公开(公告)号：CN115207167A

公开(公告)日：2022-10-18

申请号：CN202211125312.6

申请日：2022-09-16

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(天津)有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 徐卓 ,  王红芳 ,  王平 ,  张文辉 ,  于全庆 ,  李锋 ,  史金超 ,  于波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种硅抛光面的清洗方法。所述清洗方法包括以下步骤：依次采用混合酸液和纯水分别对硅片进行清洗，得一级处理片，其中，所述混合酸液为包括磷酸、氟硼酸和硝酸的水溶液；依次采用碱性混合液和纯水分别对所述一级处理片进行清洗，得二级处理片，其中，所述碱性混合液为包括强碱和乙醇的水溶液；依次采用氧化液和纯水分别对所述二级处理片进行清洗，烘干，得抛光硅片，其中所述氧化液为包括氢氟酸和双氧水的水溶液。本发明提供的清洗方法能有效去除抛光工序残留的微小颗粒，降低表面粗糙度，改善表面形态；还能去除表面残留的有机物及金属离子，有利于后续钝化工艺，能够提升光电转换效率。

公开(公告)号：CN114823992A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210744789.6

申请日：2022-06-29

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  翟金叶 ,  张伟 ,  郎芳 ,  徐卓 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  吝占胜 ,  张雷 ,  吴萌萌 ,  王钰蕾 ,  张任远 ,  张莉沫 ,  李英叶 ,  张丽娜 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0288

摘要： 本发明提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层及硼原位掺杂非晶硅层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼氧化硅层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。

公开(公告)号：CN115020507B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202210680656.7

申请日：2022-06-15

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 徐卓 ,  王红芳 ,  王平 ,  张文辉 ,  李锋 ,  史金超 ,  于波

IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种选择性钝化接触电池及其制备方法。所述电池包括N型硅片，所述N型硅片的正表面上设有硼发射极，在所述硼发射极上设有金属栅线区和非栅线区，在所述正表面的栅线区域内由下往上依次为氧化硅/硼掺杂多晶硅叠层和正电极；在所述正表面的非栅线区域内由下往上依次为氧化铝层和第二氮化硅层；在所述N型硅片的背表面上设有氧化硅/磷掺杂多晶硅叠层，在所述氧化硅/磷掺杂多晶硅叠层上设有金属栅线区和非栅线区，在所述背表面的栅线区域内为背电极，非栅线区域内为第一氮化硅层。本发明提供的选择性钝化接触电池，其正表面仅栅线区域下存在钝化接触结构，背表面整面预设钝化接触结构，显著降低吸光效应。

公开(公告)号：CN114823992B

公开(公告)日：2022-12-27

申请号：CN202210744789.6

申请日：2022-06-29

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  翟金叶 ,  张伟 ,  郎芳 ,  徐卓 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  吝占胜 ,  张雷 ,  吴萌萌 ,  王钰蕾 ,  张任远 ,  张莉沫 ,  李英叶 ,  张丽娜 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0288

摘要： 本发明提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层及硼原位掺杂非晶硅层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼氧化硅层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。

公开(公告)号：CN115207167B

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211125312.6

申请日：2022-09-16

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(天津)有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 徐卓 ,  王红芳 ,  王平 ,  张文辉 ,  于全庆 ,  李锋 ,  史金超 ,  于波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/042 ,  H01L21/306 ,  H01L21/02

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种硅抛光面的清洗方法。所述清洗方法包括以下步骤：依次采用混合酸液和纯水分别对硅片进行清洗，得一级处理片，其中，所述混合酸液为包括磷酸、氟硼酸和硝酸的水溶液；依次采用碱性混合液和纯水分别对所述一级处理片进行清洗，得二级处理片，其中，所述碱性混合液为包括强碱和乙醇的水溶液；依次采用氧化液和纯水分别对所述二级处理片进行清洗，烘干，得抛光硅片，其中所述氧化液为包括氢氟酸和双氧水的水溶液。本发明提供的清洗方法能有效去除抛光工序残留的微小颗粒，降低表面粗糙度，改善表面形态；还能去除表面残留的有机物及金属离子，有利于后续钝化工艺，能够提升光电转换效率。

公开(公告)号：CN114975647B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202210621074.1

申请日：2022-06-02

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 王子谦 ,  翟金叶 ,  张伟 ,  郞芳 ,  孟庆超 ,  徐卓 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  张雷 ,  李峰 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/0224 ,  H01L31/05 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种N型背接触太阳能电池及其制备方法。所述太阳能电池包括若干个并联的电池组，每个电池组包括若干个在水平方向串联的电池单元，所述电池单元包括第一硅片和第二硅片，每个硅片背光面上设有的N型区和P型区形成平面螺旋且镶嵌的图形，且所述第二硅片的图形是第一硅片的图形沿水平方向镜像得到。本发明利用氧化硅掩膜及去除掩膜，配合单面硼扩散、单面磷扩散工艺，能够在硅片的背光面上形成平面螺旋且镶嵌的N型区和P型区图形，并形成若干相邻的具有特定图形的独立电池单元，相邻电池单元之间可以通过组件焊接工艺进行串并联连接，从而实现不同的电池参数需求。

