公开(公告)号：CN115377252A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202211298705.7

申请日：2022-10-24

申请人： 英利能源发展(天津)有限公司 ,  英利能源发展有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 郎芳 ,  张伟 ,  王子谦 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  王平 ,  张文辉 ,  李青娟 ,  韩华华 ,  张磊 ,  陈志军 ,  赵鹏 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/054 ,  C23C16/24

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法。所述方法包括以下步骤：将硅片进行微制绒工序，形成微制绒表面；采用PECVD法在所述微制绒表面上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层。采用本发明提供的方法能够在保证不降低TOPCon太阳能电池转化效率的前提下，还能避免采用PECVD法沉积多晶硅层发生爆膜的问题，方法简单，只是在常规抛光的过程中，添加微制绒工序，工艺步骤简单，无需增加新工艺和新设备，无其他成本增加，有利于工业化生产，对提高TOPCon太阳能电池的成品率具有重要意义。

公开(公告)号：CN116093205A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310130113.2

申请日：2023-02-17

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 马红娜 ,  史金超 ,  张文辉 ,  王平 ,  孟庆超 ,  王子谦 ,  赵学玲 ,  翟金叶 ,  郎芳 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  赵亮

IPC分类号： H01L31/18 ,  C23C16/40 ,  C23C16/505 ,  C23C16/52 ,  C30B28/14 ,  C30B29/06 ,  H01L31/068

摘要： 本发明涉及太阳能电池制造技术领域，具体公开一种隧穿氧化钝化层的制备方法、TOPCOn电池及制备方法。所述方法包括如下步骤：S1、提供硅衬底，将所述硅衬底置于工艺腔室内；S2、向所述工艺腔室内通入第一氧化气体，通过PECVD在硅衬底表面制得隧穿氧化层；S3、向所述工艺腔室内通入硅烷，在所述隧穿氧化层上沉积非晶硅层，制得隧穿氧化钝化层；S4、向所述工艺腔室内依次通入第二氧化气体和含氟气体，降温，完成隧穿氧化钝化层的制备。本发明创造性地将石墨舟清洗步骤与镀膜工艺结合，通过严格控制气体流量，有效避免陶瓷管沉积多晶硅后石墨片正负极提前导通的情况发生，提高了石墨舟的使用稳定性，同时大大缩短了工艺流程时间。

公开(公告)号：CN115621139A

公开(公告)日：2023-01-17

申请号：CN202211413561.5

申请日：2022-11-11

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源(中国)有限公司

发明人： 翟金叶 ,  王红芳 ,  潘明翠 ,  郎芳 ,  赵学玲 ,  王平 ,  王子谦 ,  张文辉 ,  徐卓 ,  史金超 ,  于波

IPC分类号： H01L21/56 ,  H01L31/18

摘要： 本发明提供了一种晶硅太阳能电池制备过程中防绕扩的方法，属于光伏技术领域，包括以下步骤：S1、在硅片背面边缘位置喷涂粘附剂硅凝胶，并将任意两个硅片背相粘附；S2、对粘附后的硅片放入待处理工艺装置中进行工艺处理；S3、通过氟离子酸性溶液去除工艺处理后的硅片上的粘附剂硅凝胶。本发明提供的晶硅太阳能电池制备过程中防绕扩的方法，可防止绕扩(绕镀)产生，减少了因为去除绕扩(绕镀)的工艺步骤，减少了设备、材料和人工等，节约了成本；同时也减少了因为绕扩绕镀带来的硅片寿命降低、表面色差、漏电等问题，制备的电池效率文档，提高了成品率。

公开(公告)号：CN115377252B

公开(公告)日：2023-01-13

申请号：CN202211298705.7

申请日：2022-10-24

申请人： 英利能源发展(天津)有限公司(CN) ,  英利能源发展有限公司(CN) ,  英利能源(中国)有限公司(CN)

发明人： 郎芳 ,  张伟 ,  王子谦 ,  潘明翠 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  王平 ,  张文辉 ,  李青娟 ,  韩华华 ,  张磊 ,  陈志军 ,  赵鹏 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/054 ,  C23C16/24

