公开(公告)号：CN116052924B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202310111264.3

申请日：2023-02-14

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 张东升 ,  刘伟 ,  王静 ,  吝占胜 ,  陈晨 ,  王志国 ,  李倩 ,  李志彬 ,  李青娟 ,  刘新玉 ,  张红妹 ,  魏双双 ,  张雷 ,  刘莉丽 ,  何广川 ,  张树骞

IPC分类号： H01B1/22 ,  H01L31/0224 ,  H01B13/00

摘要： 本发明涉及电池材料领域，具体公开一种用于TOPCon电池背面印刷的浆料及其制备方法。所述浆料包括如下质量份数的组分：银粉85‑92份，玻璃粉2‑5份，氧化石墨烯改性丙烯酸树脂0.1‑1份，固化交联剂0.1‑0.5份，分散剂0.1‑0.5份，触变剂0.1‑0.5份，高纯碳粉0.1‑1份和有机溶剂1‑10份；其中，氧化石墨烯改性丙烯酸树脂与高纯碳粉形成交联网络结构，从而提高浆料的稳定性，降低烘干中浆料的收缩应力，避免了由于浆料烘干过程中栅线过烘脱落导致的TOPCon电池性能下降及污染运输皮带的问题。

公开(公告)号：CN116314369B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202310111271.3

申请日：2023-02-14

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 王静 ,  吝占胜 ,  李青娟 ,  陈晨 ,  刘伟 ,  张东升 ,  李志彬 ,  李倩 ,  刘莉丽 ,  魏双双 ,  张红妹 ,  王志国 ,  刘新玉 ,  张雷 ,  程立威 ,  刘彩凤 ,  刘雪蛟

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及电池材料领域，具体公开一种用于改善N型TOPCon晶硅电池背面印刷效果的银浆及其制备方法。所述银浆包括如下质量份数的组分：85‑90份银粉，2‑5份玻璃粉，0.5‑1份触变剂，2‑3份分散剂，2‑3份表面活性剂和5‑15份有机溶剂；其中，有机溶剂包括特定比例的高低沸点溶剂，利用溶剂的挥发程度不同，提高了银浆的附着性能和抗压性能，提高电池效率，维持栅线良好的高宽比，可有效改善因印刷过程中多次印压和烘干引发的栅线过烘脱落、坍塌的问题，避免了由此造成的N型TOPCon晶硅电池效率低、外观质量差的问题。

公开(公告)号：CN116031333B

公开(公告)日：2023-06-13

申请号：CN202310301132.7

申请日：2023-03-27

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 王静 ,  吝占胜 ,  李倩 ,  张东升 ,  李青娟 ,  李志彬 ,  魏双双 ,  张红妹 ,  陈晨 ,  刘伟 ,  王志国 ,  刘新玉 ,  刘莉丽 ,  张雷 ,  何广川 ,  张树骞 ,  于波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种TOPCon电池隧穿氧化层钝化接触工艺的监测方法。本发明通过特定的工艺流程监测电池生产中“隧穿氧化层钝化接触”这一工艺的稳定性，具体流程包括选用电阻率为1.2‑1.8Ω•cm的单晶原硅片、对原硅片进行抛光处理、制备隧穿氧化层钝化接触结构、进行磷掺杂、镀氮化硅减反射膜、高温烧结和Sinton测试。通过Sinton测试，根据所得硅片的理想开路电压和反向电流饱和密度即可准确监测“隧穿氧化层钝化接触”工艺的稳定性，间接缩短了电池的测试周期，避免了大批量不合格电池或低效电池的产生。

公开(公告)号：CN116230806A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202310237877.1

申请日：2023-03-13

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(保定)有限公司

发明人： 潘明翠 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  孟庆超 ,  郎芳 ,  李英叶 ,  夏新中 ,  马红娜 ,  王子谦 ,  史金超 ,  吝占胜

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06

摘要： 本发明提供了一种降低太阳能电池效率衰减的处理方法及具有防衰减保护层的太阳能电池，属于太阳能电池制备技术领域，包括，将晶硅电池吸附在载片台上；具体地为真空吸附，以防止晶硅电池移动；沿晶硅电池的主栅线铺设挡条；在挡条上铺设网版，并使网版完全覆盖下方的晶硅电池；在网版上涂抹防腐涂料，防腐涂料透过网版涂敷在晶硅电池的细栅线上；烘干，使防腐涂料在晶硅电池的细栅线上固化形成防腐涂层。本发明在晶硅电池正背面细栅线上制作防腐涂层，将金属电极与醋酸蒸汽隔离，避免醋酸与金属电极发生化学反应，提高太阳能电池抗醋酸腐蚀的效率，避免金属电极电阻的增加，降低电池效率衰减的速度，提升太阳能电池的效率。

公开(公告)号：CN116190492A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310187341.3

申请日：2023-03-02

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 张东升 ,  于波 ,  吝占胜 ,  李倩 ,  王静 ,  何广川 ,  张树骞 ,  张红妹 ,  李志彬 ,  李青娟 ,  刘新玉

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/06 ,  H01L21/66 ,  H01L21/22

摘要： 本发明涉及晶硅电池制备领域，具体公开了一种量产N型TOPCon电池背面掺杂性能的监测方法，包括步骤S1:选取抛光后硅片作监控片，并对其沉积氮化硅膜；S2：将S1处理后的多个监控片与N型TOPCon产线poly前的硅片进行同批次同工艺的poly及磷掺杂；S3：对S2处理后的监控片进行方阻测试，为方阻一；S4：对S2处理后的硅片进行电池效率测试；S5：将S1处理后的多个监控片投入产线，与产线正常流转硅片进行相同工艺的poly及磷掺杂；S6：对S5后的监控片进行方阻测试，为方阻二；S7：对比方阻二与方阻一，以判断poly及磷掺杂工艺的稳定性。本发明使用使用的监控片，在poly+磷掺杂工艺后形成氮化硅绝缘膜阻挡层，解决了N型片测量方阻时电流进入硅片基体造成的方阻不准确的问题。