公开(公告)号：CN116581197A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310606741.3

申请日：2023-05-26

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(保定)有限公司

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  翟金叶 ,  郞芳 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  史金超 ,  刘莹 ,  尚琪 ,  田思 ,  李英叶 ,  程立威 ,  于全庆

IPC分类号： H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域。本发明提供的一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，包括如下步骤：在硅片受光面制备上隧穿氧化层及上掺杂多晶硅层，在硅片背光面制备下隧穿氧化层及下掺杂多晶硅层；在下掺杂多晶硅层外侧制备氧化硅层；对上掺杂多晶硅层进行激光热处理，形成激光损伤层；将硅片放置于碱性药液中，对硅片的受光面未进行激光热处理的表面进行制绒；对激光损伤层进行化学清洗；对硅片进行钝化减反膜沉积，在进行加工指定区域上印刷上金属栅线。本发明提供的一种复合双面钝化接触太阳能电池的制备方法，提升了电池钝化效果，降低受光面的金属接触复合，简化了制备工艺步骤。

公开(公告)号：CN115954413A

公开(公告)日：2023-04-11

申请号：CN202310103241.8

申请日：2023-02-13

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(保定)有限公司

发明人： 郎芳 ,  王子谦 ,  王红芳 ,  潘明翠 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  翟金叶 ,  王平 ,  张文辉 ,  张磊 ,  张伟 ,  赵亮 ,  李献朋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体公开一种SE电池的选择性制绒方法。本发明提供的SE电池的选择性制绒方法，在制绒之前对硅片的重掺杂区进行激光刻蚀，改变重掺杂区的晶粒取向，从而使得硅片接触区和非接触区的晶粒取向不同，进而使得在相同的制绒条件下，接触区和非接触区制绒后表面存在差异，非接触区形成完整有序排列的金字塔形貌，金字塔绒面致密，有利于陷光，对提高电池短路电流有积极作用；接触区部分形成抛光面+制绒面的混绒结构，增大了与电池正面金属浆料的接触性，电池的填充因子得到了显著提高，进而有效提高了电池的转化效率，且整个工艺操作简单，制绒效率高，具有较高的推广应用价值。

公开(公告)号：CN115747751A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211423328.5

申请日：2022-11-15

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 马红娜 ,  史金超 ,  张文辉 ,  王子谦 ,  王平 ,  赵学玲 ,  翟金叶 ,  郎芳 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  赵亮 ,  徐卓

IPC分类号： C23C16/02 ,  C23C16/40 ,  C23C16/50 ,  H01L31/18

摘要： 本发明涉及光伏组件制备方法技术领域，具体公开了一种氧化硅制备方法，包括对清洗后硅片按步骤S1～步骤S14进行隧穿氧化硅层的制备，然后进行掺杂多晶硅层制备；其中，步骤S1～步骤S14为：承载清洗后硅片载片舟进入工艺腔室；抽真空，并升温，温度200℃～300℃；氮气吹扫；抽真空；通入惰性气体，并开启微波，气体流量100～500sccm，时长30～150s；抽真空；氮气吹扫；抽真空；通入氧化气体，气体流量50sccm～200sccm，时长10s～100s；抽真空；氮气吹扫；通入氢气，并开启微波，气体流量100～500sccm，时长30～150s；抽真空；氮气吹扫。本发明提出的方法，优了化PECVD法制备氧化硅工艺，能够保证生长隧穿氧化硅层前硅片表面的洁净，能钝化氧化硅中的悬挂键，得到优质的隧穿氧化硅层。

公开(公告)号：CN115602754A

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211090939.2

申请日：2022-09-07

申请人： 英利能源发展有限公司(CN)

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  翟金叶 ,  张伟 ,  郞芳 ,  徐卓 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/0216

摘要： 本发明提供了一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法，属于太阳能电池技术领域，包括以下步骤；N型硅片双面制绒、背光面抛光；背光面制备第一隧穿氧化层及掺磷多晶硅层，掺磷多晶硅层外表面制备一层磷硅层；在背光面设置多个预设区域，并去除预设区域上的磷硅玻璃层、掺磷多晶硅层及第一隧穿氧化层，在预设区域上制备贯穿硅片的通孔；在背光面及通孔内壁制备第二隧穿氧化层及本征多晶硅层；对硅片实行硼扩散工艺处理；对硅片化学清洗；在硅片双面沉积钝化减反层；在背光面和通孔内丝网印刷金属栅线；烘干、烧结。本发明提供的一种无遮光钝化接触MWT电池的制备方法，简化了生产工艺步骤，降低了生产成本。