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种抑制PECVD法生长多晶硅表面爆膜的方法。所述方法包括以下步骤：将硅片进行微制绒工序，形成微制绒表面；采用PECVD法在所述微制绒表面上依次沉积隧穿氧化层和多晶硅层。采用本发明提供的方法能够在保证不降低TOPCon太阳能电池转化效率的前提下，还能避免采用PECVD法沉积多晶硅层发生爆膜的问题，方法简单，只是在常规抛光的过程中，添加微制绒工序，工艺步骤简单，无需增加新工艺和新设备，无其他成本增加，有利于工业化生产，对提高TOPCon太阳能电池的成品率具有重要意义。

公开(公告)号：CN118487551A

公开(公告)日：2024-08-13

申请号：CN202410589652.7

申请日：2024-05-13

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 高仕康 ,  张继豪 ,  徐泽林 ,  李文博 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  史金超 ,  于波 ,  刘莹 ,  麻超

IPC分类号： H02S50/10 ,  H01L31/048 ,  H02S50/15

摘要： 本发明公开一种太阳能电池片性能试验装置及测试方法，属于太阳能电池测试领域，装置包括环境试验箱室、环境控制柜、电气控制柜，所述环境试验箱室一侧开口，内部设有至少一组电池片夹持组件，电池片夹持组件的底部布设有加热元件，电池片夹持组件包括上连接板、第一玻片、第二玻片、下连接板，上连接板通过升降机构连接在电气控制柜的底部，下连接板固接在环境控制柜上方，上连接板和下连接板相向的一侧分别连接第一玻片和第二玻片，第二玻片上表面开有容纳电池片放入的电池片放置槽。本发明装置可以替代层压机对电池片进行层压模拟试验，试验后可完整取出电池片；本发明方法测试电池片在经过层压保温后性能衰减的幅度，更加切合生产实际。

公开(公告)号：CN118248785A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202410385368.8

申请日：2024-04-01

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  王平 ,  郎芳 ,  翟金叶 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  史金超 ,  于波 ,  麻超 ,  刘莹 ,  邵海涛 ,  张伟 ,  赵亮 ,  李晨曦 ,  李永康 ,  闫美楠 ,  邢博

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/06 ,  H01L31/0352

摘要： 本发明提供了一种降低金属接触复合隧穿钝化接触电池的制备方法及隧穿钝化接触太阳能电池，属于太阳能电池技术领域，包括在N型硅片背面制备隧穿氧化硅层和磷掺杂多晶硅层；利用激光对N型硅片背面的磷掺杂多晶硅层指定区域进行热处理，在激光热处理区域形成一层磷掺杂氧化硅层；磷掺杂氧化硅层不接触隧穿氧化硅层。本发明制备的隧穿钝化接触太阳能电池，激光热处理形成的磷掺杂氧化硅层能够阻挡金属栅线，适用于厚度＜80nm的磷掺杂多晶硅层上的低金属接触复合，能够适配更薄的磷掺杂多晶硅层厚度，而不会导致背面金属接触复合的上升，因此能够大幅度降低背面多晶硅层厚度、提升设备产能、减少背面多晶硅层光寄生吸收、提升电池效率。

公开(公告)号：CN117936642A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202410092511.4

申请日：2024-01-23

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 马红娜 ,  史金超 ,  郎芳 ,  王子谦 ,  于波 ,  赵学玲 ,  张伟 ,  潘明翠 ,  翟金叶 ,  王红芳 ,  宾鹏帅 ,  周渊博

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/02 ,  C23C16/455 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52

摘要： 本发明涉及太阳能电池技术领域，具体公开一种隧穿氧化层钝化接触结构的制备方法。本发明通过在反应炉管的顶部和底部分别增设氮气管路，在隧穿氧化层和多晶硅沉积过程中进行氮气吹扫，使工艺气体顺利进入相邻两硅片之间，从而在同一硅片的正反面沉积相同厚度的氧化硅和多晶硅，进而有利于后续采用简单的清洗工艺将正面的氧化硅和多晶硅进行充分去除，且不会破坏绒面和PN结，提高了清洗工艺的合格率，保证了TOPCon电池的电池效率，在不影响产能以及不增加成本的前提下，有效提高了TOPCon电池的生产效率，适合大规模生产制备TOPCon电池，应用前景广阔。