公开(公告)号：CN116151007A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310165168.7

申请日：2023-02-24

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 王静 ,  李倩 ,  张树骞 ,  张东升 ,  吝占胜 ,  张红妹 ,  李青娟 ,  魏双双 ,  刘新玉 ,  于波 ,  何广川

IPC分类号： G06F30/20 ,  G06Q50/04 ,  C30B31/00 ,  G06F111/08 ,  G06F119/02 ,  G06F119/14 ,  G06F111/04 ,  G06F119/08

摘要： 本发明提供一种多晶硅掺杂产线稳定性的确定方法及终端设备。该方法包括：获取目标产线上拾取的第一预设数量的硅片的ECV曲线；根据第一预设数量的硅片的ECV曲线，确定第一预设数量的硅片的质量是否存在异常；若存在异常，则确定目标产线不稳定。本发明根据硅片的ECV曲线对硅片进行分析，确定产线是否存在异常，结果准确，方法简单有效。

公开(公告)号：CN116130559A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310146111.2

申请日：2023-02-22

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 李青娟 ,  吝占胜 ,  刘新玉 ,  张东升 ,  王静 ,  李倩 ,  王志国 ,  李志彬 ,  陈晨 ,  刘伟 ,  魏双双 ,  张红妹 ,  张雷 ,  刘莉丽 ,  于波 ,  何广川 ,  张树骞

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/06

摘要： 本发明涉及晶硅电池制备领域，具体公开了一种N型晶硅电池制绒清洗药液监测方法，具体包括步骤：S1选择监测片；S2双面制绒，35min；S3双面磷扩散，60min；S4HF酸清洗，15min；S5双面氮化硅镀膜，15min；S6烧结，5min；S7Sinton测试，5min；同时辅助S8：PL测试，共计135分钟。Sinton测试结果中显示少子寿命、J0、ivoc数据正常，则该药液满足电池结构硅片的生产加工。本发明提供的N型晶硅电池制绒清洗药液监测方法，不仅能够进行反射率和金字塔的监测，还能够监测药液是否受到污染。利用本发明方法，对比Sinton测试结果中少子寿命、J0、IVOC数据能够与常规方法的电池效率能够有明显的对应关系，能够充分反映工艺的稳定性，能够有效控制或着避免工艺的波动对电池效率的影响。

公开(公告)号：CN114823992B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210744789.6

申请日：2022-06-29

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  翟金叶 ,  张伟 ,  郎芳 ,  徐卓 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  吝占胜 ,  张雷 ,  吴萌萌 ,  王钰蕾 ,  张任远 ,  张莉沫 ,  李英叶 ,  张丽娜 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0288

摘要： 本发明提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层及硼原位掺杂非晶硅层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼氧化硅层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。

公开(公告)号：CN116013802B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310293313.X

申请日：2023-03-24

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 李倩 ,  王静 ,  张东升 ,  吝占胜 ,  李青娟 ,  何广川 ,  李志彬 ,  刘新玉 ,  魏双双 ,  冉祖辉 ,  李龙 ,  陈晨 ,  刘伟 ,  于波 ,  张树骞

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L31/18 ,  H01L31/06

摘要： 本发明提供一种电池氧化铝钝化性能的确定方法、电子设备及存储介质。该方法包括：将氧化铝设备维护周期划分为M个时段，并在每个时段下，分别对对应组的硅片依次进行双面氧化铝镀膜处理和双面氮化硅镀膜处理，得到各个时段对应的测试硅片组；在每个时段下，对对应的测试硅片组中第一预设数量的硅片进行氧化铝钝化性能测试，得到对应时段下测试硅片组的第一测试结果；基于每个时段下的第一测试结果，确定每个时段下测试硅片组中硅片上氧化铝的钝化性能，以便于在测试硅片组中硅片上氧化铝的钝化性能不稳定的时段对产线工艺进行调整或对氧化铝设备进行维护。本发明能够实时监控氧化铝设备维护周期内各个时段下硅片上氧化铝钝化性能的稳定性。

公开(公告)号：CN116313864A

公开(公告)日：2023-06-23

申请号：CN202310128311.5

申请日：2023-02-17

申请人： 英利能源发展(保定)有限公司 ,  英利能源发展有限公司

发明人： 张东升 ,  吝占胜 ,  李青娟 ,  李倩 ,  王静 ,  何广川 ,  张树骞 ,  张红妹 ,  李志彬 ,  魏双双 ,  刘新玉 ,  于波

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明涉及晶硅电池制备领域，具体公开了一种N型TOPCon电池背面掺杂性能监测方法，包括：S1以P型硅片作为实验片，并双面抛光处理；S2将多个抛光后的实验片与N型TOPCon产线poly后的硅片放置在相同炉管，对炉内实验片和硅片进行同工艺的磷扩散；S3对实验片进行方阻测试；S4对实验片进行ECV曲线测试；S5测试电池效率；S6将S1处理后的实验片投入N型TOPCon产线，作为监控片，与产线的量产硅片做相同的磷扩散工艺；S7对磷扩后的监控片进行方阻测试、ECV曲线测试，通过比对实验片的测试结果来监测产线是否存在异常。本发明使用P型片作为监控片，扩散后在硅片基体与扩散层中间形成了PN结阻挡层，能解决磷扩后的TOPCon半成品硅片无法准确测量方阻的问题。