之间的结合力，防止后续V形槽切割工艺中产生的机械应力使空腔壁与芯片剥离，导致大面积良率损失的问题。
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公开(公告)号：CN101710581B
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN200910186275.8
申请日：2009-10-16
申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/488 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/78
CPC分类号： H01L2224/13
摘要： 本发明提供了一种半导体芯片的封装结构，包括封装体、封装在封装体内并包含感光元件的芯片、与芯片连接的焊垫、与焊垫侧面暴露处以T型连接方式相连且同时沿封装体侧壁延伸至封装体背部并与焊接凸起相连的引线金属层，以及覆于引线金属层外表面的保护层；其特征在于所述保护层还包覆引线金属层上位于封装体侧壁的端面。本发明增强了半导体芯片的封装结构中焊垫侧面与引线金属层连接点的稳定性，确保了该连接点处的电性能，使得半导体芯片封装产品的质量得到进一步提高。
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公开(公告)号：CN101789414B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN201010116257.5
申请日：2010-02-26
申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/29 , H01L21/50 , H01L21/56 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/10
摘要： 本发明公开了一种超薄半导体芯片封装结构，采用双层引线对焊垫呈双列式排布的芯片进行了封装，两路引线互不干涉，进一步提高了电连接可靠性；与此同时，相比现有技术，其采用单面聚合物代替原本芯片背面的玻璃，采用玻璃-硅-聚合物的结构，将封装厚度进一步减薄，实际运用时能将厚度从原来的0.9mm减少至0.5mm，从而大大减小了半导体芯片封装体积。
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公开(公告)号：CN101488476B
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：CN200910046893.2
申请日：2009-02-25
申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/78
摘要： 本发明提供封装方法，包括步骤：在基板上形成多个空腔壁；在基板形成有空腔壁的一侧上空腔壁之间的位置处形成凹槽；将空腔壁与晶圆上制有半导体器件的一面粘合；将基板在所述凹槽处进行分割。与现有技术相比，本发明先在基板形成空腔壁的一侧上空腔壁之间的位置处形成凹槽，即在预定分离基板的位置减薄基板，使得基板的下表面远离焊垫，因而在后续分离基板的过程中，不会损伤焊垫。
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公开(公告)号：CN101355066B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200810098168.5
申请日：2008-05-26
申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/482 , H01L21/60
CPC分类号： H01L27/14683 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L27/14618 , H01L2224/0401 , H01L2224/13022 , H01L2224/16 , H01L2924/14 , H01L2924/15311
摘要： 本发明提供一种封装结构及其制造方法，封装结构包括设有焊垫的芯片，与芯片上的焊垫电连通的中介金属层，焊接凸点，以及与焊接凸点电连通的再分布金属层，所述再分布金属层与中介金属层直接连接形成电连通。本发明简化了封装结构，并使得其制造流程减少，降低了成本，并提高了良率。另外，再分布金属层与中介金属层的连接部分采用凹形连接，部分采用一形连接，使得在保持连接稳定性的同时增加凸点的连接数量。
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公开(公告)号：CN101800207B
公开(公告)日：2011-10-26
申请号：CN201010123443.1
申请日：2010-03-12
申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/60
CPC分类号： H01L2224/11 , H01L2924/12041 , H01L2924/14 , H01L2924/351 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明公开了一种半导体器件的封装结构及其制造方法，其中，所述半导体器件的封装结构包括：基体，包括正面以及与所述正面相对的背面；半导体器件，位于所述基体的正面；多个焊垫，位于所述基体的正面且分立排布在所述半导体器件的外围；通孔，位于所述基体的背面并与所述焊垫相对应；中介金属层，与所述焊垫电连接；焊接凸点，与所述中介金属层电连接；所述通孔外围的基体的厚度小于所述通孔内侧的基体的厚度，可避免绝缘材料或金属堆积在通孔的开口处，提高产品的可靠性，并减小封装结构的尺寸。
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公开(公告)号：CN101699622B
公开(公告)日：2011-09-14
申请号：CN200910222168.6
申请日：2009-11-18
申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/768
CPC分类号： H01L2224/10
摘要： 一种半导体器件封装结构及其封装方法。其中半导体器件封装结构，包括：芯片，位于芯片上的钝化层；位于钝化层上的焊盘；贯穿芯片和钝化层厚度至露出焊盘的第一通孔；位于第一通孔内壁的籽晶层；位于籽晶层上的导体层，填充满第一通孔的导电层；由第一通孔内的籽晶层、导体层和导电层构成第一导电插塞；贯穿芯片和钝化层厚度至露出焊盘且位于第一通孔周围与第一通孔共用侧壁的第二通孔；位于芯片上、填充满第二通孔且暴露出第一导电插塞的绝缘介质层；位于第一导电插塞及其周边区域的绝缘介质层上的凸点下金属层；位于凸点下金属层上的凸点。本发明避免了TSV互连间形成了很高的电容，提高了半导体封装结构的电性能。
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公开(公告)号：CN101587933B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200910152235.1
申请日：2009-07-07
申请人： 苏州晶方半导体科技股份有限公司
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/62 , H01L33/486 , H01L33/60 , H01L2224/16 , H01L2933/0033
摘要： 一种发光二极管的晶圆级封装结构及其制造方法，其中，所述封装结构包括：单元基底，包括第一面和与之相对的第二面；第一绝缘层，位于单元基底的第一面上；至少两条导线，位于所述绝缘层上，相互电隔离；凸点，位于所述导线上，用于与发光二极管的裸芯片的电极对应电连接；至少两个引脚区，位于所述基底的第二面上，相互分立；引脚线，位于引脚区内，相互电隔离并且与所述导线对应电连接。本发明通过在基底的第二面形成引脚线将发光二极管的电极引出，即本技术方案中发光二极管的引脚线与发光二极管位于基底的两个对立面内，这样可以减小所需基底面积；而且在后续封装结构中无需打金线技术将其电极引出，进一步减小了封装后的体积。
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