公开(公告)号：CN116454163A

公开(公告)日：2023-07-18

申请号：CN202310343522.0

申请日：2023-04-03

申请人： 英利能源发展有限公司 ,  英利能源发展(保定)有限公司

发明人： 王红芳 ,  史金超 ,  翟金叶 ,  潘明翠 ,  郎芳 ,  田思 ,  于波

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L31/0224 ,  H01L21/22

摘要： 本发明提供了一种图形化掩膜板、掺杂方法及太阳能电池制作方法，属于太阳能电池技术领域，其中图形化掩膜板包括边框，边框内具有并排设置的非遮挡区和遮挡区，遮挡区内具有多个间隔设置的条形板，条形板的一端与边框连接，条形板的另一端朝向非遮挡区；相邻条形板之间的间隙连接非遮挡区，相邻条形板之间的间隙数量与印刷栅线电极的根数一致。本发明提供的图形化掩膜板，位于非遮挡区范围内的硅片可以实现多接受一次全掺杂，提高全掺杂的覆盖率，进而提高了转化效率；使得磷离子在二次注入到硅片表面的同时硅片表面完成选择性掺杂，最终实现一次性高激活率选择性掺杂过程，进而提升了电池效率。

公开(公告)号：CN114823992A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210744789.6

申请日：2022-06-29

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 王子谦 ,  孟庆超 ,  翟金叶 ,  张伟 ,  郎芳 ,  徐卓 ,  王红芳 ,  马红娜 ,  赵学玲 ,  潘明翠 ,  王平 ,  张文辉 ,  吝占胜 ,  张雷 ,  吴萌萌 ,  王钰蕾 ,  张任远 ,  张莉沫 ,  李英叶 ,  张丽娜 ,  李锋 ,  史金超

IPC分类号： H01L31/20 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/0288

摘要： 本发明提供了一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，属于蓄电池技术领域，该方法包括：在N型硅片的背光面制备第一隧穿氧化硅层及硼原位掺杂非晶硅层，通过激光刻蚀去除多余的第一隧穿氧化硅层、硼原位掺杂非晶硅层和掺硼氧化硅层，从而在N型硅片的背光面形成多个间隔设置的掺硼非晶硅层；在相邻的掺硼非晶硅层之间制备掺磷非晶硅层，在掺硼非晶硅层和掺磷非晶硅层之间形成硼磷共掺杂层；通过化学清洗的方式，在N型硅片的背光面形成呈梳状交叉分布的磷掺杂区和硼掺杂区，磷掺杂区和硼掺杂区之间形成绝缘区。本发明提供的一种太阳能电池的制备方法及太阳能电池，大大简化了背接触电池背场和背发射极制备工艺步骤，降低电池成本。

公开(公告)号：CN118588809A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410727990.2

申请日：2024-06-06

申请人： 英利能源发展有限公司

发明人： 徐泽林 ,  王红芳 ,  翟金叶 ,  李文博 ,  张继豪 ,  高仕康 ,  郎芳 ,  王子谦 ,  马红娜 ,  史金超 ,  于波 ,  刘莹 ,  麻超

IPC分类号： H01L31/18 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

摘要： 本发明公开一种切片后半片电池边缘钝化方法，涉及太阳能电池钝化技术领域，包括：提供初始电池片；对初始电池片进行划片切割，得到具有切割面的半片电池片，半片电池片具有正极栅线和负极栅线；对切割后的半片电池片进行惰性气体吹扫；采用原子层沉积方法，通过铪前驱体和氧源向半片电池片的切割面制备一层氧化铪薄膜；对所述切割面进行退火处理，活化钝化层。本发明方法，将切片后的电池经过惰性气体吹扫，去掉半片电池以及切割面的杂质，之后在切割面沉积一层氧化铪薄膜，以减少电池边缘的电学复合和漏电现象，通过该方法得到的半片电池片会大大降低切片带来的电池边缘的漏电和电学复合问题，使得电池整体效率得到提升。